摘要：A：基于DFT的第一性原理计算是不考虑温度的，默认计算结果是0K下。若要考虑温度，可以采用AIMD进行动力学计算。

Q001：朱老师，VASP是不是不适合高温（800-900℃）反应的计算？

A：基于DFT的第一性原理计算是不考虑温度的，默认计算结果是0K下。若要考虑温度，可以采用AIMD进行动力学计算。

Q002：：朱老师，可不可以使用同一套输入参数同时得到能带和态密度的数据？

A：不可以。态密度的输入参数只能保证计算出的态密度是准确的，不能保证能带的结果是准确的；反之亦然。

Q003：：朱老师，涉及高温反应，是应该学MS吗？

A：基于DFT的第一性原理计算都无法处理高温问题，与软件无关。

Q004：：朱老师，linux的pwd命令是什么意思？

A：当前工作文件夹的绝对路径

Q005：：朱老师，linux中vim编辑模式下如何退出？

A：:q(未作修改直接退出)； :wq(保存修改并退出)；:q!(放弃修改并退出)

Q006：：朱老师，linux中vim编辑模式怎么撤销？

A：u键撤销

Q007：：朱老师，linux中如何强制退出、中止命令？

A：Ctrl+c

Q008：：朱老师，原胞已经结构优化过了，那么放大晶胞后还需要再进行结构优化吗？

A：不需要。VASP计算的时候是考虑周期性边界条件，模型是无限大的，只是计算取的原胞大小不同

Q009：朱老师，请问截断能的选取方法？

A：查看POTCAR中各元素的ENMAX数值，linux命令为：grep “ENMAX” POTCAR。选择ENMAX最高的元素，取ENMAX × (1~1.3) 范围区间内即可。

Q010：朱老师，请问截断能代表什么意思？

A：对应着平面波展开后所取得项数，项数取得越多，对应的截断能越高。

Q011：朱老师，请问LDA+HSE杂化泛函与LDA+U的区别？

A：LDA+U是处理强电子关联体系；LDA+HSE是处理交换关联能。

Q012：朱老师，为什么Fe的POSCAR导入到VESTA中显示的空间群是P1，是不是POSCAR有问题？

A：VESTA中打开POSCAR显示的空间群都是P1，不具有参考意义。

Q013：朱老师，掺杂计算时，如果掺杂元素离子半径大于本征元素离子半径，如何选取掺杂位点？

A：对比直接取代和间隙位掺杂的能量大小，取能量最低的情况作为基态结构。

Q014：朱老师，请问POSCAR中为什么不显示α、β、γ三个基时的角度信息？

A：POSCAR本身不直接显示角度信息，可导出至VESTA中查看。

Q015：朱老师，为什么态密度计算用ISMEAR=-5，即使成倍增加k点，图形也很粗糙，改ISMEAR=0反而很光滑？

A：ISMEAR控制电子在费米面附近的占据数从0到1过渡方式，ISMEAR=0时占据数从0到1过渡较平滑，故图形比较平滑。

Q016：朱老师，请问什么时候选择ICHARG=2，什么时候选择ICHARGE=11进行计算？

A：ICHARG=2是不读取电荷密度信息，初始猜测一个电荷密度信息进行自洽计算，后续计算时会迭代更新，常见于结构优化计算；ICHARG=11是读取CHGCAR进行非自洽计算，CHGCAR不更新，常见于态密度计算。

Q017：朱老师，态密度计算是否需要增加K点？

A：需要。K点网格越密集，计算结果越准确。对于小体系一般K点总数取400个以上；大体系根据计算量可适当调整。

Q018：朱老师，如何构建低掺杂量的模型，以及确定最佳掺杂位点？

A：构建超胞。选取不同掺杂位点对比优化后的能量大小，取能量最稳定的结构。

Q019：朱老师，空位结构和填隙结构如何构建？

A：空位结构可直接在POSCAR中删除对应的原子进行构建。填隙结构需计算原子坐标在POSCAR中手动添加或借助建模软件。

Q020：朱老师，体相结构优化中K点网格选取有什么经验？

A：保证每个方向的K点与晶格常数的乘积为20~30即可

Q021：朱老师，掺杂计算是否也是缺陷计算的一种？

A：是的。

Q022：朱老师，用脚本处理DOSCAR文件之后画图出来，只有单方向的电子轨道，无法区分上旋和下旋？

A：若要区分自旋方向，在态密度计算时需要打开自旋极化开关（ISPIN = 2）。

Q023：朱老师，VASP计算中如何考虑外加电场计算？

A：需在INCAR中设置EFIELD标签，并同时设置LDIPOL = .TRUE.和IDIPOL = 1-3来控制施加电场的方向。

Q024：朱老师，对于包含稀土元素的体系的计算，稀土元素的赝势有多种，应该如何选取？

A：稀土元素赝势种类包括普通赝势Lu和带下划线的赝势Lu_3，带下划线的赝势为不考虑f电子，具体采用那种赝势需要看实际计算需求。

Q025：朱老师，VESTA如何导出晶体结构的XRD数据？

A：以Si单质晶体结构为例，具体操作如下：

【Utilities】→【Power Diffraction Pattern】

【Calculate】

效果图如下

Q026：朱老师，vim编辑模式无法编辑对应文件，弹窗如下：

A：上一次vim编辑INCAR文件未成功保存，自动生成.INCAR.swp文件，再次编辑时会弹窗提醒。解决办法有：在当前模式下根据提示输入【O】以只读模式打开、输入【E】强行编辑、输入【R】恢复文件、输入【D】删除文件、输入【Q】退出该弹窗、输入【A】中止当前操作。还可以在命令行直接输入rm .INCAR.swp后重新vim INCAR即可。

Q027：朱老师，构建吸附模型时，超胞需要构建多大？

A：对于单原子吸附，保证相邻重复单元的吸附原子间距大于15 Å即可，对于复杂吸附模型也可遵循此规则，具体情况具体分析。

Q028：朱老师，计算报警告信息：“WARNING: type information on POSCAR and POTCAR are incompatible”怎么解决？

A：VASP计算开始时读取POSCAR和POTCAR信息，识别出两个文件中对应的原子顺序不一致。解决办法：中止任务，修改POTCAR，调整POTCAR中元素赝势顺序与POSCAR中一致。

Q029：朱老师，计算弹性常数时报错：“VASP internal routines have requested a change of the k-points set. Unfortunately this is only possible if NPAR = number of nodes. Please remove the tag NPAR from the INCAR file and restart the calculations.”

A：删除或注释NPAR和NCORE标签，弹性常数计算时不支持此类标签。

Q030：朱老师，对晶体结构施加静水压强和调整晶格常数可以实现结构压缩，这两种方法有什么区别？通过两种方法算出来的能量数值不一样，以哪个为准？

A：第一种方法施加静水压强需要在INCAR中增加PSTRESS标签；第二种方法直接修改POSCAR，同时在INCAR中设置ISIF=2。两种方法的出发点不同，不存在能量谁更准确一说，一个控制压强，一个控制应变。

Q031：朱老师，计算能带时，能带图是这种锯齿形的，请问是哪里出了问题?

A：锯齿原因是K点太少，增加K点取样再算一遍。

Q032：朱老师，从数据库里面下载的材料是正交的，用VESTA中的矩阵变换可以改成三斜的，这样原子数量降低一半，这样减少计算量的操作是否可行？

A：不推荐人为修改，改变晶格基矢可能会改变材料的整体结构，需要通过扩胞操作来确认修改基矢后的原子排布是否发生变化。

Q033：朱老师，如何获取如图所示的扩散路径图？

A：需要在VESTA中手动添加路径上的原子，具体操作为在VESTA菜单栏点击【Edit】→【Edit Data】→【Structure Parameters】→【New】然后添加对应的原子label和坐标。操作如下：

Q034：朱老师，在命令行输入脚本，无法执行，报错信息为：“command not found”

A：脚本未添加至环境路径中，无法调用。解决办法：将脚本路径添加至环境路径中。

具体操作：

vi ~/.bashrc

添加export PATH=$PATH:/对应脚本路径；

运行source ~/.bashrc或重启窗口即可。

Q035：朱老师，表面模型优化完，为什么表层原子的坐标变化比较大？

A：表层原子会往体相内坍缩一点，这是正常现象。因为表层原子的另一侧没有原子来束缚它

Q036：朱老师，请问注释标签，也就是在前面加#号，是不让相应命令起作用吗？

A：不能理解为不让改命令起作用，#号作用是注释该行，VASP在读取输入设置时会忽略这一行。因为有的参数即使你在INCAR中你不设置，程序也会读取默认的设置。

Q037：朱老师，我下载了一个cif结构文件，但是里面有的位点是多个原子占据，导出为POSCAR后位点只被其中一个原子占据，这样是不是算不了？

A：VASP不能计算带有分数占据的结构文件，所以导出为POSCAR时会自动取整（把位点分配给其中一个元素）。消除分数占据的办法首先需要统计原胞中的位点可不可以平分给多个占据的原子，如两种元素占据一个位点，占据比例为50%，原胞内该位点有两个，则两种元素各分配一个位点（手动修改），即可消除分数占据。假如原胞中的位点无法取整分配，则需要扩胞，如下所示：

面心立方结构中面上的位点被两种元素50%占据，而原胞的重复位点只有一个，无法取整分配，因此需要扩胞增加重复位点，然后进行分配。下面是沿b方向扩一倍后，增加了一个重复位点，此时只需要手动分配就可以了。

扩胞后

手动调整消除分数占据

Q038：朱老师，若用CALYPSO做不同压力下的晶体结构搜索，那后续结构优化和性质计算都在对应的压力条件下进行即可？

A：要加的，保持一样。

Q039：朱老师，电荷密度分布图和文献中看到的ELF图两者的区别是在哪里，画图的话一个用CHGCAR一个用ELFCAR，但是具体分析区别是什么？

A：CHGCAR是电荷分布，ELFCAR是电子局域程度，用来分析价键的

Q040：朱老师，下面的DOS图上下自旋虽然对称，但是有明显能量偏移，说明电子之间作用很强？

A：没有关联，只是有磁性而已。

Q041：朱老师，请问这种报错是因为什么呀？第一次循环都没能进。

A：初始结构可能不合理。

Q042：朱老师，频率计算的前一步的结构优化是不是要很精确？但是真正IBRION=5的那一步并不需要很精确？最近在实验课堂练习，每个计算都好几个小时，完全吃不消，我看网上说，虚频在100cm-1以内可以接受？上课的时候老师说10cm-1以内这个标准太耗机时了

A：结构优化需要比较精确。

Q043：朱老师，请问，如果我需要计算溶剂分子，例如碳酸乙烯酯等这种非晶体的电荷密度，需要怎么建模呢？

A：根据图片中原子的相对位置来计算坐标（粗略计算，还要进行优化）。晶胞大小选取25Å × 25Å × 25Å。

Q044：朱老师，分态密度里面这六列代表什么意思？

A：s轨道上下、p轨道上下、d轨道上下

Q045：朱老师，算出来的能带，价带的位置不在0，这是为什么？

A：费米能级要用dos的，NEDOS=1000以上。

Q046：朱老师，VASP做异质结的结构优化时，INCAR里面设置NSW=300，300步优化完后仍未收敛，怎么解决?

A：增加NSW；检查异质结初始结构是否合理。

Q047：朱老师，我计算了硝酸根在氧化钴上的差分电荷密度，结果很多钴原子上也出现了电子得失云（如图所示），这种现象正常吗？计算的时候打开了自旋，磁矩选择的默认值，采用了DFT+U，给钴设置了U值。

A：不正常。尖晶石结构为反铁磁构型，默认磁矩的设置是不合理的。

Q048：朱老师，我想建一个CoSeP，但是没有找到对应的结构，我找到了CoMnP的结构，而且空间群能对上，我用这个结构改行吧？

A：一般不行，原子坐标不一定一样。

Q049：朱老师，我在用VESTA画差分电荷密度时，导入分电荷密度文件CHGCAR_a相减时报错：“number of data grids in the 3D data sets do not match each other”，怎么解决？

A：可能是CHGCAR_ab、CHGCAR_a、CHGCAR_b三者计算时NGX、NGY、NGZ参数不一致导致。可以在OUTCAR文件中读取这三个参数的值然后在INCAR中统一设置一下。

Q050：朱老师，提交任务后报错原因如下，怎么解决？

A：报错提示为POTCAR和POSCAR不匹配，检查一下POSCAR和POTCAR中的元素是否一一对应。

Q051：朱老师，lobster已经运行15分钟了，还没有结束，是什么原因呢？

A：原子多，算的比较慢。

Q052：朱老师，我用pbe和koga基组算到abs.charge spilling>5%，但是我又有z>54的元素，所以不能用bunge基组，程序强制执行koga基组，这时候该怎么办？

A：没办法，就3个基组可用。可以尝试用basisfunction把前三个元素的d轨道去掉。

Q053：朱老师，我将这些脚本文件复制到我自己的超算云后，怎么将他们变成脚本？（我复制过去后是黑色的，怎么将它们变成绿色）

A：把脚本放到环境变量路径里，然后添加可执行权限：chmod +x （你的文件）

Q054：朱老师，计算d带中心可以判断吸附能力吗，一般是什么规律？

A：d带中心降低，吸附减弱。

Q055：朱老师，VASP的AIMD可以算溶剂分子相互作用吗？

A：可以计算。构建一个盒子，在盒子里面放入溶剂分子，可以计算溶剂分子结构，局部配位环境等，无法计算电荷。

Q056：朱老师，自洽计算可以读取结构优化的稳定结构、电荷密度和波函数吗？

A：自洽计算必须读取上一步结构优化得到的稳定结构，电荷密度和波函数可读取也可不读取。

Q057：朱老师，VASP可以算HOMO和LUMO吗？

A：可以，结构优化完算一次自洽计算即可得到，读EIGENVAL文件。

Q058：朱老师，如果原子层数三层以上的话，扩到到15埃后，有的体系原子数都达到七八十了，感觉不好算了。

A：七八十个原子的体系算是比较小的体系，不存在不好算的问题。

Q059：朱老师，我算单胞成功了，但是扩建超胞后，使用同样的条件算，电子一开始迭代就报错，已经将amix改成0.2了，还是没有用，请问问题有可能出在哪里？

A：在POSCAR的基础上进行扩胞操作；修改ALGO参数，尝试Fast和VeryFast。

Q060：朱老师，请问三维体系是否可以通过计算表面能来表示扩散能垒呢？

A：不能，表面能和扩散势垒表示的物理意义不一样，不能混为一谈。

Q061：朱老师，VASP的AIMD可以算溶剂分子相互作用吗？

A：可以计算。构建一个盒子，在盒子里面放入溶剂分子，可以计算溶剂分子结构，局部配位环境等，无法计算电荷。

Q062：朱老师，自洽计算可以读取结构优化的稳定结构、电荷密度和波函数吗？

A：自洽计算必须读取上一步结构优化得到的稳定结构，电荷密度和波函数可读取也可不读取。

Q063：朱老师，VASP可以算HOMO和LUMO吗？

A：可以，结构优化完算一次自洽计算即可得到，读EIGENVAL文件。

Q064：朱老师，如果原子层数三层以上的话，扩到到15埃后，有的体系原子数都达到七八十了，感觉不好算了。

A：七八十个原子的体系算是比较小的体系，不存在不好算的问题。

Q065：朱老师，我算单胞成功了，但是扩建超胞后，使用同样的条件算，电子一开始迭代就报错，已经将amix改成0.2了，还是没有用，请问问题有可能出在哪里？

A：在POSCAR的基础上进行扩胞操作；修改ALGO参数，尝试Fast和VeryFast。

Q066：朱老师，请问三维体系是否可以通过计算表面能来表示扩散能垒呢？

A：不能，表面能和扩散势垒表示的物理意义不一样，不能混为一谈。

Q067：朱老师，请问如果是自建分子例如EC、PC这种溶剂分子，需要用ISIF等于2还是3？并且我自己计算的有机分子的态密度非常奇怪，什么原因？

A：用ISIF=2来计算。类似能带、态密度等计算主要针对的是周期性晶体结构，对于有机分子这类非晶结构，态密度算出来奇怪也是正常的。

Q068：朱老师，加范德华力计算的话，即使没有吸附分子，能量也和不加范德华力时计算的差别很大，是不是需要计算的所有结构都加同样的范德华力？

A：全部都要加。

Q069：朱老师，怎么确定体系是否需要加范德华力作用呢？

A：对于范德华力起主导作用的体系，如层状材料、吸附体系等，范德华力一定要加；范德华不占主导作用的体系范德华力可加可不加。为了方便，建议计算都加上范德华力，避免频繁修改参数。

Q070：朱老师，AIMD的给的结构也是先需要结构优化的么？

A：NVT系综下，对晶格常数有要求的体系可以先结构优化。其他情况下可直接进行AIMD模拟。

Q071：朱老师，对于AIMD，SMASS一般是怎么测试的？ISYM=0可以吗？

A：对于NVE系综，SMASS=-3；对于NVT系综，SMASS取0~0.3。ISYM=0是移除部分对称性，ISYM=-1是完全移除对称性。对于AIMD计算，ISYM设置成-1。

Q072：朱老师，使用CINEB计算过渡态INCAR中为什么设置POTIM=0，这样不是原子不会动了吗？

A：CINEB方法使用IOPT参数来控制优化，IOPT与POTIM不兼容。如果使用VTST的CINEB方法来计算过渡态，则需要设置POTIM=0，IOPT可选1,2,3,4,7

Q073：朱老师，计算过渡态一般中间差值几个点比较合适？

A：需要测试。判断标准为：过渡态的个数一致、过渡态的能量数值相似、扩散原子的位置相似。

Q074：朱老师，NEB计算过渡态的插值个数有奇偶数的讲究，有这回事吗？

A：没有。插值个数是奇数还是偶数最后都能算出过渡态，区别在于画出来的图，过渡态两侧的点是否对称。

Q075：朱老师，每次结构优化都要计算虚频吗？

A：不需要，虚频计算这里是针对过渡态计算，用来判断是否为唯一的过渡态。

Q076：朱老师，文献中常见的T相和H相有特定的空间群嘛？还是比如，只要结构像截图上的T相就说是T相？

A：空间群分别是p63/mmc和p-3m1。

Q077：朱老师，如果想计算锂离子在水分子和有机苯环小分子共预插层层状二维材料模型的扩散路径和能垒是不是比案例麻烦很多，有什么注意事项吗？

A：需要找准Li离子的稳定占位。

Q072：朱老师，“cp ../diffbsi15/{INCAR,JOB} .”，请问一下，这个语句当中{}是什么意思呢？是表示同时将这两个文件打包复制过来当前路径吗？

A：是的

Q073：朱老师，请问如下报错原因怎么解决？

A：在INCAR中增加SYMPREC = 1E-6。

Q074：朱老师，请问关于虚频的存在，算过渡态应该是有且只有一个吧？而结构优化，如果稳定的话应该是一个都没有吧？如果有一个及其以上就是说明结构不稳定，是建模有问题吗？

A：过渡态可以不止一个，结构优化不会有虚频。

Q075：朱老师，吸附能和形成能是一回事，这个该怎么理解呢？

A：吸附能和形成能是一回事情，说明化学反应能否自发进行。

Q076：朱老师，找吸附位点都是在顶位，桥位和中心位找么，还有其他位置可以选择么？

A：对于周期性体系，一般的特征位点也就这几个，人为的去构造特殊位点，最后优化后的结果也可能会是这三个位点中的一个。

Q077：朱老师，如果虚频通过调整原子位置的方法消除之后还是有，该怎么办呢？怎么调整后续参数？

A：过渡态的虚频原则上可以消除的，但是如果是结构不稳定而产生的虚频是无法消除的，要区分开。

Q078：朱老师，电子自洽计算报错：“BRMIX very serious problems the old and the new charge density differ”，怎么解决？

A：波函数可能有问题，把ISTART设置为0试试。

Q079：朱老师，对于NMC811材料，如果扩胞小于八倍的话（比如3），镍钴锰的分配总会多出一些钴（比如扩胞3倍，27个钴被替换为16个镍，2个錳，2个钴后，还余7个钴），那多出来的这7个钴怎么办呢？另外，vasp可以做虚晶计算吗（比如某一个钴由镍或者錳分数占位）？

A：对于固定配比的材料，只能进行足够的扩胞来满足相应的比例。VASP不能进行虚晶计算，即VASP不能计算分数占据。

Q080：朱老师，请问下做振动频率计算的时候，为什么要把优化最大步数NSW改为1呢？

A：因为振动频率计算时不需要做结构优化，但NSW设置成0又会覆盖掉IBRION=5，所以设置成1即可。

Q081：朱老师，想问一下电催化计算过氧化氢能量的时候，同样也算查热力学计算表么，和水一样是要取液态 0.035大气压下的吗？

A：正常查表就行了。

Q082：朱老师，VASP能够计算异质结的形成能及键长键角这些信息吗？

A：可以计算，VASP计算可以得到计算体系的能量信息以及结构信息（晶格常数、键长、键角等）。

Q083：朱老师，计算的结果收敛且能解释实验结果就足够放论文里了吗？

A：前提是模型建立的合理，计算过程没有问题，数据处理也是符合常规的，这样的结果就是可信的。

Q084：朱老师，Hartree-Fock理论如果考虑了电子交换能，最后得到的结果和密度泛函理论一样吗？

A：有区别。Hartree-Fock理论是真实的交换能，密度泛函理论是近似的交换能；Hartree-Fock理论不考虑关联能，密度泛函理论考虑关联能。

Q085：朱老师，HSE06这种方式计算后，我看文章里面都会谈到其考虑了自旋轨道耦合，难道就是在前面LSORBIT那儿进行的设置吗？

A：分开考虑。

Q086：朱老师，怎么选择materila project 里的哪种空间群对应的cif。

A：首先找到实验样对应的PDF卡片，PDF卡片有对应的空间群信息，然后再下载对应空间群的cif就行了。

Q087：朱老师，可不可以利用结构精修后的模型进行后面的计算吗？

A：是否精修对于计算来说没有区别，任何结构拿来计算都要进行结构优化。

Q088：朱老师，结构优化之后就是说理论上比原结构更稳定吗？

A：结构优化过程是释放了结构的应力，从能量上看是要比优化前的结构更稳定

Q089：朱老师，想问一下，那种百分之几甚至千分之几的掺杂，该怎么处理呀？

A：计算来说很难满足这种比例的微量掺杂，或者说必须要构建非常大的模型，这样对于计算来说是不现实的。可以转换一下思路，定性研究一下有无掺杂对体系的影响。

Q090：朱老师，掺杂和吸附有什么区别呢？

A：掺杂一般是指的体相内，吸附一般指的是在表面模型上吸附原子或分子。

Q091：朱老师，现在这个体系钠掺杂替换Mg，电中性被破坏了，这个问题计算的时候如何考虑呀？

A：VASP计算会自动中和价态使得体系保持电中性，不需要额外设置

Q092：朱老师，有机分子晶体优化时，是使用物理晶胞，还是使用初级晶胞。物理晶胞很多原子会出现在晶胞外。

A：VESTA软件显示问题，实际上原子都在晶胞内。

Q093：老师，VASP官网上有一个Si晶格常数优化的例子，修改POSCAR中的比例系数，这和INCAR设置ISIF=3进行结构优化得到的晶格常数有区别吗？

A：没有实质性的区别，官网例子是控制变量（晶格常数）来进行优化测试，用ISIF=3是全放开优化，两种方法最后优化出来的结果应该差不多。如果只是想得到稳定的结构，用ISIF=3优化是比较省心，效率比较高的方法。

Q094：朱老师，晶格匹配失配度大概多少就行了呢？有经验的信息吗？

A：一般控制在5%以下就可以了。

Q095：朱老师，间接带隙和直接带隙可以从dos中获得吗？

A：不能，需要计算能带后读取。

Q096：朱老师，为什么晶体库网站里面有的金属氧化物给的参考的DOS 有的是只给了一半的正的，有的又是给了向上和向下的呢 只给正的代表向上和向下一致吗？

A：两种情况，一种是计算时没有考虑自旋（ISPIN=1），算出来的结果就只有向上的态；另一种情况是计算是考虑自旋（ISPIN=2），但是算出来的体系没有磁性，故自旋向上和自旋向下的电子态是对称的，所以绘图的时候可能只画了一半。

Q097：朱老师，有效质量跟晶胞的方向有关么？

A：有。有效质量是各向异性的。

Q098：朱老师，电子和空穴的有效质量有关系么？

A：没有关系。

Q099：朱老师，请问DFT是不是也叫第一性原理；量子化学也叫HF；然后这两种方法都叫从头计算？

A：没啥区别，从头算一般指DF和量子化学，第一性原理指密度泛函。

Q100：朱老师，您好，我在计算晶格结构时出现了报错，但我不知道怎么处理？

A：结构有问题，电荷迭代不正常了，一般不会提示能带不够。可以尝试修改一下ALGO=VeryFast或Fast。

Q101：朱老师，含有Fe, Co, Ni的氧化物，计算时磁矩都要考虑吗？

A：需要考虑。

Q102：朱老师，带扭转角的二维材料能用VESTA建模吗？

A：原则上任何结构都可以构建，只要会修改相应的原子坐标。

Q103：朱老师，请问在选择赝势时，有的元素有好几个赝势，我该怎么选择呢？

A：优先使用只含元素名的普通赝势（如Mn），然后考虑_sv或者_pv后缀的赝势（如Mn_pv）。

Q104：朱老师，讲fcc结构与hcp结构组合形成双层膜时，他们的面不匹配，怎么解决？

A：首先，不匹配就没法构成异质结。其次，可以选择其它晶面或者转换基矢角度来进行匹配，关键要看失配率是否可以控制在5%一下。

Q105：朱老师，请问怎么控制淬火速度或者加热速度？

A：变化速率与NSW、TEBEG和TEEND有关。NSW越大，变温速率越慢；反之，越快。

Q106：朱老师，VASP里或者说晶体里有没有专门针对塑性进行计算的，还是说，塑性和弹性是相对的，就是通过弹性进行说明的。

A：塑性建议用经典分子动力学，VASP现阶段没有这项功能。

来源：华算科技