摘要：国家知识产权局信息显示，合肥大唐存储科技有限公司申请一项名为“一种TLC NAND FLASH闪存颗粒宽温工作模式筛选方法”的专利，公开号CN 119107999 A，申请日期为2024年9月。

金融界2024年12月12日消息，国家知识产权局信息显示，合肥大唐存储科技有限公司申请一项名为“一种TLC NAND FLASH闪存颗粒宽温工作模式筛选方法”的专利，公开号CN 119107999 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种TLC NAND FLASH闪存颗粒宽温工作模式筛选方法，该筛选方法包括如下步骤：S01、对闪存颗粒执行开卡测试。本发明确定颗粒中对应的BLOCK擦除时间和写入时间，读取NAND FLASH中存储的测试数据，确定比特反转错误数量，基于擦写时间和比特反转错误数量等测试因素在各种条件下测试BLOCK的SLC和TLC的表现进行判定，同时在TLC的测试模式下对BLOCK进行全部写完的CLOSE BLOCK测试，以及BLOCK只写满1/2的情况下的表现综合汇总进行颗粒的测试与符合宽温操作的分界断定，解决现有技术中宽温闪存存储筛选可靠性较差的问题，同时根据宽温筛选策略与方法对NAND FLASH TLC Client颗粒的表现进行预测，挑选出未来潜在有高低温工作的高品质表现的NAND FLASH颗粒，以满足更高更严格的应用场景需求。

来源：金融界