摘要：国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“硅工艺缺陷检测方法”的专利，公开号CN120048754A，申请日期为2025年03月。

金融界2025年5月28日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“硅工艺缺陷检测方法”的专利，公开号CN120048754A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体工艺技术领域，公开了一种硅工艺缺陷检测方法。本发明通过在离子注入后采用工艺去除硅衬底表面的其它膜层，然后进行硅工艺缺陷检测，不需要等芯片制造完成后检测，节省工艺的研发时间与成本。且本实施例的硅工艺缺陷检测在去除所述氧化硅膜层后剩余的硅衬底表面采用扫描电镜行扫描即可检测，不需要使用Nannoprobe Test以及TEM资源，进一步节省时间和成本。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1822次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1111条，此外企业还拥有行政许可192个。

来源：金融界