摘要：由于来自国内DRAM厂商的竞争压力越来越大，三大内存原厂三星、SK海力士和美光都在考虑调整2025年的生产策略，可能会逐步停产DDR3和DDR4内存，并将产能转移到利润更高的DDR5和HBM产品上。

此前有报道称，由于来自国内DRAM厂商的竞争压力越来越大，三大内存原厂三星、SK海力士和美光都在考虑调整2025年的生产策略，可能会逐步停产DDR3和DDR4内存，并将产能转移到利润更高的DDR5和HBM产品上。

据相关媒体报道，三星已告知客户，多款1y nm（第二代10nm级别）工艺制造的DDR4即将停产，包括8/16GB的DDR4 SODIMM/UDIMM产品，另外还有1z nm（第三代10nm级别）工艺制造的8Gb LPDDR4也将逐步停产，进入EOL阶段。三星要求客户6月前完成下单，预计10月至12月之间完成出货。

有业内人士表示，目前中低端智能手机所采用的LPDDR4很大部分订单已经被长鑫存储（CXMT）拿走，导致三星将资源投向LPDDR5以上的高端内存产品。1z nm工艺制造的DDR4产量也在快速减少，预计2026年也会进入EOL阶段。由于ODM/OEM厂商仍然有DDR4的需求，华邦电子和南亚科技打算填补三星留下的市场空缺。

有消息称，国内DRAM厂商也在推进高端存储产品的开发，预计2026年至2027年左右推出国产HBM3及HBM3E产品。由于来自国内DRAM厂商的激烈竞争及美国关税政策带来的风险增加，全球不少DRAM和NAND闪存厂商在资本支出方面仍然保持谨慎。

来源：超能网