摘要：三星电子和 SK 海力士将推迟引进 ASML 用于其 DRAM 曝光工艺的“高数值孔径 (NA) 极紫外 (EUV)”设备。这是由于天文数字般的设备价格和 DRAM 架构即将发生的变化。

三星电子和 SK 海力士将推迟引进 ASML 用于其 DRAM 曝光工艺的“高数值孔径 (NA) 极紫外 (EUV)”设备。这是由于天文数字般的设备价格和 DRAM 架构即将发生的变化。

三星电子和SK海力士计划在2030年后量产3D DRAM，3D DRAM曝光工艺计划采用氟化氩（ArF）设备，而非EUV设备。因此，High NA EUV设备的引入势必会给芯片制造商带来负担。

据业界15日透露，三星电子将抢先将HighNA EUV设备应用于晶圆代工。据悉，在DRAM工艺方面，他们正在考虑是否将其应用于10nm第7代DRAM（1d DRAM），或者用于量产垂直沟道晶体管（VCT）DRAM。

内存公司对引入High NA EUV持保守态度的原因在于未来的DRAM发展路线图。根据三星电子和SK海力士的DRAM路线图，内存架构将按照以下顺序变化：6F方形DRAM→4F方形DRAM→3D DRAM。

在此3D DRAM曝光工艺中，无需使用High NA EUV设备或低NA EUV设备。 3D DRAM 是一种像 NAND 一样垂直堆叠 DRAM 单元的内存概念。现有的DRAM是通过精细工艺来增加晶体管的数量，而3D DRAM则是通过垂直堆叠来扩大晶体管的数量。因此，曝光过程中使用的是 ArF 设备，而不是 EUV 设备。

这意味着，即使引进价值超过4亿美元的最新设备，其用于量产尖端DRAM的时间也不会太长。不过，两家公司计划在 2020 年代末量产的 4F 方形 DRAM 似乎将采用高 NA EUV 设备。这种存储器的量产需要 EUV 工艺，三星电子称之为 VCT DRAM，SK 海力士称之为垂直栅极 (VG) DRAM。

SK海力士在High NA EUV的引入上也与三星电子采取了类似的立场。尤其是，据悉SK海力士在设备引进方面比三星电子更加谨慎，因为只有在内存工艺方面才必须使用High NA EUV设备。

一位熟悉三星电子下一代DRAM开发的内部人士表示，“据我们了解，三星电子已将3D DRAM开发完成日期从2030年推迟到2032-2033年”，并补充道，“由于3D DRAM具有全新的结构，因此相关的生态系统尚未建立。”他补充道，“现有的垂直沉积和蚀刻必须转换为水平，这是一个很大的技术难度”，“由于材料具有各向同性的特性，因此不容易控制”。

High NA EUV设备将首先在晶圆代工工艺中得到运用。不过，High NA EUV应用于量产预计还需要一段时间。 ASML预计High NA EUV设备要到2027年以后才会投入量产。

目前，已经从ASML获得High NA EUV设备的三家晶圆代工厂分别是英特尔、台积电和三星电子。所有这些设备都用于研发，而不是量产。

已经确认，三星电子正在开发一种工艺，其前提是代工 1.4nm 工艺将使用高 NA EUV 设备。三星电子的目标是在2027年实现1.4nm工艺的量产。因此，三星电子目前在NRD-K设置的High NA EUV设备“EXE:5000”也将主要用于研发目的。

台积电正在尽可能推迟使用High NA EUV设备。在最近的一次活动中，该公司宣布计划从衍生工艺 A14P 工艺开始使用High NA EUV 设备，而不是 A14（1.4 nm）。这与High NA EUV设备的价格不无关系。

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来源：半导体行业观察一点号