摘要：在全球地缘政治博弈加剧与终端市场需求分化的双重压力下，半导体产业正经历着前所未有的结构性变革。全球晶圆代工行业正进入重组期，人事变动频发，并购传闻不断。与此同时，先进制程技术发展加速，2纳米芯片有望于今年实现量产或试产，预示着半导体技术将迎来新纪元。

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）编译自trendforce

半导体技术将迎来新纪元。

在全球地缘政治博弈加剧与终端市场需求分化的双重压力下，半导体产业正经历着前所未有的结构性变革。全球晶圆代工行业正进入重组期，人事变动频发，并购传闻不断。与此同时，先进制程技术发展加速，2纳米芯片有望于今年实现量产或试产，预示着半导体技术将迎来新纪元。

三星重组晶圆代工部门，增强HBM竞争力

据报道，由于三星电子内部围绕“人员增加”的分歧，三星机构部门已决定将部分人员从晶圆代工（半导体代工）部门调往高带宽存储器（HBM）业务。随着HBM业务的萎缩，下一代HBM的开发迫切需要人员输血，但晶圆代工部门内部“人员流失”的担忧也不容忽视，这加深了人们对三星半导体部门的担忧。

据业界10日报道，三星电子晶圆代工部门曾试图单独选拔和调动那些即使转入HBM业务也能确保量产顺利进行的人才。然而，需要能够立即投入HBM4（第六代HBM）等下一代产品开发和量产的“精英人才”的存储器制造技术中心拒绝了这一请求，从而引发了令人意外的公开招聘。

三星电子的机构部门陷入了困境，因为它不仅被SK海力士超越，而且在HBM3E（第五代HBM）市场上长期位居第三的美光也将其超越。美光紧随SK海力士之后进入了NVIDIA的HBM3E供应链，并且由于收到的NVIDIA订单量超出预期，产能大幅扩张。鉴于三星电子甚至尚未通过HBM3E质量测试，其在HBM3E市场上的结构性优势已被削弱。

三星电子再次遭遇挫折，将其在 DRAM 市场的龙头地位拱手让给了 SK 海力士。市场研究公司 Counterpoint Research 的数据显示，今年第一季度，SK 海力士在 DRAM 市场的份额为 36%，而三星电子则以 34% 的份额位居第二。就在一年前，SK 海力士的市场份额还落后三星电子 10 个百分点以上，但凭借其在 HBM 市场的优势，SK 海力士已经超越了三星电子。

三星电子决心在HBM4上不遗余力，避免重蹈HBM3E的覆辙。HBM4将代工工艺应用于“逻辑芯片”，而逻辑芯片在HBM的运行和处理中扮演着“大脑”的角色。这种方法不仅可以显著提升逻辑芯片的性能，还能实现定制化的HBM生产，以满足客户对设计资产（IP）和应用的需求。与SK海力士和美光不同，三星电子拥有代工加工能力，这使其成为其优势领域。这也是三星电子致力于将熟练的代工人员转移到HBM业务的原因。

两起并购传闻引发行业关注，晶圆代工或迎整合潮

媒体报道指出，晶圆代工领域近期传出两起重大并购动向。其一，格芯（GlobalFoundries）与联华电子（UMC）被曝正就潜在合并进行初步磋商，旨在整合资源形成规模效应，以增强与台积电的竞争力。其二，英特尔与台积电据称已就合资运营美国芯片工厂达成初步共识，或通过技术与产能协同强化本土制造能力。

尽管相关企业均未对传闻发表正式评论，但市场对此反应热烈。行业分析人士指出，战略合作正成为晶圆代工领域的重要发展方向。随着半导体制造成本持续攀升且研发周期不断拉长，企业通过合并或结盟分摊资本开支、降低技术风险的需求日益迫切。此类深度合作或将重构全球晶圆代工市场的竞争版图，推动行业从分散竞争向头部集中化演进。