朗姆研究公司取得在 3D NAND 结构上的原子层沉积专利

摘要：金融界 2025 年 5 月 9 日消息，国家知识产权局信息显示，朗姆研究公司取得一项名为“在 3D NAND 结构上的原子层沉积”的专利，授权公告号 CN113424300B，申请日期为 2019 年 12 月。

金融界 2025 年 5 月 9 日消息，国家知识产权局信息显示，朗姆研究公司取得一项名为“在 3D NAND 结构上的原子层沉积”的专利，授权公告号 CN113424300B，申请日期为 2019 年 12 月。

来源：金融界

标签： nand 专利原子层沉积朗姆原子层沉积专利

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