摘要:韩媒 Business Korea 昨日(12 月 18 日)发布博文,报道称三星电子正积极投资建设 10 纳米级第七代(1d)DRAM 测试线,旨在提升良率,扩大与竞争对手的技术差距,并力争在明年重新夺回 DRAM 市场的领先地位。
IT之家 12 月 19 日消息,韩媒 Business Korea 昨日(12 月 18 日)发布博文,报道称三星电子正积极投资建设 10 纳米级第七代(1d)DRAM 测试线,旨在提升良率,扩大与竞争对手的技术差距,并力争在明年重新夺回 DRAM 市场的领先地位。
消息称三星已于今年第四季度开始在平泽第二工厂(P2)建设 10 纳米级第七代 DRAM 测试线,又称“one path”线。
该测试线预计将于 2025 年第 1 季度全面建成,用于测试新产品的量产潜力,并提升良率。尽管平泽 10 纳米级第七代 DRAM 工厂的确切规模尚未确定,但通常安装测试线每月可处理约 10000 片晶圆。
IT之家援引该媒体报道,三星准备同步推进第七代 DRAM 测试线的建设与第六代 DRAM 的量产准备,计划从 2025 年初开始在平泽第四工厂(P4)引进设备,生产 10 纳米级第六代 DRAM,并力争在明年 5 月获得内部量产批准(PRA)。
在人才配备方面,三星为顺利推进 1c DRAM 的量产,还将从华城工厂派遣 DRAM 相关人员到平泽工厂。
该媒体解读认为,三星此举是一项积极的投资策略,在经历了 HBM 市场份额被 SK 海力士超越,以及 10 纳米级第六代 DRAM 开发速度落后的双重打击后,三星正全力以赴,希望通过提前布局下一代产品,在明年重夺市场“霸主”地位。
来源:IT之家一点号
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