摘要：国家知识产权局信息显示，亿芯微半导体科技（深圳）有限公司申请一项名为“一种芯片电磁兼容性分析方法、装置及设备”的专利，公开号CN119881506A，申请日期为2025年3月。

金融界2025年4月29日消息，国家知识产权局信息显示，亿芯微半导体科技（深圳）有限公司申请一项名为“一种芯片电磁兼容性分析方法、装置及设备”的专利，公开号CN119881506A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本发明涉及数据处理的技术领域，提供了一种芯片电磁兼容性分析方法、装置及设备，包括对芯片的电磁辐射数据进行多维度采集，得到时域电磁信号数据、频域电磁信号数据以及空间电磁分布数据后，构建芯片的电磁干扰影响矩阵并进行分解，得到电磁干扰源分布信息和干扰传播路径信息后构建芯片的电磁兼容性动态演化序列并进行分析，计算芯片的电磁稳定性参数和电磁敏感度参数；利用芯片的电磁稳定性参数和电磁敏感度参数对电磁干扰影响矩阵进行分析，基于分析结果生成电磁兼容性评估结果。通过上述方案，改善无法全面捕捉不同电磁信号与芯片内部组件之间的复杂交互，进而导致测试结果与实际操作环境中的性能存在差异，出现引发干扰和操作失败的问题。

天眼查资料显示，亿芯微半导体科技（深圳）有限公司，成立于2018年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1691.708177万人民币。通过天眼查大数据分析，亿芯微半导体科技（深圳）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息20条，此外企业还拥有行政许可5个。

来源：金融界