摘要：SK 海力士已在 3 月末完成了其位于韩国京畿道利川市的 M10F 工厂的产线改造，该厂从此前负责一般 DRAM 产品的后端处理调整为封装高附加值、高需求的 HBM 内存。

该工厂HBM封装产线已于3月底开始批量生产。

据韩国媒体ET News报道，SK 海力士已在 3 月末完成了其位于韩国京畿道利川市的 M10F 工厂的产线改造，该厂从此前负责一般 DRAM 产品的后端处理调整为封装高附加值、高需求的 HBM 内存。

一位知情人士透露：“我们引进和更换了一些封装设备，并改变了必要的材料以适应包装。我们上个月底获得了当地消防部门的许可，并开始大规模生产。”

SK 海力士利川园区

SK海力士持续推进利川M10F、清州M8转换投资、以及清州M15F新厂的投资，以扩大HBM产能，目前M10F首先完成。

SK 海力士一直在推动M10F使用的转换，以快速响应HBM的需求。由于安装新的洁净室和引入设备需要很长时间，因此SK 海力士选择改变现有的半导体生产线。

据悉，此次转产后，SK海力士HBM产能将从之前的每月12万片（以晶圆投入量计算）提升至13万片。为M10F准备的HBM产能预计为10,000张。

预计SK海力士HBM将从今年第四季度忠清北道清州市 M15X工厂的推出开始，尺寸进一步增大。M15X工厂的总建筑面积为63,000坪，并将配备HBM生产所需的所有前处理和后处理功能。

预计到年底产能将达到每月16万至17万台。这比去年增加了4万至5万张。随着明年上半年M15X和M8产能逐渐爬坡，HBM产能预计将进一步提升。

SK 海力士是HBM市场排名第一的公司。我们积极响应 HBM 市场，并确立了自己作为主要 HBM 供应商的地位。但由于供给不足的状况持续存在，正在不断进行扩张投资。 SK海力士的一位高管对M10F运营的评论持谨慎态度，他表示：“我们无法确认有关晶圆厂设备投资和运营计划的任何信息。”

受通用存储芯片价格疲软影响，韩国半导体巨头三星电子与SK海力士2025年第一季度的业绩预计不及市场预期。尽管业界预测第二季度半导体行业将迎来复苏，但市场回暖的步伐或较为缓慢，难以出现剧烈反弹。

据韩国金融信息公司FnGuide于3月31日发布的预测，三星电子今年第一季度的营业利润预计在5万亿韩元（约合人民币245.8亿元）左右，较去年同期的6.6万亿韩元以及前年第四季度的6.5万亿韩元下降超1万亿韩元。分析认为，存储芯片价格疲软以及晶圆代工（代工制造）业务亏损扩大是导致业绩下滑的主要原因。

多家券商预测，三星电子半导体部门（DS部门）尽管在存储业务上取得2万亿韩元以上的盈利，但由于系统半导体和晶圆代工业务亏损严重，整体预计亏损约4000亿韩元。尤其是高带宽存储（HBM）芯片因出口管制受到影响，同时通用存储芯片价格下跌，进一步拖累盈利能力。

SK海力士的业绩也呈现类似趋势。市场分析机构预测，SK海力士今年第一季度的营业利润将达到6.5万亿韩元，虽然较去年同期的2.886万亿韩元有所增长，但相比去年第四季度的8.1万亿韩元仍减少超1万亿韩元。业界认为，通用DRAM存储芯片价格下滑以及HBM对主要客户英伟达（NVIDIA）的出货量减少，是导致业绩下降的主要原因。

尽管第一季度业绩低迷，但市场对第二季度的表现持谨慎乐观态度。近期，存储芯片需求回暖迹象显现，美国存储芯片厂商美光（Micron）宣布大幅上调产品价格，预示着市场即将迎来转折点。业内预计，AI及数据中心需求增长将推动存储芯片市场逐步复苏。

三星电子内部人士透露，DS部门高层近期向员工表示，第一季度将成为全年业绩的“低谷”，从第二季度开始，行业景气度将逐步回升，预计公司盈利能力也将恢复。但他同时指出，市场难以出现“V型反弹”或“戏剧性逆转”，更多是回归正常水平。

中国市场需求增长被视为韩国半导体企业业绩改善的重要因素之一。分析机构表示，近期中国市场的移动端DRAM库存调整已接近尾声，DDR4现货价格在DDR5之后也呈现上升趋势，显示出上半年存储芯片价格已进入上行通道。此外，全球存储芯片厂商维持谨慎的供货策略，也在一定程度上推动了价格上涨。

NAND闪存价格方面，经过长期减产，市场预计4月起价格将进入上升周期。分析人士指出，NAND闪存价格将在4月上涨，而DRAM价格在库存调整后也趋于稳定，预计二季度后将进入上升趋势。他还表示，中国的“以旧换新”政策以及美国关税政策促使市场进行提前库存积累，再加上AI基础设施投资增长，整体存储芯片需求有望超出市场预期。

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来源：半导体产业纵横一点号