摘要：国家知识产权局信息显示，无锡芯卓湖光半导体有限公司申请一项名为“一种LDMOS器件结构及其制备方法”的专利，公开号CN 119789484 A，申请日期为2024年12月。

金融界2025年4月11日消息，国家知识产权局信息显示，无锡芯卓湖光半导体有限公司申请一项名为“一种LDMOS器件结构及其制备方法”的专利，公开号CN 119789484 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明涉及MOS器件技术领域。具体涉及一种LDMOS器件及其制备方法。本发明提供的LDMOS器件包括：半导体衬底层；栅极结构，位于半导体衬底层表面；SAB阻挡层，至少覆盖栅极结构的部分表面；器件介质层；位于器件介质层背向半导体衬底层一侧表面的场板引出导电层和自场板引出导电层向SAB阻挡层延伸并贯穿器件介质层的场板引出导电柱；还包括：薄膜导电层，作为LDMOS器件的场板；薄膜导电层位于SAB阻挡层背向半导体衬底层一侧表面，且连接场板引出导电柱，并被器件介质层包覆；薄膜导电层覆盖SAB阻挡层的面积大于场板引出导电柱在SAB阻挡层的投影的面积。本发明提可解决LDMOS器件的场板加工工艺步骤繁琐的问题。

天眼查资料显示，无锡芯卓湖光半导体有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币，实缴资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡芯卓湖光半导体有限公司参与招投标项目4次，专利信息30条，此外企业还拥有行政许可2个。

来源：金融界