摘要：国家知识产权局信息显示，宜普电源转换公司申请一项名为“三端双向增强型GaN开关”的专利，公开号CN120113154A，申请日期为2023年10月。

金融界2025年6月9日消息，国家知识产权局信息显示，宜普电源转换公司申请一项名为“三端双向增强型GaN开关”的专利，公开号CN120113154A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，本发明涉及一种具有单栅极的三端双向GaN FET。器件通过将单栅极双向GaN FET与由具有无引脚输出的源极的两个背靠背GaN FET形成的双向器件并联集成而形成。无引脚输出的源极连接到器件的场板。二极管或栅极短路到源极的FET连接在无引脚输出的源极与器件的D/S和S/D电源端子之间。在另一个实施例中，单栅极双向GaN FET设有连接在衬底和器件的电源端子之间的二极管或栅极短路到源极的FET。

来源：金融界