摘要：电子发烧友网报道（文/黄晶晶）高带宽存储HBM因数据中心、AI训练而大热，HBM三强不同程度地受益于这一存储产品的营收增长，甚至就此改变了DRAM市场的格局。根据CFM闪存市场的分析数据，2025年一季度，SK海力士凭借在HBM领域的绝对优势，终结三星长达四十

电子发烧友网报道（文/黄晶晶）高带宽存储HBM因数据中心、AI训练而大热，HBM三强不同程度地受益于这一存储产品的营收增长，甚至就此改变了DRAM市场的格局。根据CFM闪存市场的分析数据，2025年一季度，SK海力士凭借在HBM领域的绝对优势，终结三星长达四十多年的市场统治地位，以36.7%的市场份额首度登顶全球DRAM市场第一。

当前国际存储大厂转向更多投资HBM、并逐步放弃部分DRAM产品的产能，叠加关税出口等这些因素对存储的后续市场产生影响。

CFM闪存市场指出，从2024年SK海力士与三星在DRAM上的差距就已经开始减小，在4Q23和1Q24他们还保持有11%的份额差距，而到4Q24已经减小到1%；与之相对应的是，在HBM市场份额上，SK海力士与三星从最初的几乎五五分，到2025年一季度已经扩大到两倍以上的差距。

另一方面，HBM市场渗透率已经从2023年的9%翻倍跃升至2024年的18%。经历数代的HBM产品演进，当前SK海力士、美光、三星主要聚焦于HBM3E的竞争，预计到2025年随着这三家存储厂商HBM4量产落地，HBM产品在全部DRAM产业中的占比将接近30%，市场将达到2880亿Gb当量，并且在服务器内存消耗方面，其应用还在持续增长。

SK海力士2025财年第一季度财报显示，公司2025财年第一季度结合并收入为17.6391万亿韩元，营业利润为7.4405万亿韩元，净利润为8.1082万亿韩元。2025财年第一季度营业利润率为42%，净利润率为46%。公司本季度的收入和营业利润是在继前一季度创下历史最高业绩后，达到了第二高的业绩水平。营业利润率环比改善了1个百分点，增至42%，并以连续八个季度呈现出稳健上升趋势。

SK海力士表示：“第一季度，受人工智能开发竞争加剧和库存补充需求等影响，存储器市场情况改善速度显著快于预期。顺应这一趋势，公司扩大了12层HBM3E、DDR5等高附加值产品的销售。”

SK海力士认为，全球不确定性加剧，导致需求前景的多变性增加。为满足客户要求，公司决定加强与供应链的协作。

公司针对HBM需求，因其产品特性，通常需要提前一年与客户进行供应量协商。预计今年该产品将持续保持同比增长约一倍。因此，12层HBM3E的销售将稳步增长，预计在第二季度其销售将占整个HBM3E比重的一半以上。

财报显示，2024年三星电子公司实现收入300.9万亿韩元 （约1.52万亿元人民币），同比增长16%；而归母净利润则飙升至33.6万亿韩元 （约1692.43亿元人民币），同比增长131%。其中，三星内存业务成为主要增长引擎，销售额达84.5万亿韩元，同比增长91%，HBM及DDR5产品贡献显著。

三星电子Q1存储营收为19.1万亿韩元(约合133.8亿美元)，环比减少17%，同比增长9%；存储业务所在的DS部门Q1经营利润为1.1万亿韩元(约合7.7亿美元)，环比减少62%，同比减少42%。

对于存储业务，三星表示，营收同比实现增长主要得益于服务器 DRAM 销售的扩大以及市场价格触底反弹下满足了额外的NAND需求。然而，由于平均售价（ASP）下降、AI 芯片出口管制和对即将推出的增强型 HBM3E 产品需求延迟导致HBM 销售下降，从而影响了整体盈利。

SK海力士表示，从今年第一季度开始，公司向部分PC领域客户供应面向人工智能PC的高性能存储器模块LPCAMM2。LPCAMM2（Low-Power Compression Attached Memory Module 2）是基于LPDDR5X的模组解决方案产品，其性能表现相当于两个现有DDR5 SODIMM的性能水平，同时能够有效节省空间，且具备低功耗、高性能特性。

同时，公司也计划与客户紧密合作，在需求正式启动时，及时供应面向人工智能服务器的低功耗DRAM模块SOCAMM。SOCAMM（Small Outline Compression Attached Memory Module）是一种基于低功耗DRAM的内存模组，特别适用于AI服务器。

就NAND闪存业务领域，公司将积极响应高容量企业级固态硬盘（eSSD）的市场需求，同时秉持谨慎的投资基调，持续实施以盈利为导向的运营策略。

展望二季度，三星电子预计AI服务器需求将强劲，将通过以服务器为中心的产品组合，加强在高附加值市场的地位，并加大增强型12层堆叠HBM3E的产能以满足初期需求。在NAND方面，致力于加速所有应用向第八代V-NAND的过渡，以增强成本竞争力。

另外，据公开报道，2025年，三星将HBM3E产能提升三倍，并将QLC SSD的市场占比目标设定为30%，相比2024年的15%大幅提高。

对于下半年，三星电子表示，随着新款GPU的上市，预计AI相关需求将持续保持高位；将扩大高附加值产品的销售，包括增强型12层堆叠HBM3E产品和128GB及以上的高密度DDR5模块。

在Mobile和PC市场，预计终端设备AI将得到普及，三星电子计划通过其业界领先的10.7Gbps LPDDR5x产品积极响应市场环境的转变。

此前，市场传三星电子通知客户于2025年4月终止1z制程8Gb LPDDR4存储器生产（End of Life），并要求客户在6月前完成最后买进订单，预计最迟于10月前出货，主要原因是国内手机LPDDR4存储芯片订单转到本土工厂制造，三星将聚焦LPDDR5以上的高端产品。对此传闻，三星半导体回应称，不评论业界传言，生产在按序进行。另外，消息称，公司计划减少超过20%的传统DRAM产能，转向生产LPDDR5x及HBM等高端产品。

近期，国际存储大厂纷纷停产DDR3、DDR4，退出的市场无疑将为中小容量的存储厂商带来机会。

而另一方面，从数据来看，韩国销往中国的半导体占比持续下降。韩国贸易协会（KITA）数据显示，中国大陆和中国香港2024年占韩国半导体出口的比率为51.7%，低于2020年的61.6%。其中，出口到中国内地的份额从2020年的40.2%降至33.3%，出口到中国香港的份额从20.9%降至18.4%。

韩国贸易部发布的报告显示，2月韩国芯片对中国大陆（包括中国香港）的出口额同比下降31.8%，这一降幅大于1月份报告的22.5%的降幅。同时，韩国对越南、美国的出口有所增加。也有韩国产业相关人士认为，由于中国企业半导体技术和生产能力的提高，韩国以DRAM为主的出口大幅减少。

可以看到，当前SK海力士、美光、三星主要投入到HBM的竞争，此前HBM需求旺、价格上涨等让厂商们收益颇丰，未来HBM也将是它们的重点。随之而来的是对DRAM产能的重新分配、停产部分DDR产品等举措。同时，从进出口数据以及关税对整个产业造成的不确定性来看，存储大厂留下的市场空间给了其他存储厂商更多的发展机会。

来源：核芯产业观察