突发！美国升级半导体出口管制，针对中国还是韩国？

摘要：继续打压！没有任何意外，美国对于中国半导体产业的打压依然如故，甚至是在不断升级。最新的“打压”政策是，取消了台积电南京厂所谓“验证最终用户”（VEU）资格；更早之前的英特尔、三星以及SK海力士等在中国大陆工厂也被取消VEU资格。

继续打压！没有任何意外，美国对于中国半导体产业的打压依然如故，甚至是在不断升级。最新的“打压”政策是，取消了台积电南京厂所谓“验证最终用户”（VEU）资格；更早之前的英特尔、三星以及SK海力士等在中国大陆工厂也被取消VEU资格。

这意味着，台积电、英特尔、三星以及Sk海力士未来需要进口半导体先进制程设备的时候需要单独申请许可。虽然相关规定正式落地还有4个月左右的时间，但将对国产半导体厂商厂商什么样的影响呢？

首先，台积电进口设备受限对于国产半导体来说几乎没什么影响，毕竟台积电南京厂主要以成熟制程和12/16nm为主，相关产品目前中芯几个厂区都能吃下，而28nm以上的国内其他几个大的晶圆代工厂也都能干了。

其次，此次政策冲击最大的是存储芯片以及韩国半导体产业。毕竟三星和Sk海力士在国内布局较深，盘子也大。

三星西安工厂，是其最核心的NAND闪存制造基地，也是全球最大的闪存生产工厂之一，月产能高达25万片12英寸晶圆。其产能占据了三星全球NAND闪存产量的42.3%，对全球NAND闪存市场的供应都有显著影响，全球占比达到15.3%。

而Sk海力士在国内有两个主要工厂——无锡厂和大连厂；无锡厂是SK海力士海外最重要的DRAM内存生产基地，月产能约17万片12英寸晶圆。该工厂的产量占据了SK海力士全球DRAM总产能的近50%，地位至关重要。大连厂原属于英特尔，2021年底被SK海力士收购，主要生产NAND Flash闪存芯片。根据TrendForce数据，到2025年，SK海力士总NAND产量的40%-45%将来自中国。

因此，这次美国的出口限制政策相当于堵死了三星和Sk海力士中国工厂的产能以及技术升级换代。这显然对国内存储芯片厂商是一个天赐良机。

根据市场分析机构Counterpoint最新预测，长鑫存储今年DRAM出货量将同比增长50%，其在整体DRAM市场的出货份额预计将从第一季度的6%增至第四季度的8%。

同时根据TrendForce最新报告，今年第三季度国产DRAM和NAND存储器合并市场的出货量份额预计将达到10.1%，这是中国半导体企业首次突破10%的市场份额。自去年第二季度首次超过5%门槛(5.4%)以来，仅一年时间市场份额就几乎翻了一番。

另外值得注意的是，不仅国产存储芯片市场份额持续扩大，其产业链国产化率也在快速提升。如长江存储首条全国产化的产线将于2025年下半年导入试产，这是推动“全国产化”制造设备方面取得了重大突破；同时，长江存储整体国产化率直接冲到了45%、

尤其在存储芯片上游的EDA软件国产化上实现了关键的突破。根据华大九天消息，其于2025年8月发布的存储全流程EDA方案，这也是中国唯一能支撑超大规模Flash（闪存）和DRAM（内存）芯片量产的全流程EDA解决方案。这真正实现了从国产存储芯片设计、验证到量产的“一站式”服务，不仅有效提升了国产存储厂商的效率；同时也打破了国外巨头在这个关键领域的长期垄断，是国产EDA产业在存储芯片领域的重大突破。

并且，根据Digitimes最新消息，华大九天可能已与长鑫存储和长江存储合作，打造一条将国内芯片生产与本土EDA工具相结合的供应链。