摘要：近日，英特尔的2025年度Direct Connect大会在加州的圣荷塞召开，这个会主要是用来介绍晶圆代工业务的最新进展。本次大会，英特尔例行展示了工艺技术路线图，特别提到了18A后续的14A工艺和18A衍生工艺。新任首席执行官陈立武在本次大会上也强调了英特尔
近日，英特尔的2025年度Direct Connect大会在加州的圣荷塞召开，这个会主要是用来介绍晶圆代工业务的最新进展。本次大会，英特尔例行展示了工艺技术路线图，特别提到了18A后续的14A工艺和18A衍生工艺。新任首席执行官陈立武在本次大会上也强调了英特尔代工厂（Intel Foundry）的未来发展方向，重点介绍了工艺技术的突破、先进封装方案的扩展以及与行业伙伴的紧密协作。
英特尔14A工艺是本次大会的核心亮点之一。该工艺已进入早期测试阶段，计划会在2026年下半年实现量产。14A采用第二代背面供电技术PowerDirect（升级自PowerVia），通过直接为晶体管提供电源触点，优化了能效和性能表现。相比传统正面供电设计，PowerDirect将电源线移至晶圆背面，减少了信号干扰，提升了晶体管密度和电路效率。英特尔表示，14A将率先采用ASML的高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）设备，进一步缩小特征尺寸，提高芯片性能。英特尔已在俄勒冈州的D1X工厂部署了两台High-NA EUV设备，并计划在14A生产中同时使用高低NA光刻技术，用来平衡成本和精度。此外，14A还将延续英特尔的第二代RibbonFET全环绕栅极（GAA）晶体管架构，相较于传统FinFET设计，这种架构能更精确地控制电流，降低漏电并提升晶体管密度。英特尔声称，14A在性能功耗比上将提升15-20%，功耗降低25-35%，晶体管密度增加约1.3倍。这些技术优势使英特尔在背面供电技术上领先台积电约两代，为其在高端芯片市场竞争奠定了技术基础。
与此同时，英特尔进一步扩展了18A工艺家族，推出了18A-P和18A-PT两款衍生工艺。18A-P为性能导向型工艺，相较原始18A节点，其性能增益更高，适合高性能计算和客户端设备。18A-PT则引入了Foveros Direct 3D混合键合技术，支持小于5微米的互连间距，优于台积电SoIC-X的9微米间距。这种高密度、低电阻的3D堆叠技术使英特尔能够开发类似于AMD Ryzen X3D的处理器架构，通过垂直堆叠多个芯片提升性能和带宽效率。18A-PT将用于下一代Clearwater Forest Xeon服务器处理器，为数据中心提供更高的计算密度和能效。英特尔透露，18A工艺已进入风险生产阶段，计划于2025年底实现大批量生产（HVM）。首批采用18A的产品包括Panther Lake AI PC客户端处理器和Clearwater Forest服务器处理器，按计划是2026年初量产。英特尔还表示，18A的工艺设计套件（PDK）1.0版本已向客户开放，外部客户将在2025年上半年完成首批芯片流片。
英特尔的先进封装技术也是大会的重点展示内容。英特尔在2.5D和3D封装领域持续创新，推出了多种解决方案以满足客户端和数据中心的需求。EMIB（嵌入式多芯片互连桥）2.5D技术通过硅桥实现逻辑芯片与高带宽存储器（HBM）的低成本高效连接，已于2017年量产。升级版EMIB-T加入了硅通孔（TSV）技术，支持更灵活的IP集成。Foveros系列则涵盖了多种2.5D和3D封装方案，其中Foveros-S 2.5D针对客户端应用优化，采用4x标线的硅中介层，自2019年起量产；Foveros-R和Foveros-B 2.5D预计2027年投产，分别通过重分布层（RDL）和硅桥结合，满足复杂异构集成需求；Foveros Direct 3D则利用铜-铜混合键合界面，提供超高带宽和低功耗互连，适用于高性能计算场景。此外，英特尔推出了EMIB 3.5D封装，结合EMIB和Foveros技术，能够在一个封装中集成多个3D堆栈。其代表性应用是英特尔数据中心GPU Max系列SoC，拥有超过1000亿个晶体管、47个活动模块和5个工艺节点，成为英特尔迄今最复杂的异构芯片。
英特尔代工厂的生态系统建设同样也取得了一些进展。英特尔与Synopsys、Cadence、Siemens、Ansys等EDA（电子设计自动化）和IP供应商深化合作，确保其工艺节点与行业标准无缝对接。这些合作伙伴已验证了针对18A和14A的工具和设计流程，支持客户加速芯片设计。此外，英特尔与Arm合作推出了“新兴企业支持计划”，为基于Arm架构的系统级芯片（SoC）提供代工服务，包括IP支持、制造能力和资金援助，助力初创企业创新。英特尔还吸引了包括微软、NVIDIA、Broadcom和Faraday在内的多家ASIC客户采用18A工艺，其中微软计划使用18A生产自研芯片。客户对18A芯片的早期采样结果表示满意，认为其性能和可靠性超出预期。
英特尔的18A工艺与台积电的N2（2纳米）工艺直接对标。英特尔凭借PowerVia背面供电技术和RibbonFET GAA晶体管，在能效和面积效率上占据优势。相比之下，台积电的N2预计2025年量产，背面供电技术则要到2026年的N2P工艺才会引入。英特尔预计，18A将在性能功耗比和生产成本上超越N2，有望为其赢得更多代工订单。而14A工艺的推出进一步巩固了英特尔的长期竞争力，到2027年后，英特尔将通过14A-E（功能扩展版）实现更广泛的应用场景覆盖。
同时，英特尔正在探索浸没式液冷技术，目标到2030年支持2000W TDP芯片的散热需求。此外，英特尔计划在2027年引入玻璃基板技术，进一步提升封装性能和信号完整性。
英特尔代工厂的目标是到2030年成为全球第二大晶圆代工厂，当前预期交易价值已超过150亿美元。凭借14A和18A工艺的突破、先进封装技术的多样化以及生态系统的完善，英特尔正在加速追赶台积电和三星的步伐。Direct Connect 2025大会展示了英特尔的技术实力，为科技爱好者提供了窥见下一代芯片制造技术的窗口。但是最终的结果，还需要时间来证明。
来源：新数迷一点号
