摘要：三星电子本月初与主要客户就提高DRAM芯片售价达成一致。DDR4 DRAM价格平均上涨两位数百分比；DDR5价格上涨个位数百分比。据称 DDR4 上调 20%，DDR5 上调约 5%。

最新消息，三星电子本月初与主要客户就提高DRAM芯片售价达成一致。DDR4 DRAM价格平均上涨两位数百分比；DDR5价格上涨个位数百分比。据称 DDR4 上调 20%，DDR5 上调约 5%。

除了三星，SK海力士、美光此前也传出涨价的消息。据供应链人士透露，海力士DRAM（消费级）颗粒（Memory Chip/Die）价格已上涨约12%。

而美光率先于2025年第二季度对DRAM内存合约价上调10-12%，并已通知对部分存储产品（如DRAM内存和SSSD固态硬盘等）征收与关税相关的附加费。

最近诸多信息显示，存储器价格跌势结束，在2025年一季度和第二季度，价格开始企稳反弹。NAND闪存原厂闪迪在3月6日也向渠道发布了闪存价格上调通知，该公司从4月1日开始实施价格上涨，这些涨幅将超过10%，并适用于所有面向渠道和消费者客户的产品。

闪迪官方在文件中称，存储行业的供需关系即将过渡到供不应求的状态，这与关税变动一同影响了闪迪的供应能力并增加了该企业的运营成本，因此作出了价格调涨的决定。闪迪还提到该企业将继续频繁进行定价审查，且认为在接下来的几个季度中还会有更多的涨价。

另外，国内厂商长江存储旗下零售品牌致态此前也透露，或从2025年4月起上调渠道提货价格，涨幅可能超10%。国内多家存储芯片原厂的价格也在上涨，包括兆易创新、东芯股份、江波龙等厂商的部分产品。其中，小容量NAND是这一轮涨价里最先有反应的品类。

这一轮价格上涨首先源于供需关系的变化，近期，由于全球IT设备制造商库存紧张，以及AI、云计算、5G等技术的快速发展，对高性能存储芯片的需求激增。存储芯片制造商为应对市场需求，纷纷进行产能结构性调整，减少对传统制程产品的生产，增加对先进制程产品（如DDR5、HBM等）的投入，导致部分存储芯片供应紧张。

其次源于技术升级需求，随着AI技术的不断迭代升级，对存储芯片的性能要求也越来越高。高带宽存储器（HBM）等高端存储芯片的需求迅速增长，推动了存储芯片市场的整体价格上涨。存储芯片制造商为保持市场竞争力，不断加大研发投入，推动技术升级和产品迭代，这也增加了生产成本，进而传导至产品价格。

还有就是源于地缘政治因素，美国对华半导体出口限制及关税政策的影响，导致全球供应链紧张局势持续。为规避供应链风险，部分企业提前锁定存储芯片订单，进一步加剧了市场供需失衡。

来源：核芯产业观察