摘要：三星将在即将举行的国际固态电路会议（ISSCC）上展示新的超过400层3D NAND Flash，接口速度为5.6 GT/s。

12月4日消息，据Tom's hardware报道，三星将在即将举行的国际固态电路会议（ISSCC）上展示新的超过400层3D NAND Flash，接口速度为5.6 GT/s。

报道称，三星的第10代V-NAND保持了TLC（三级单元，或每个单元 3 位）架构，每个芯片的容量为1Tb（128 GB）。三星声称其新的超400层 3D TLC NAND Flash的存储密度为 28 Gb/mm²，仅略低于三星的1Tb 3D QLC V-NAND，后者的存储密度为 28.5 Gb/mm²，是目前世界上存储密度最高的NAND Flash。

当前的一个NAND Flash芯片封装通常拥有8个或16个NAND Flash芯片。这意味着 16 芯片封装将提供高达 2TB 的存储容量，而SSD主板上单面的四个此类封装将支持 8TB 的存储空间，如果是双面八个此类封装，M.2 2280 驱动器上可提供高达16TB的存储空间。（不过，三星已经有一段时间没有创建新的双面贴装8个芯片的SSD，而是选择坚持使用单面设计。）

可以说，三星第10代 V-NAND 最重要的特点是它的接口速度，可以达到5.6 GT/s，明显快于长江存储的 3.6 GT/s。在 5.6 GT/s 时，这相当于大约 700 MB/s，这意味着其中 10 个设备可以使 PCIe 4.0 x4 接口饱和，而 20 个足以使超快的 PCIe 5.0 x4 接口饱和。由于两个 NAND Flash封装中可能有多达 32 个芯片，这已经是 PCIe 6.0 x4 接口上实现最大吞吐量的一半。

三星计划在 ISSCC 10 上推出其第10代 V-NAND，有理由预计该公司也将在明年开始批量生产这种NAND Flash。目前尚不清楚新的NAND Flash何时会进入三星自己的 SSD。通常，新的 NAND Flash解决方案可用于各种零售产品，包括 USB盘、存储卡、SSD、智能手机等。

编辑：芯智讯-林子

来源：芯智讯