浙

瞻芯电子与浙大联合发表10kV SiC MOSFET研发成果！

6月4日，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商——瞻芯电子，在第37届国际功率半导体器件和集成电路研讨会（ISPSD 2025）上，与浙江大学以大会全体报告的形式联合发表了10kV等级SiC MOSFET的最新研究成果，受到了各界广泛关注。

近日，浙江农林大学农学院已毕业硕士生余笠、赵萱和教师戎均康在《Plant Physiology》（中科院1区Top，IF: 7.6）发表题为“Functionally differentiated GL2-interacting-repressor 1 hom