摘要：早于2004年，英特尔率先提出DrMOS技术，以进一步实现降低损耗，实现高效节能。传统供电设计中，上下行MOSFET和驱动IC独立放置，不仅占用大量空间，还会因寄生参数降低转换效率，尤其对高功率需求的CPU和GPU影响严重。DrMOS将驱动器和MOS集成一体，

前言

早于2004年，英特尔率先提出DrMOS技术，以进一步实现降低损耗，实现高效节能。传统供电设计中，上下行MOSFET和驱动IC独立放置，不仅占用大量空间，还会因寄生参数降低转换效率，尤其对高功率需求的CPU和GPU影响严重。DrMOS将驱动器和MOS集成一体，大幅减小寄生参数影响，占板面积仅为传统设计的四分之一，显著提升了转换效率和功率密度。

如今，DrMOS技术已广泛应用于PC主板、服务器主板、笔记本电脑和显卡等领域。它凭借高度集成的特性，为高功率供电应用提供了更高效、更稳定的解决方案，有效提升了设备的整体性能和可靠性，推动了电子设备向高性能、小型化和节能化方向发展。

目前，充电头网基于以往案例了解到，万国半导体、晶丰明源、杰华特等多家厂商分别推出了多款DrMOS，下文小编将为您详细介绍。

AOS万国半导体

AOZ5507QI

AOZ5507QI是一款高效率的同步降压功率级模块，最高支持80A持续电流，它由两个不对称的 MOSFET 和一个集成驱动器组成。这些 MOSFET 分别针对同步降压配置进行了优化。高边 MOSFET 经过优化，能够实现低电容和低栅极电荷，从而在低占空比操作下实现快速开关。低边 MOSFET 具有超低导通电阻，以尽量减少导通损耗。

AOZ5507QI使用PWM输入来精确控制功率MOSFET的开关活动，与 5V（CMOS）逻辑兼容，并支持三态 PWM。AOZ5507QI 提供了多种功能，使其成为一个高度通用的功率模块。驱动器中集成了自举开关。低边MOSFET可以被驱动进入二极管仿真模式，以提供异步操作并提高轻载性能。此外，引脚布局也针对低寄生效应进行了优化，将这些效应降至最低。

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BPS晶丰明源

BPD80350E

晶丰明源推出BPD80350E是一颗16V/50A智能功率级DrMOS，基于过零电流检测（ZCD）控制与先进封装技术，实现高频高效能电源管理。该器件支持NVIDIA OpenVReg16标准，可灵活配置16相双轨多相控制器，兼容PWMVID/PMBUS/AVSBUS协议，并通过NVM存储实现多模式参数预设。内置智能保护机制包含周期性过流检测、MOSFET短路保护及过温关断功能，同时提供引脚可编程过流阈值与故障指示输出，强化系统可靠性。

该芯片采用TLGA 5×5紧凑封装，适配空间受限的高密度电源场景（如AI加速卡、GPU供电模块），功率密度较传统方案提升30%以上。其高频开关特性结合多相动态分配算法，可有效降低纹波噪声，满足高性能计算设备对瞬态响应与能效的严苛需求，为智能电源系统提供高集成度、强鲁棒性的硬件解决方案。

JOULWATT杰华特

JWH7030

杰华特JWH7030是一颗集成功率级芯片，内部集成两个NMOS和半桥栅极驱动器，芯片可以提供30A的输出电流，将驱动器和MOS管集成能够优化死区时间和降低集成电感，支持100KHz-1.5MHz开关频率。芯片支持三态PWM信号，内部集成电流采样输出VCC欠压保护，逐周期过流保护和过热保护，并具备失效指示，采用QFN3*5-21封装。

JWH7067

杰华特JWH7067是一颗集成功率级芯片，内部集成两个NMOS和半桥栅极驱动器，支持3-16V输入电压，具备70A输出电流能力。将驱动器和MOS管集成，提供了高效的低电压输出，专为CPU，GPU和内存设计。芯片支持100KHz-1.5MHz开关频率。芯片具备逐周期过流保护，欠压保护，芯片温度报告和温度保护，支持三态PWM信号，具备失效指示，采用TLGA5*6封装。

JWH7069

杰华特JWH7069是一颗集成功率级芯片，内部集成两个NMOS和半桥栅极驱动器，支持3-16V输入电压，具备90A输出电流能力。将驱动器和MOS管集成，提供了高效的低电压输出，专为CPU，GPU和内存设计。芯片支持300KHz-1.5MHz开关频率。芯片具备逐周期过流保护，欠压保护，芯片温度报告和温度保护，支持三态PWM信号，具备失效指示，采用TLGA5*6封装。

MERAKI茂睿芯

MK6850

茂睿芯正式量产其最新90A智能功率级产品MK6850，该芯片集成了两颗超低导通电阻的SGT MOSFET和高性能驱动芯片，采用多晶圆封装技术和业界标准的5mm×6mm QFN封装，大幅提高了功率密度和热管理性能。经过严格测试，MK6850展现出高可靠性、高效率和高精度IMON上报等优势，在典型工况下实现了94.7%的峰值效率，并确保产品在高负载条件下的稳定性。

MK6850专为AI服务器、数据中心及高性能计算设备设计，具备峰值逐周期限流、负电流保护和BOOT电容自动刷新等多重保护功能，可为CPU、GPU等算力芯片提供高精度电流上报，提升系统性能并降低能耗。其设计完全兼容主流多相控制器，已通过多平台验证，表现优异，在静态电流与动态负载测试中达到行业领先水平。

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MPS芯源半导体

MP87993

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Renesas瑞萨

ISL99380

瑞萨ISL99380是一颗80A输出的功率级模组，芯片内部集成高精度电流检测和温度检测。内置完善的保护功能，包括上管短路和过电流保护，智能反向过电流保护，过热保护和供电欠压闭锁，采用QFN5*6封装，适用于CPU、GPU以及ASIC供电。

该系列DrMOS与瑞萨数字 PWM 控制器结合使用时，可实现精确的系统级电源管理，并为基于负载线的稳压器提供同类最佳的瞬态响应。这些器件省去了典型的DCR检测网络和相关热补偿元件，从而简化设计。同时该芯片还通过集成故障保护功能（包括 HFET 过流、HFET 短路、智能反向过流 (SROCP)、过温 (OTP) 和 VCC 欠压锁定 (UVLO)）提高了系统性能和可靠性。

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Vishay威世

SiC654

威世SiC654是一款高频集成功率级芯片，针对同步降压应用进行了优化，可提供高电流、高效率和高功率密度。该芯片采用威世专有的MLP 5×5封装，能够提供高达50A的连续电流输出。

SiC654内部MOSFET采用了威世最新的TrenchFET技术，能够显著降低开关损耗和导通损耗。该芯片还内置了一个MOSFET栅极驱动集成电路，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举开关以及开发者可选择的零电流检测功能，以提高轻载效率。该驱动器还广泛兼容市面PWM控制器，支持三态PWM，并且支持5伏/3.3伏PWM逻辑。此外，该设备还支持PS4模式，以降低系统处于待机状态时的功耗。同时，该芯片提供工作温度监测、保护功能以及警告标志，以增强系统监测和可靠性。

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充电头网总结

早在十几年前，搭载DrMOS的PC主板便面世，其仅用5项供电便能达到以往多项供电的功率，有效避免了因多项供电造成的单项效率过低的问题，成为PC装机历史上的一段佳话。如今，DrMOS在PC主板、显卡等产品中依旧不可替代，堪称高端主板和显卡的象征。

相比传统分立MOS管的方案，DrMOS将驱动器和MOS管集成，具有更佳的散热性能和更强的电流能力，能够充分满足高端核心的供电需求。而随着技术的不断进步，如今氮化镓也加入了DrMOS的阵营。这一融合不仅充分简化了氮化镓在低压应用中的复杂性，使其可以像常规DrMOS一样便捷使用，还进一步拓展了其应用场景，广泛应用于主板CPU供电、显卡GPU供电等关键领域。同时，它还支持多种电路拓扑，能够充分满足大功率小体积的严苛需求，为高端硬件的持续发展提供了更强大的动力支持。

来源：充电头网