摘要：SK 海力士近日宣布了一项重大技术突破，成功研发出搭载全球最高堆叠层数的321层1Tb TLC 4D NAND闪存的移动端解决方案——UFS 4.1。这一创新成果标志着SK 海力士在移动存储技术领域迈出了重要一步。

SK 海力士近日宣布了一项重大技术突破，成功研发出搭载全球最高堆叠层数的321层1Tb TLC 4D NAND闪存的移动端解决方案——UFS 4.1。这一创新成果标志着SK 海力士在移动存储技术领域迈出了重要一步。

据SK 海力士介绍，为了满足移动设备端侧AI稳定运行的需求，此次推出的NAND闪存解决方案不仅具备卓越的性能，还实现了低功耗。通过这款专为AI工作负载优化的UFS 4.1产品，SK 海力士旨在进一步强化其在旗舰智能手机市场的技术领先地位。

随着端侧AI需求的不断增长，终端设备在计算性能与电池效率之间的平衡变得愈发关键。超薄设计和低功耗已成为当今移动设备行业的核心标准。SK 海力士此次推出的新品正是顺应了这一趋势。

与上一代基于238层NAND闪存的产品相比，新品在能效方面提升了7%。同时，在产品设计上，SK 海力士成功将产品厚度从1mm减薄至0.85mm，使其完美适配超薄智能手机的需求。

在数据传输方面，该产品支持第四代UFS产品的顺序读取峰值，速率高达4300MB/s。尤为其随机读取和写入速度相较于上一代产品分别提升了15%和40%，达到了UFS 4.1产品中的全球顶尖水平。这一提升对于移动设备的多任务处理能力具有重要意义。

为了满足不同用户的需求，该产品提供了512GB和1TB两种容量规格。SK 海力士表示，计划在今年内向客户交付样品进行验证，并预计将于明年第一季度正式进入量产阶段。这一创新产品的推出，无疑将为智能手机市场带来新的活力和可能性。

来源：ITBear科技资讯