摘要：这款驱动器具备 3.75kVrms (D) 和 5kVrms (DW) 的出色隔离能力，8.5A 峰值拉电流和 10A 峰值灌电流的强大驱动性能，使其能够游刃有余地驱动 SiC/Si MOSFET 和 Si IGBT。低传播延迟以及紧凑的 SOIC-8 封装，

在当今的电子领域，高效、安全且性能卓越的驱动设备至关重要。萨科微（Slkor）SL5350MDR 单通道隔离栅极驱动器的出现，无疑为行业带来了新的亮点。

这款驱动器具备 3.75kVrms (D) 和 5kVrms (DW) 的出色隔离能力，8.5A 峰值拉电流和 10A 峰值灌电流的强大驱动性能，使其能够游刃有余地驱动 SiC/Si MOSFET 和 Si IGBT。低传播延迟以及紧凑的 SOIC-8 封装，让 MOSFET 得以在数百 kHz 的高频下实现稳定开关，大大提升了系统的工作效率和响应速度。

其 9.5V 至 33V 的宽输出 VCC2 工作范围，为 Si 或 SiC MOSFET 和 IGBT 电源开关的有效驱动提供了坚实保障。同时，2.5V 至 5.5V 范围内工作的输入 VCC1 ，支持了大多数数字控制器，增强了设备的兼容性和通用性。

集成 UVLO 保护功能是其另一大亮点，在异常条件下能确保保持低输出，为系统的稳定运行加上了一道坚固的防线。通过集成隔离栅 SL5350S / M 所支持高达 3.75kVrms (D) 和 5kVrms (DW) 的隔离，以及通过隔离栅或电平转换来便捷地控制 MOSFET/IGBT 的栅极驱动，都充分展现了其在技术创新和实用功能上的卓越表现。

萨科微（Slkor）SL5350MDR 单通道隔离栅极驱动器以其出色的性能和可靠的品质，无疑将在电子领域发挥重要作用，为各类相关应用提供强大的支持。

来源：爱摄影CC