Wolfspeed与瑞萨退场中国碳化硅产业链崛起重塑全球格局

摘要：在继美国碳化硅晶圆龙头Wolfspeed将申请破产的消息传后，日本瑞萨电子（Renesas Electronics）被传出已放弃生产 EV 用碳化硅（SiC）功率半导体。

据外媒报道：在继美国碳化硅晶圆龙头Wolfspeed将申请破产的消息传后，日本瑞萨电子（Renesas Electronics）被传出已放弃生产 EV 用碳化硅（SiC）功率半导体。

据指出：瑞萨已放弃生产EV用SiC功率半导体。瑞萨原先计划在2025年初期利用高崎工厂开始生产EV用SiC功率半导体，不过因EV销售放缓、市场恶化，加上中国第三代半导体厂商不断增产且越发完善的产业链优势，因此研判恐难于获利。除了放弃生产EV用SiC功率半导体之外，瑞萨也修正硅基功率半导体的生产计划。

报道强调：这两起事件虽分别发生在美日，却有一个共同背景——中国碳化硅产业链的全面崛起。

2016年，由于特斯拉首次在逆变器上搭载来自意法半导体的碳化硅MOSFET，碳化硅一举站在了新能源汽车的聚光灯下，这也令成立于上世纪八十年代的Wolfspeed凭借技术优势和领先的8英寸SiC晶圆产能，迅速成为全球碳化硅晶圆龙头企业。

但很快，Wolfspeed就遭遇了来自中国碳化硅晶圆企业的激烈竞争。虽然以天科合达、天岳先进等为代表的中国厂商起步大大晚于Wolfspeed，但凭借中国本土企业在光伏以及新能源车等产业的产业链优势，近两年来，中国厂商在全球碳化硅晶圆市场的市占率逐步提升，大幅挤压了Wolfspeed的生存空间。

据相关市调报告：2024年底，在碳化硅衬底市场，天科合达、天岳先进的市占率分别为17.3%、17.1%，已超过Wolfspeed在全球市场的33.7%份额。

而最为关键的是，中国厂商通过工艺创新，将6英寸碳化硅衬底的价格压至国际水平的30%，直接击穿了Wolfspeed的成本底线。

因而，媒体评论认为：除大举投资导致财务压力沉重、以及8英寸碳化硅衬底良率不足40%等因素外，中国力量是压垮Wolfspeed的最后一根稻草。

而在碳化硅晶圆产业这一上游产业发展加速之际，中国本土 SiC功率半导体厂商也实现了同频共振。华润微电子、士兰微以及新崛起的泰科天润、基本半导体等成为这一领域的实力企业。

据指出：中国在SiC碳化硅MOSFET功率半导体领域，2022-2024年收入年复合增长率高达59.9%，2024年国产碳化硅功率模块收入增加，全球市场份额上升。

也恰是中国厂商在产业链上下游协同的优势，令全球汽车电子头部厂商瑞萨不得不放弃SiC功率半导体生产计划。

显然，Wolfspeed和瑞萨电子（Renesas Electronics）放弃生产 EV 用碳化硅（SiC）功率半导体，可视作为中国在碳化硅领域全球崛起的关键事件。据市调机构预测，到2026年，中国SiC晶圆及功率器件全球市占率有望突破50%，实现全球主导权转移。显然，一个属于中国的第三代半导体时代即将到来！