摘要：5月13日，由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、是德科技(中国)有限公司、机械工业出版社、中国电工技术学会科技传播与出版专委会联合主办的“宽禁带半导体大讲堂第五期——如何破解宽禁带半导体"产-测-用"挑战，领航器件新发展？”在机械工业出版社融媒体中心成功举办
5月13日，由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、是德科技(中国)有限公司、机械工业出版社、中国电工技术学会科技传播与出版专委会联合主办的“宽禁带半导体大讲堂第五期——如何破解宽禁带半导体"产-测-用"挑战，领航器件新发展？”在机械工业出版社融媒体中心成功举办！活动得到了中关村联盟联合会、零碳信息通信网络联合实验室的大力支持，同时也得到了蔻享学术、科研云等多家媒体的合作宣传，线上线下观看直播人数超2.3万人次，精彩内容可通过【宽禁带联盟】视频号观看直播回放。
本次活动邀请到北京晶格领域半导体有限公司总经理张泽盛，是德科技解决方案工程师孙承志，北京大学集成电路学院研究员、博士生导师魏进，是德科技解决方案工程师叶政鹏，合肥阿基米德电子科技有限公司封装设计部&技术平台部经理马坤，分别从技术突破、测试方法论、应用场景与可靠性设计等维度展开思想碰撞。
北京晶格领域半导体有限公司总经理张泽盛作报告分享
北京晶格领域半导体有限公司张泽盛总经理在《液相法碳化硅单晶生长技术研究进展》的主题发言中讲述了液相法碳化硅单晶生长技术的研发突破与产业化进程。北京晶格领域半导体有限公司依托液相法核心技术，攻克了高质量SiC单晶制备难题，其创新工艺通过添加铝元素优化固液界面能，显著提升p型-4H-SiC晶体质量，实现8英寸单晶生长及50mΩ·cm低电阻率衬底量产，并成功验证了P型JBS器件的优异阻断特性。针对n型-3C-SiC衬底，团队突破传统气相法局限，利用液相界面调控技术制备出6英寸晶圆，其MOS界面态密度较4H-SiC降低50%，展现出更优的器件可靠性。公司自2020年成立以来，已建成2.5万片/年产能体系，完成四代自主设备迭代，申请专利29项，率先实现液相法p型高掺杂与3C-SiC衬底产业化，为新能源汽车等领域提供高性价比解决方案。当前正着力推进大尺寸晶圆制备技术，持续优化良率与成本结构。
是德科技解决方案工程师孙承志作报告分享
是德科技解决方案工程师孙承志在《你测得准么？宽禁带半导体器件关键参数测试“避坑”指南》的主题发言中强调了宽禁带半导体（碳化硅、氮化镓等新型材料）在测试测量方面所面临的挑战与进展。孙承志工程师指出，随着新能源需求的增长，半导体产业链和相关测试规范标准快速进步，以适应新材料带来的加工难度和界面缺陷等问题。讨论集中在动态参数测试的挑战，如在高压大电流条件下的精确测量及封装技术对环路打散的控制。他展示了是德科技如何提供静态和动态参数测量仪表、模型仿真软件等完整解决方案，强调了测试结果一致性和重复性的重要性，以及建立准确模型对于预测和模拟器件性能的必要性。整场演讲凸显了测试技术在推动半导体产业发展中的关键作用，特别是在应对新材料和新技术挑战方面。
北京大学集成电路学院研究员、博士生导师魏进作报告分享
北京大学集成电路学院博士生导师魏进研究员在《面向工业/汽车应用的GaN功率器件关键技术挑战》的主题发言中重点讨论了氮化镓功率器件在工业与汽车应用中的关键技术挑战，特别是动态电阻与阈值电压的漂移问题。通过实施创新技术，如表面钝化和虚拟体层技术，显著提升了器件的性能与可靠性。他强调了这些技术在降低动态电阻、提升器件寿命方面的作用，指出它们有助于解决氮化镓器件在高压应用中的安全问题，尤其是电机驱动等高压场景。他还提到，当前研究正集中于解决高动态电阻及增强耐压能力，以促进氮化镓器件在汽车和工业领域的广泛应用，表明了对改善动态电阻长期稳定性和高压下动态电阻抑制技术挑战的积极应对。
是德科技解决方案工程师叶政鹏作报告分享
是德科技解决方案工程师叶政鹏在《宽禁带器件在电力电子系统中应用与测试挑战》的主题发言中介绍了宽禁带半导体（SiC/GaN）在电力电子领域的技术突破与测试挑战，如高带宽需求、共模电压高及信号速度加快，并分享了如何选择合适的测试系统带宽、探头的选择与校准，以及电流探头的选用策略，特别是低衰减比探头在电源纹波测试中的重要性。
合肥阿基米德电子科技有限公司封装设计部&技术平台部经理马坤作报告分享
合肥阿基米德电子科技有限公司封装设计部&技术平台部经理马坤博士在《车规级功率模块可靠性设计与保障》的报告中系统探讨了车规级功率模块在新能源应用中的可靠性挑战与创新解决方案。阿基米德半导体通过融合数字孪生、AI技术与DFX（可制造性/可靠性/测试性设计）理念，构建了从量子力学模拟到宏观封装的多尺度协同设计体系，攻克了多物理场耦合下芯片并联均流、材料界面失效等难题。团队创新研发全SiC系统解决方案，采用银烧结全Clip工艺与Si3N4活性金属钎焊基板，实现热阻降低30%、杂散电感≤3nH，模块动态均流仿真精度达93%，结温预测误差仅4℃。通过分子动力学结合机器学习优化纳米银烧结工艺，孔隙率降低20%，烧结强度提升55%，600小时老化后材料剪切强度仅降低20%。针对车规级复合应力场景，首创多轴协调测试技术与热-振耦合寿命模型，使温冲可靠性提升6倍。
活动最后，来自现场和线上的观众纷纷踊跃发言提问，参会嘉宾针对大家提出的普遍关注的技术和市场问题进行了现场解答。本期大讲堂让我们清晰地看到：宽禁带半导体的“产-测-用”协同破局，既需要单点技术的极致突破，更依赖全链条的深度耦合。我们也相信，当材料生长成本因新的生长方法革新而下降，当测试标准因方法论完善而统一，当应用场景因可靠性提升而拓宽，宽禁带半导体必将真正引领高效、低碳的能源革命！
“在家都是问号，出门才有答案”，宽禁带半导体大讲堂通过线下+线上同步直播的形式，让观众与科学家、企业家、投资家等能够面对面充分互动，点对点精准交流，打造科学界、产业界与资本圈之间的信息交流平台。未来联盟将继续为宽禁带半导体产业链的专家和企业提供更多交流和学习的机会，为宽禁带半导体事业的高质量发展助力赋能，为构建产业生态化和生态产业化硬科技圈奉献可持续源动力！
来源：宽禁带联盟
