摘要：长光辰芯（Gpixel）近日宣布推出两款全新高速、高灵敏度背照式 TDI CMOS 图像传感器，分别为GLT5008BSI与GLT5016BSI。这两款产品的发布，标志着长光辰芯在高端图像传感器领域的又一次技术突破。

长光辰芯（Gpixel）近日宣布推出两款全新高速、高灵敏度背照式 TDI CMOS 图像传感器，分别为GLT5008BSI与GLT5016BSI。这两款产品的发布，标志着长光辰芯在高端图像传感器领域的又一次技术突破。

据悉，GLT5008BSI与GLT5016BSI采用了更加优化的设计架构，不仅提升了行频与量子效率，还在片上集成度上实现了显著提升。这使得它们能够更好地满足半导体晶圆检测、FPD检测、高通量基因测序、生物荧光成像等多个行业的应用需求。

两款传感器均基于5μm的电荷域TDI像素设计，并集成了两个谱段，积分级数分别为256级+32级。GLT5008BSI的有效分辨率为8208像素，支持10bit和12bit ADC输出，最高行频可达1MHz和500kHz；而GLT5016BSI的有效分辨率则高达16416像素，最高行频也可达到500kHz。

在数据传输方面，GLT5008BSI与GLT5016BSI的最高输出数据率分别达到了86.4Gbps和103.7Gbps，均可通过100GiGE相机接口进行高效传输。这一特性使得它们能够轻松应对大数据量的处理需求，为高端仪器装备行业的产业升级提供了有力支持。

针对不同应用场景，GLT5008BSI与GLT5016BSI还进行了ARC优化设计。其中，UV版本在300nm以下的峰值量子效率可达80%以上，在266nm下的量子效率也可达到65%以上；而VIS版本则拥有高达92.4%的峰值量子效率，波长为440nm。长光辰芯还可根据用户需求提供不同谱段的ARC定制服务，以满足更多样化的应用需求。

GLT5016BSI作为一款16K背照式CMOS TDI图像传感器，其水平方向有效分辨率为16416，像素尺寸为5μm，最高满阱容量达到15ke⁻。该传感器具备优异的anti-blooming能力和大于0.99996的电荷转移效率（CTE），最高级数支持256级。在最高行频下，其功耗小于6.4W，并采用415引脚的μPGA陶瓷封装，以确保高可靠性和良好的散热性能。

而GLT5008BSI则是一款8K背照式CMOS TDI图像传感器，其水平方向有效分辨率为8208，像素尺寸为5μm，最高满阱容量达到17ke⁻。该传感器同样具备优异的anti-blooming能力和大于0.99993的电荷转移效率（CTE），峰值量子效率为93.4%，波长为440nm。得益于先进的背照式工艺和紫外量子效率优化工艺，其在266nm处的量子效率也大于63.9%。

这两款传感器的推出，无疑将为基因测序、半导体检测、屏幕检测等领域带来更加准确、简单、高效的解决方案，进一步推动相关行业的发展和进步。

来源：ITBear科技资讯