摘要:据相关信息,美光科技及SK海力士2025年HBM芯片产能已全部售罄,2026年订单分配亦进入谈判阶段。这一事件的核心驱动因素在于AI算力需求的爆发式增长,尤其是大模型训练和推理对高带宽内存(HBM)的依赖度持续提升。HBM作为GPU、AI加速器的核心存储组件,
一、事件分析
据相关信息,美光科技及SK海力士2025年HBM芯片产能已全部售罄,2026年订单分配亦进入谈判阶段。这一事件的核心驱动因素在于AI算力需求的爆发式增长,尤其是大模型训练和推理对高带宽内存(HBM)的依赖度持续提升。HBM作为GPU、AI加速器的核心存储组件,其供需缺口可能贯穿2025全年,并推动相关产业链企业业绩超预期。
二、HBM产业链结构与市场格局
HBM产业链分为上游材料/设备、中游制造、下游应用三部分:
上游:包括TSV(硅通孔)设备、键合材料、封装基板等,代表企业如芯源微(涂胶显影设备)、鼎龙股份(临时键合胶)。
中游:以SK海力士、美光、三星为主导,国内企业如长电科技(封测)、通富微电(HBM样品开发)逐步切入。
下游:英伟达、AMD等GPU厂商及云服务商(如微软Azure、AWS)为主要客户。
关键环节代表公司HBM相关布局存储芯片设计兆易创新、北京君正DRAM/NAND技术储备,HBM研发跟进中材料/设备鼎龙股份、联瑞新材临时键合胶、封装胶、硅微粉等核心材料供应三、供需缺口下的价格与产能动态
需求侧:2025年全球HBM市场规模预计达150亿美元(YoY+200%),单颗GPU搭载HBM容量从H100的80GB提升至B200的288GB。
供给侧:三大原厂(SK海力士、三星、美光)2025年HBM产能利用率接近100%,新增产能集中于2026年释放。SK海力士计划将HBM占总存储收入比重从2024年40%提升至2025年50%以上。
四、国产替代机会与风险
机会:国内企业在封装材料(华海诚科、飞凯材料)、测试设备(精智达)、封测服务(通富微电)等环节实现突破。例如,鼎龙股份临时键合胶已通过客户验证,联瑞新材硅微粉进入HBM供应链。
风险:先进封装技术(如TSV、混合键合)仍依赖海外设备商(如Lam Research),材料纯度要求极高,国产化率不足10%。
五、重点个股分析
公司代码公司名称核心逻辑风险提示688110.SH东芯股份中小容量存储芯片设计商,NOR Flash产品可用于AI边缘计算场景技术迭代滞后于行业头部企业603986.SH兆易创新DRAM自研进展顺利,HBM技术储备中,受益存储芯片涨价周期专利授权依赖美光,HBM量产时间不确定002049.SZ紫光国微FPGA芯片与存储控制器协同,切入AI服务器加速卡市场特种集成电路业务占比高,民用市场拓展受限301308.SZ江波龙企业级SSD模组供应商,数据中心存储需求增长带动业绩毛利率受NAND价格波动影响较大六、板块估值与催化因素
估值水平:存储板块当前PE(TTM)约35倍,处于历史中位数,但HBM相关企业(如封测、材料)存在溢价空间。
短期催化:美光、SK海力士Q2财报超预期(营收同比+38%、HBM收入占比提升至15%)。国产HBM封装材料订单落地(如鼎龙股份获长鑫存储认证)。英伟达GB300系列量产带动HBM3E需求跳升。
七、风险提示
1、技术替代:HBM4或采用逻辑芯片集成方案(如台积电SoIC),可能削弱独立存储芯片需求。
2、地缘政治:美国对华半导体设备/材料出口限制升级,影响国产HBM产能扩张进度。
3、产能过剩:2026年原厂大规模扩产后可能出现价格战。
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来源:看见价值一点号