台湾国立中山大学宣布首次成功演示由ε多晶型层和α多晶型层构成的氧化镓（Ga2O3）异质结场效应晶体管（HFETs），两层之间通过掺锡（Sn）过渡层连接 [Han-Yin Liu et al, IEEE Electron Device Letters publi

氧化镓 多晶 hfet 氧化镓hfet 方块电阻 2025-08-07 09:09  2