摘要：ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) 国际固态电路会议由IEEE固态电路学会 (SSCS) 举办，是世界学术界和工业界公认的集成电路设计领域最高级别会议，被认为是集成电路设计领域的 “芯片
ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) 国际固态电路会议由IEEE固态电路学会 (SSCS) 举办，是世界学术界和工业界公认的集成电路设计领域最高级别会议，被认为是集成电路设计领域的 “芯片奥林匹克大会”。
根据大会组办方最新公布的数据，在2025年ISSCC录用的246篇同行评审论文中，中国大陆共发表76篇，较去年54篇大幅增长了41%，也同样超越了美国的55篇，保持第一。中国大陆及港澳地区发表92篇，中国台湾发表20篇。
本文就来看一下，ISSCC 2025中国大陆贡献出的中国力量。（需说明的是，因专业术语繁杂且本人对其理解与驾驭能力有限，若下述内容存在偏差或错误，在此诚挚请求各位读者予以理解与宽容。）
01
ISSCC 2025整体情况
从投稿数量来看，ISSCC历年来的投稿数量都在600篇左右，但自2024年开始，论文的投稿数迅速增长达到873篇，到了2025年论文的投稿数达914篇。这其中的增长有很大一部分原因得益于中国集成电路的蓬勃发展。ISSCC国际技术委员会中国区代表、中国科学技术大学程林教授表示，这将会是一个新常态，近几年论文提交都会稳定在900左右。
ISSCC 各技术委员会录用论文分布12个领域中，有三个领域占比超过10%，分别是图像、MEMS,医疗和显示（IMD）；电源管理；射频电路。
ISSCC 2025入选论文的国家、地区分别有：远东区的中国大陆、澳门、香港、台湾；韩国；日本；新加坡。北美的美国、加拿大。欧洲的荷兰、比利时、法国、意大利、爱尔兰、瑞士、德国、英国。远东地区2025年录用论文数达到165篇，大概占ISSCC全部论文的三分之二。
工业界被录用论文达19篇，其中包括三星、联发科、英特尔、台积电等，值得注意的是，中国一家初创企业——芯翼信息科技（上海）被录用。科研机构被录用论文达5篇，其中国内包括固态微波与电路全国重点实验室、中科院半导体所、中科院微电子所等三所科研院所，高校被录用论文达72篇，其中有36所高校被录用论文数量在2篇及以上。
02
ISSCC 2025 中国大陆发布情况
从ISSCC 2025来看，中国内地论文涵盖了全部12个技术领域，获收录的文章数量持续上升，并且第一隶属机构数量也在不断提升。
其中北京大学有15篇论文获得收录，相较于去年的5篇，北京大学收录论文数量暴增。清华大学收录13篇。华东师范大学、南京大学、南京理工大学、国防科技大学、华南理工大学都是首次入选，国内企业芯翼信息科技也首次入选ISSCC。
03
有线通讯领域（Wireline）
有线通讯领域（Wireline）涵盖Session 7、Session 36。其中Session 7远东地区收录8篇，中国内地收录5篇。Session 36远东地区收录5篇，中国内地收录4篇。
其中Session 7包括：
北京大学
7.3 《1.11pJ/b 224Gb/s XSR Receiver with Slice-Based CTLE and PI-Based Clock Generator in 12nm CMOS》1.11pJ/b 224Gb/s XSR 接收器，采用 12nm CMOS 封装，具有基于片的 CTLE 和基于 PI 的时钟发生器
7.7 《A 50Gb/s Burst-Mode NRZ Receiver with 5-Tap FFE,7-Tap DFE and 15ns Lock Time in 28nm CMOS for Symmetric 50G-PON》适用于对称 50G-PON 的 28nm CMOS 50Gb/s 突发模式 NRZ 接收器，具有5-Tap FFE,7-Tap DFE and 15ns 锁定时间
西安电子科技大学
7.8 《A Reference-less CDR Using SAR-Based Frequency-Acquisition Technique Achieving 55ns Constant Band-Searching Time and up to 63.64Gb/s/us Acquisition Speed》采用基于 SAR 的频率采集技术的无参考 CDR，实现 55ns 恒定频带搜索时间和高达 63.64Gb/s/us 的采集速度
西安交通大学
7.9 《A 60Gb/s NRZ Burst-Mode CDR with Cross-Injection Locking and Flash Phase Detector Achieving 0.13ns Reconfiguration Time in 28nm CMOS》具有交叉注入锁定和闪存相位检测器的 60Gb/s NRZ 突发模式 CDR，在 28nm CMOS 中实现 0.13ns 重构时间
复旦大学
7.10 《An 8-to-28GHz 8-Phase Clock Generator Using Dual-Feedback Ring Oscillator in 28nm CMOS》采用 28nm CMOS 双反馈环形振荡器的 8 至 28GHz 8 相时钟发生器
其中Session 36包括：
北京大学
36.2 《A 64Gb/s/wire 10.5Tb/s/mm/layer Single-Ended Simultaneous Bi-Directional Transceiver with Echo and Crosstalk Cancellation for a Die-to-Die Interface in 28nm CMOS》 28nm CMOS 芯片间接口的 64Gb/s/线 10.5Tb/s/mm/层单端同步双向收发器，具有回声和串扰消除功能
西安交通大学
36.5 《A Low-Latency 200Gb/s PAM-4 Heterogeneous Transceiver in 0.13μm SiGe BiCMOS and 28nm CMOS for Retimed Pluggable Optics》用于可重定时可插拔光学器件的 0.13μm SiGe BiCMOS 和 28nm CMOS 低延迟 200Gb/s PAM-4 异构收发器
南方科技大学
36.6 《A 112Gb/s 0.61pJ/b PAM-4 Linear TIA Supporting Extended PD-TIA Reach in 28nm CMOS》支持 28nm CMOS 中扩展 PD-TIA 范围的 112Gb/s 0.61pJ/b PAM-4 线性 TIA
36.8 《A 100Gbaud 4Vppd Distributed Linear Driver with Cross-Folded Transmission Lines and Cross-Coupled Gm Cells for Built-In 5-Tap FFE in 0.13μm SiGe BiCMOS》具有交叉折叠传输线和交叉耦合 Gm 单元的 100Gbaud 4Vppd 分布式线性驱动器，用于 0.13μm SiGe BiCMOS 中的内置 5-Tap FFE
04
无线通讯领域（Wireless）
无线通讯领域（Wireless）涵盖Session 10、Session 11、Session 26。其中Session 10远东地区收录4篇，中国内地收录3篇。Session 11远东地区收录4篇，中国内地收录3篇。Session 26 远东地区收录2篇，中国内地收录2篇。
其中Session 10 包括：
华东师范大学
10.1《A 77GHz Hybrid TDMA-MIMO Phased-Array Radarwith 186m Detection Range and 3cm Range Resolution》77GHz 混合 TDMA-MIMO 相控阵雷达，探测范围 186 米，距离分辨率 3 厘米
天津大学
10.2 《A132-to-148GHz CMOS 4TX-4RX FMCW Radar Transceiver Array with Cavity-Backed Antenna-in-Package Achieving 28dBm EIRP》A132 至 148GHz CMOS 4TX-4RX FMCW 雷达收发器阵列，采用腔内封装天线，实现 28dBm EIRP
此篇为Session 10 的亮点论文。腔体封装天线 (AiP) 4 发射器和 4 接收器 FMCW 阵列无需使用 CMOS 技术中的附加透镜即可实现显著的 28dBm 等效全向辐射功率 (EIRP)。该设计结合了高功率幅度相位谐波调制四倍频器、基于低损耗功率合成器的高功率功率放大器 (PA) 和腔体封装 AiP，可实现高分辨率雷达和 3D 成像功能。
芯翼信息科技
10.5 《A 28nm Multimode Multiband RF Transceiver with Harmonic-Rejection TX and Spur-Avoidance RX Supporting LTE Cat1bis》具有谐波抑制 TX 和杂散避免 RX 且支持 LTE Cat1bis 的 28nm 多模多频带 RF 收发器
其中Session 11包括：
复旦大学
11.3 《A Compact Full-Duplex Receiver with Wideband Multi-Domain Hilbert-Transform-Equalization Cancellation Based on Multi-Stage APFs Achieving 65dB SIC Across 120MHz BW》基于多级 APF 的宽带多域希尔伯特变换均衡消除紧凑型全双工接收器，可在 120MHz 带宽内实现 65dB SIC
11.5《A 200MHz-BW Blocker-Tolerant Receiver with Fifth-Order Filtering Achieving 19dBm Adjacent-Channel IIP3》具有五阶滤波的 200MHz 带宽抗阻塞接收器可实现 19dBm 相邻信道 IIP3
此篇为Session 11 的亮点论文。40nm IC 在 LNTA 中采用多栅极平均偏置技术来增强 IIP3。所提出的 TIA 架构可实现陡峭的近距离选择性。RX 实现了OOB IIP3 of 19dBm for offset/BW = 2 and -100 dB/decade far-OOB roll-off。
东南大学
11.4 《A Gm-C RF Quadrature-Current-Generation Technique with 40dB IRR in 0.65V 2mW Multi-Mode CMOS GNSS Receiver》0.65V 2mW 多模 CMOS GNSS 接收器中具有 40dB IRR 的 Gm-C RF 正交电流生成技术
其中Session 26 包括：
复旦大学
26.2 《A Wideband Replicas-Rejection Digital Transmitter Using Joint-Digital-Analog Interpolation and Filtering in 28nm CMOS》采用 28nm CMOS 联合数模插值和滤波的宽带复制品抑制数字发射机
此篇为Session 26的亮点论文。对于 WiFi 40MHz 64-QAM 和 80MHz 256-QAM 信号，复制抑制为 42dBc，动态功率范围为 33dB。2.6GHz/3.6GHz/5.1GHz 时输出功率为 27.8dBm/27.3dBm/24.8dBm，峰值效率为 30.4%/30.5%/14.9%。
浙江大学
26.5 《A 17.7-to-29.5GHz Transceiver Front-End with 3.3dB NF and 20.2dBm OP1dB in 65nm CMOS》采用 65nm CMOS 工艺的 17.7 至 29.5GHz 收发器前端，具有 3.3dB NF 和 20.2dBm OP1dB
05
电源管理领域（Power Management）
电源管理领域（Power Management）涵盖Session 9、Session 21、Session 31、Session 32。其中Session 9远东地区收录9篇，中国内地收录5篇。Session 21远东地区收录7篇，中国内地收录1篇。其中Session 31远东地区收录2篇，中国内地收录0篇。其中Session 32远东地区收录5篇，中国内地收录2篇。
其中Session 9 包括：
中国科学技术大学
9.4 《A 102ns/N 94.3%-Peak-Efficiency Symbol-Power-Tracking Supply Modulator for 5G NR Power Amplifiers》用于 5G NR 功率放大器的 102ns/N 94.3% 峰值效率符号功率跟踪电源调制器
9.11 《A 98.3%-Peak-Efficiency Single-Mode Hybrid Buck-Boost Converter with 7mV Maximum Output Ripple for Li-lon Battery Management》峰值效率为 98.3% 的单模混合降压-升压转换器，最大输出纹波为 7mV，适用于锂离子电池管理
南京大学
9.6 《A 6.78MHz Single-Stage Regulating Rectifier with Dual Outputs Simultaneously Charged in a Half Cycle Achieving 92.2%-Efficiency and 131mW Output Power》6.78MHz 单级稳压整流器，半周期同时充电双输出，效率达 92.2%，输出功率达 131mW
西安交通大学
9.7《A 6.78MHz 94.2% Peak Eficiency Class-E Transmitter with Adaptive Real-Part Impedance Matching and Imaginary-Part Phase Compensation Achieving a 33W Wireless-Power-Transfer System》具有自适应实部阻抗匹配和虚部相位补偿的 6.78MHz 94.2% 峰值效率 E 类发射器，可实现 33W 无线功率传输系统
南方科技大学
9.10 《A 93%-Peak-Efficiency Battery-Input 12-to-36V-Output Inductor-in-the-Middle Hybrid Boost Converter with Continuous Input and Output Currents and Fast Transient with No RHP Zero》峰值效率为 93% 的电池输入 12V 至 36V 输出中间电感混合升压转换器，具有连续输入和输出电流以及快速瞬变，无 RHP 零点
其中Session 21 包括：
浙江大学
21.1 《A 12A 89.3% Peak Efficiency and 26mV Undershoot 12-to-1V Two-Stage Converter with Regulated Resonant Switched-Capacitor Regulators》带稳压谐振开关电容稳压器的 12A 89.3% 峰值效率和 26mV 下冲 12 至 1V 双级转换器
其中Session 32 包括：
中国科学技术大学
32.4 《A Dual-LC-Resonant lsolated DC-DC Converter Achieving 65.4% Peak Efficiency and Inherent Backscattering》双 LC 谐振隔离 DC-DC 转换器可实现 65.4% 峰值效率和固有反向散射
32.5 《A 2W 53.2%-Peak-Efficiency Multi-Core lsolated DC-DC Converter with Embedded Magnetic-Core Transformer Achieving CISPR-32 Class-BEMI Compliance and
06
模拟技术领域（Analog）
模拟技术领域（Analog）涵盖Session 3、Session 4、Session 27、Session 28。其中Session 3远东地区收录3篇，中国内地收录2篇。Session 4远东地区收录4篇，中国内地收录2篇。其中Session 27远东地区收录3篇，中国内地收录2篇。其中Session 28远东地区收录4篇，中国内地收录2篇。
其中Session 3 包括：
复旦大学
3.2《A 36V Current-Balancing Instrumentation Amplifier with ±24V Input Range，5.6MHz BW,and 140dB CMRR at All Gain Settings》36V 电流平衡仪表放大器，输入范围为 ±24V，带宽为 5.6MHz，所有增益设置下的 CMRR 为 140dB
清华大学
3.4 《A CMOS Operational Amplifier Achieving±5.8μV 3σ Offset and ±88nV/°C 3σ Offset Drift Using an On-Chip Heater-Based Self-Trimming Technique》采用基于片上加热器的自调整技术实现±5.8μV 3σ 失调和±88nV/°C 3σ 失调漂移的 CMOS 运算放大器
其中Session 4 包括：
上海交通大学
4.2 《A 1.8-to-3.0GHz Fully Integrated All-In-One CMOS Frequency Management Module Achieving -47/+42ppm Inaccuracy from -40 to 95℃ and -150/+70ppm After Accelerated Aging》1.8 至 3.0GHz 全集成一体化 CMOS 频率管理模块，在 -40 至 95℃ 范围内实现 -47/+42ppm 误差，在加速老化后实现 -150/+70ppm
电子科技大学
4.5 《A 0.4 μ W/MHz Reference-Replication-Based RC Oscillator with Path-Delay and Comparator-0ffset Cancellation Achieving 9.83ppm/°C from -40 to 125℃》基于参考复制的 0.4μW/MHz RC 振荡器，具有路径延迟和比较器偏移消除功能，在 -40 至 125℃ 范围内实现 9.83ppm/°C
其中Session 27 包括：
西安电子科技大学
27.1 《A 3-Axis MEMS Gyroscope with 2.8ms Wake-Up Time Enabled by a 1.5 μ W Always-On Drive Loop》3 轴 MEMS 陀螺仪具有 2.8ms 唤醒时间，由 1.5μW 常开驱动环路实现
浙江大学
27.3 《A Sub-1V 14b 5.8nW/Hz BW/Power-Scalable CT Sensor Interface with a Frequency-Controlled Current Source Achieving a 225× Scalable Range》Sub-1V 14b 5.8nW/Hz BW/功率可扩展 CT 传感器接口，带有频率控制电流源，可实现 225 倍可扩展范围
此篇为Session 27的亮点论文。采用电容偏置二极管技术来产生恒定的 Gm 偏置电流，该电流与频率成比例，但在温度和电源电压范围内保持稳定。二阶 CT ΔΣ 调制器使用 Gm-C 积分器和异步多位量化器，在 225 倍 BW 范围内实现带宽/功率可扩展操作，SNDR 接近一致，为 84dB，功率扩展为 5.8nW/Hz。
其中Session 28 包括：
北京大学
28.3 《A 185.2dB-FoMs8.7aFrms Zoomed Capacitance-to-Digital Converter with Chopping-Based kT/C Noise Cancellation and Add-Then-Subtract Phase-Domain Lead-Compensation Technique》85.2dB-FoMs 8.7a Frms放大电容数字转换器，采用基于斩波的 kT/C 噪声消除和加减相域超前补偿技术
清华大学
28.4 《A 143dB-Dynamic-Range 119dB-CMRR Capacitance-to-Digital Converter for High-Resolution Floating-Target Displacement Sensing》用于高分辨率浮动目标位移传感的 143dB 动态范围 119dB CMRR 电容数字转换器
此篇为Session 28的亮点论文。电容相位转换器前端和相位域 delta-sigma 调制器共同提供固有带通滤波和共模抑制，使转换器能够抑制 EMI，如 DC 和 100MHz 附近的 CMRR 分别为 119dB 和 97dB 所示。转换器的动态范围为 143dB，同时功耗为 625μW。
07
硬件安全领域（Hardware Security）
硬件安全领域（Hardware Security）涵盖Session 17。其中Session 17远东地区收录4篇，中国内地收录1.5篇。
其中Session 17 包括：
南方科技大学【与新加坡国立大学同等署名作者 (ECA)】
17.1 《Sensor-less Laser Voltage-Probing Attack Detection via Run-Time-Leakage-Shift Monitoring with 4.35% Area Overhead》通过运行时泄漏偏移监控检测无传感器激光电压探测攻击，面积开销为 4.35%
此篇为Session 17的亮点论文。激光照射引起的睡眠晶体管中的泄漏偏移可用于攻击检测，保持标准单元设计，同时确保最小的开销，对功率的影响约为 0%，对性能的影响约为 1.23%，对面积的影响约为 4.35%。
清华大学
17.2 《A 28nm 4.05μJ/Encryption 8.72kHMul/s Reconfigurable Multi-Scheme Fully Homomorphic Encryption Processor for Encrypted Client-Server Computing》用于加密客户端-服务器计算的 28nm 4.05μJ/加密 8.72kHMul/s 可重构多方案全同态加密处理器
08
射频电路领域（RF）
射频电路领域（RF）涵盖Session 5、Session 19、Session 33、Session 34。其中Session 5远东地区收录7篇，中国内地收录5篇。Session 19远东地区收录9篇，中国内地收录4篇。其中Session 33 远东地区收录1篇，中国内地收录1篇。其中Session 34远东地区收录3篇，中国内地收录2篇。
其中Session 5 包括：
清华大学
5.1 《A GaN SLCG-Doherty-Continuum Power Amplifier Achieving >38% 6dB Back-off Efficiency over 1.35 to 7.6GHz》GaN SLCG-Doherty-Continuum 功率放大器在 1.35 至 7.6GHz 范围内实现 >38% 6dB 回退效率
此篇为Session 5的亮点论文。清华大学推出一款GaN PA，通过引入无开关G类-Doherty连续体操作，在宽频带上实现高回退效率。在1.35至7.6GHz频带上获得超过38%的6dB回退漏极效率。对于具有7.5dB PAPR的100MHz LTE信号，平均功率为29.1至31dBm，漏极效率为35至49.2%。
上海交通大学
5.2 《Spatial-Temporal Direct-Digital Beamforming Power Amplifier with Enhanced Back-off Efficiency in a 24GHz Phased Array》24GHz 相控阵中具有增强退避效率的空间-时间直接数字波束成形功率放大器
电子科技大学
5.3 《A 56-to-64GHz Linear Power Amplifier with 30.2dBm Psat and 23.5% PAEpeak Using ScalableMatched-Zone-Expanding Radial Power Combining with EM-Loss Reduction in 40nm Bulk CMOS》56 至 64GHz 线性功率放大器，具有 30.2dBm Psat 和 23.5% PAEpeak，采用可扩展匹配区域扩展径向功率，结合 40nm Bulk CMOS 中的 EM 损耗降低
5.7 《A 4.7GHz，27.7dBm Pout，37.8% PAE，5.8° AM-PM Distortion Polar SCPA Using In-Cell Fast Slope-to-Phase Self-Calibration and Asymmetrical 4-to-1 Differential Power-Combining Transformer》4.7GHz，27.7dBm Pout，37.8% PAE，5.8° AM-PM 失真极化 SCPA，采用内置快速斜率相位自校准和非对称 4 比 1 差分功率组合变压器
西安电子科技大学
5.9 《A 21-to-31GHz DPD-less Quadrature RFDAC with Invariant Impedance and Scalable L0 Leakage》具有恒定阻抗和可扩展 L0 泄漏的 21 至 31GHz 无 DPD 正交 RFDAC
其中Session 19 包括：
南方科技大学
19.5 《A Differential Series-Resonance CMOS VCO with Pole-Convergence Technique Achieving 202.1dBc/Hz FoMTA at 10MHz Offset》采用极点收敛技术的差分串联谐振 CMOS VCO 在 10MHz 偏移处实现 202.1dBc/Hz FoMTA
中国科学院
19.8《A 0.65V-VDD 10.4-to-11.8GHz Fractional-N Sampling PLL Achieving 73.8fsrms Jitter，-271.5dB FoMN，and -61dBc In-band Fractional Spur in 40nm CMOS》一种0.65V-VDD 10.4-11.8GHz分数阶采样锁相环，实现了73.8fsrms抖动、-271.5dB FoMN和-61dBc带内分数杂散，适用于40nm CMOS工艺。
清华大学
19.9《An 11-to-16.4GHz，3.4GHz/μs-Slope，5.32GHz-Chirp-Bandwidth，0.043%-RMS-Frequency-Error FMCW Digital PLL with Posterior-Segment DPD Featuring 5-Chirp-Cycle Convergence Time》11 至 16.4GHz、3.4GHz/μs 斜率、5.32GHz 调频带宽、0.043% RMS 频率误差 FMCW 数字 PLL，带后段 DPD，具有 5 个调频周期收敛时间
西安电子科技大学
19.11 《A 13GHz Charge-Pump PLL Achieving 15.8fsrms Integrated Jitter And -98.5dBc Reference Spur》13GHz 电荷泵 PLL 实现 15.8fsrms 积分抖动和 -98.5dBc 参考杂散
其中Session 33 包括：
固态微波与电路全国重点实验室
33.2 《A 216-to-226GHz Watt-Level GaN Solid-State Power Amplifier with Multiband Large-Signal Impedance Correction and Circuit-Package Co-Design Technique》具有多频带大信号阻抗校正和电路封装协同设计技术的 216 至 226GHz 瓦级 GaN 固态功率放大器
此篇为Session 33的亮点论文。固态微波与电路全国重点实验室推出了一款 216 至 226GHz GaN 固态功率放大器，通过使用波导将 4 个 GaN MMIC 模块的输出组合起来，在 223GHz 下实现了 1.53W 的峰值输出功率。每个模块由 8 个 GaN MMIC PA 组成，每个 PA 的最大 Psat 为 20.4dBm。
其中Session 34 包括：
南京理工大学
34.5 《An 18.5-to-23.6GHz Quad-Core Class-F23Oscillator Without 2nd/3rd Harmonic Tuning Achieving 193dBc/Hz Peak FoM and 140-to-250kHz 1/f³ PN Corner in 65nm CMOS》18.5 至 23.6GHz 四核 F23 类振荡器，无需进行 2 次/3 次谐波调谐，在 65nm CMOS 中实现 193dBc/Hz 峰值 FoM 和 140 至 250kHz 1/f³ PN 角
香港中文大学(深圳)
34.6 《A 47.3-to-58.4GHz Differential Quasi-Class-E Colpitts Oscillator Achieving 198.8dBc/Hz FoMT》47.3 至 58.4GHz 差分准 E 类科尔皮兹振荡器可实现 198.8dBc/Hz FoMT
09
数字电路技术领域（Digital Circuits Technique）
数字电路技术（Digital Circuits Technique）涵盖Session 8、Session 37。其中Session 8远东地区收录4篇，中国内地收录1篇。Session 37远东地区收录6篇，中国内地收录3篇。
其中Session 8 包括：
国防科技大学
8.6 《A 0.024mm² AlI-Digital Fractional Output Divider with 257fs Worst-Case Jitter Using Split-DTC-Based Background Calibration》使用基于分割 DTC 的背景校准的 0.024mm² AlI 数字分数输出分频器，最坏抖动为 257fs
其中Session 37 包括：
复旦大学
37.4 《SHINSA：A 586mm² Reusable Active TSV Interposer with Programmable Interconnect Fabric and 512Mb 3D Underdeck Memory》SHINSA：一款 586mm² 可重复使用有源 TSV 中介层，配备可编程互连结构和 512Mb 3D Underdeck 内存
北京大学
37.5 《SKADI：A 28nm Complete K-SAT Solver Featuring Dual-Path SRAM-Based Macro and Incremental Update with 100% Solvability》SKADI：一款 28nm 完整 K-SAT 求解器，具有基于双路径 SRAM 的宏和增量更新，可求解性达 100%
37.6 《A 22nm 60.81TFLOPS/W Diffusion Accelerator with Bandwidth-Aware Memory Partition and BL-Segmented Compute-in-Memory for Efficient Multi-Task Content Generation》具有带宽感知内存分区和 BL 分段内存计算功能的 22nm 60.81TFLOPS/W 扩散加速器，可实现高效的多任务内容生成
此篇为Session 37 的亮点论文。北京大学报告了一种基于 CIM 的扩散模型加速器，用于图像、3D 和视频生成任务，集成了 3Mb eDRAM 存储、864kb 数字 CIM SRAM 和 RISC-V CPU。22nm 芯片在定制混合 BF16-W4A8 上实现了 60.81TFLOPSW，频率为 180MHz，电压为 0.6V，适用于最先进的扩散模型。
10
数字架构与系统领域（Digital Architectures & Systems）
数字架构与系统领域（Digital Architectures & Systems）涵盖Session 2、Session 23。其中Session 2远东地区收录6篇，中国内地收录2篇。Session 37远东地区收录8篇，中国内地收录2篇。
其中Session 2 包括：
清华大学
2.6 《1.78mJ/Frame 373fps 3D GS Processor Based on Shape-Aware Hybrid Architecture Using Earlier Computation Skipping and Gaussian Cache Scheduler》基于形状感知混合架构的 1.78mJ/帧 373fps 3D GS 处理器，使用早期计算跳过和高斯缓存调度程序
此篇为Session 2 的亮点论文。通过动态重构和基于缓存的时空调度相结合的方式，该处理器相对于 SOTA 3D 渲染加速器实现了 1.96 倍的峰值吞吐量、3.18 倍的面积归一化吞吐量和 7.9 倍的每帧能耗降低。
复旦大学
2.10 《A 0.52mJ/Frame 107fps Super-Resolution Processor Exploiting Pseudo-FP6 Sparsity for Mobile Applications》一款利用伪 FP6 稀疏性实现移动应用的 0.52mJ/帧 107fps 超分辨率处理器
其中Session 23 包括：
北京大学（深圳）
23.4 《Nebula：A 28nm 109.8TOPS/W 3D PNN Accelerator Featuring Adaptive Partition，Multi-Skipping，and Block-Wise Aggregation》Nebula：28nm 109.8TOPS/W 3D PNN 加速器，具有自适应分区、多重跳跃和块聚合功能
清华大学
23.8 《An 88.36TOPS/W Bit-Level-Weight-Compressed Large-Language-Model Accelerator with Cluster-Aligned INT-FP-GEMM and Bi-Dimensional Workflow Reformulation》具有集群对齐 INT-FP-GEMM 和二维工作流重构的 88.36TOPS/W 位级权重压缩大型语言模型加速器
此篇为Session 23 的亮点论文。采用主动位分配格式，外部存储器访问减少了 3.87 倍，而混合精度矩阵乘法可将功耗降低 4.87 倍，二维重构可将效率提高 22.3%。该加速器在 LLaMA-2-7B 推理中实现了 88.36TOPS/W 的峰值能效。
11
图像、医疗、显示领域（Imager, Medical, and Display）
图像、医疗、显示领域（Imager, Medical, and Display）涵盖Session 6、Session 15、Session 35。其中Session 6远东地区收录9篇，中国内地收录1篇。Session 15远东地区收录2篇，中国内地收录0篇。其中Session 35 远东地区收录3篇，中国内地收录0篇。
其中Session 6 包括：
北京大学
6.6 《A 320×2566.9mW 2.2mK-NETD 120.4dB-DR LW-IRFPA with Pixel-Paralleled Light-Driven 20b Current-to-Phase ADC》320×2566.9mW 2.2mK-NETD 120.4dB-DR LW-IRFPA，带像素并行光驱动 20b 电流-相位 ADC
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数据转换器领域（Data Converters）
数据转换器领域（Data Converters）涵盖Session 18、Session 24。其中Session 18远东地区收录7篇，中国内地收录7篇。Session 24远东地区收录7篇，中国内地收录3篇。
其中Session 18 包括：
电子科技大学
18.1 《A Fully Dynamic Noise-Shaping SARADC Achieving 120dB SNDR and 189dB FoMs in 1kHz BW》全动态噪声整形 SARADC，在 1kHz BW 下实现 120dB SNDR 和 189dB FoM
北京大学
18.2 《A 12.2pW 99.6dB-SNDR 184.8dB-FoMsDT Zoom PPD △ΣM with Gain-Embedded Bootstrapped Sampler》带有增益嵌入式自举采样器的 12.2pW 99.6dB-SNDR 184.8dB-FoMs DT Zoom PPD △ΣM
18.3 《A 93.3dB SNDR，180.4dB FoMs Calibration-Free Noise-Shaping Pipelined-SAR ADC with Cross-Stage Gain-Mismatch-Error-Shaping Technique and Negative-R-Assisted Residue Integrator》具有跨级增益失配误差整形技术和负 R 辅助残差积分器的 93.3dB SNDR，180.4dB FoMs 校准无噪声整形流水线 SAR ADC
此篇为Session 18 的亮点论文。免校准原型实现了 93.3dB SNDR、180.4dB SNDR FoMS，这是之前采用增益/失配误差抑制技术的免校准 ADC 中最高的，同时还具有最大的增益误差容差范围。
18.4 《A 184.8dB FoMs 1.6MS/s Incremental Noise-Shaping Pipeline ADC with Single-Amplification-Based kT/C-Noise-Cancellation Technique》采用基于单放大的 kT/C 噪声消除技术的 184.8dB FoMs 1.6MS/s 增量噪声整形流水线 ADC
18.5 《A Rail-to-Rail 3rd-0rder Noise-Shaping SAR ADC Achievin 105.4dB SFDR with Integrated Input Buffer Using Continuous-Time Correlated Level Shifting》轨至轨三阶噪声整形SAR ADC利用连续时间相关电平移位实现105.4dB SFDR，并带有集成输入缓冲器
18.6 《An Easy-Drive 16MS/s Pipelined-SAR ADC Using Split Coarse-Fine Input-Buffer-Sampling Scheme and Fast Robust Background Inter-Stage Gain Calibration》采用分离粗-细输入缓冲采样方案和快速稳健背景级间增益校准的易驱动 16MS/s 流水线 SAR ADC
清华大学
18.7 《A 70dB SNDR 80MHz BW Filter-Embedded Pipeline-SAR ADC Achieving 172dB FoMs with Progressive Conversion and Floating-Charge-Transfer Amplifier》70dB SNDR 80MHz BW 滤波器嵌入式流水线 SAR ADC，通过渐进式转换和浮动电荷转移放大器实现 172dB FoM
此篇为Session 18 的亮点论文。渐进式转换减轻了滤波操作的速度损失，动态浮动电荷转移实现了高速、高效的残余放大。它在 80MHz BW 上实现了 70.1dB SNDR，并为全量程阻塞器提供了 >30dB 的带外抑制。
其中Session 24 包括：
清华大学
24.1 《A 12b 3GS/s Pipelined ADC with Gated-LMS-Based Piecewise-Linear Nonlinearity Calibration》具有基于门控 LMS 的分段线性非线性校准的 12b 3GS/s 流水线 ADC
此篇为Session 24 的亮点论文。单通道 28nm CMOS 12b 流水线 ADC 具有双路放大和紧凑的片上数字分段线性非线性校准，在 3GS/s 下实现 9.4 ENOB，功耗仅为 32.5mW，FoMS 为 165dB。
24.7《An 8b 10GS/s 2-Channel Time-Interleaved Pipelined ADC with Concurrent Residue Transfer and Quantization,and Automatic Buffer Power Gating》一种具有并发残差传输和量化及自动缓冲器电源门控功能的8b 10GS/s 2通道时间交错流水线ADC
西安电子科技大学
24.2 《A 14b 1GS/s Single-Channel Pipelined ADC with a Parallel-0peration SAR Sub-Quantizer and a Dynamic-Deadzone Ring Amplifier》具有并行操作SAR次量化器和动态死区环形放大器的14b 1GS/s单通道流水线ADC
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存储器领域（Memory）
存储器领域（Memory）涵盖Session 14、Session 22、Session 29、Session 30。其中Session 14远东地区收录7篇，中国内地收录5篇。Session 22远东地区收录5篇，中国内地收录0篇。其中Session 29 远东地区收录3篇，中国内地收录0篇。其中Session 30远东地区收录6篇，中国内地收录0篇。
其中Session 14 包括：
东南大学
14.3 《A 28nm 17.83-to-62.84TFLOPS/W Broadcast-Alignment Floating-Point CIM Macro with Non-Two's-Complement MAC for CNNs and Transformers》适用于 CNN 和 Transformer 的 28nm 17.83 至 62.84TFLOPS/W 广播对齐浮点 CIM 宏，带有非二进制补码 MAC
14.6 《A 28nm 64kb Bit-Rotated Hybrid-CIM Macro with an Embedded Sign-Bit-Processing Array and a Multi-Bit-Fusion Dual-Granularity Cooperative Quantizer》带有嵌入式符号位处理阵列和多位融合双粒度协同量化器的 28nm 64kb 位旋转混合 CIM 宏
14.7 《NeuroPilot：A 28nm，69.4fJ/node and 0.22ns/node，32×32 Mimetic-Path-Searching CIM-Macro with Dynamic-Logic Pilot PE and Dual-Direction Searching》NeuroPilot：28nm，69.4fJ/node 和 0.22ns/node，32×32 模拟路径搜索 CIM 宏，具有动态逻辑导频 PE 和双向搜索
清华大学
14.4 《A 51.6TFLOPS/W Full-Datapath CIM Macro Approaching Sparsity Bound and
中科院微电子所
14.5 《A 28nm 192.3TFLOPS/W Accurate/Approximate Dual-Mode-Transpose Digital 6T-SRAM CIM Macro for Floating-Point Edge Training and Inference》用于浮点边缘训练和推理的 28nm 192.3TFLOPS/W 精确/近似双模转置数字 6T-SRAM CIM 宏
14
TD Trend
清华大学
20.2 《A 67μW/channel, 0.13nW/synapse/b Nose-on-a-Chip for Noninvasive Diagnosis of Diseases with On-Chip Incremental》67μW/通道、0.13nW/突触/b 片上鼻芯片，用于通过片上增量式技术进行疾病无创诊断
20.5 《Millimeter-Sized 0.1pM LoD Wireless 16-Channel Organic-Electrochemical-Transistor-Based Electrochemical Sensing SoC》毫米级 0.1pM LoD 无线 16 通道有机电化学晶体管电化学传感 SoC
上海交通大学
20.6 《Fully Integrated Self-Propelling Microrobot in 180nm CMOS with Sub-GHz Parity-Time-Symmetry On-Chip Energy Harvesting and Traveling Wave Electroosmosis Actuation》180nm CMOS 中完全集成的自推进微型机器人，具有 Sub-GHz 奇偶时间对称片上能量收集和行波电渗驱动
北京大学
13.1 《A 0.22mm2 161nW Noise-Robust Voice-Activity Detection Using Information-Aware Data Compression and Neuromorphic Spatial-Temporal Feature Extraction》使用信息感知数据压缩和神经形态时空特征提取的 0.22mm2 161nW 抗噪语音活动检测
此篇为Session 13 的亮点论文。
25.5 《A 99.5mW/port DC-to-40GHz Integrated Channel Analyzer for High-Density Signal Integrity Measurement in 28nm CMOS》用于 28nm CMOS 高密度信号完整性测量的 99.5mW/端口 DC 至 40GHz 集成通道分析仪
电子科技大学
13.4 《Cryo-CMOS 18-bit Dual-DAC Manipulator with 4.6μV Precision and 4.1nV/Hz0.5 Noise Co-Integrated with the Single Electron Transistor at 60mK》精度为 4.6μV、噪声为 4.1nV/Hz0.5 的 Cryo-CMOS 18 位双 DAC 操纵器与 60mK 下的单电子晶体管共集成
来源：半导体产业纵横