摘要：根据公司的战略布局以及先进工艺对半导体设备的技术需求，本项目拟开展多款先进薄膜沉积设备的研发，包括PECVD、ALD、沟槽填充 CVD等工艺设备，并逐步突破其中的前沿核心技术，进而形成一系列具有自主知识产权、面向前沿技术领域应用的先进薄膜沉积设备产品，同时，持
1、项目基本情况
根据公司的战略布局以及先进工艺对半导体设备的技术需求，本项目拟开展多款先进薄膜沉积设备的研发，包括 PECVD、ALD、沟槽填充 CVD 等工艺设备，并逐步突破其中的前沿核心技术，进而形成一系列具有自主知识产权、面向前沿技术领域应用的先进薄膜沉积设备产品，同时，持续进行 PECVD、ALD、沟槽填充 CVD 等产品的优化升级，不断提升产品性能，满足先进工艺的迭代需求。
此外，本项目将进行新一代自动化控制系统和控制软件架构开发，通过智能算法、优化数据处理等方式，促进设备性能的提升和自主创新性，进一步强化拓荆科技薄膜沉积设备的市场竞争力。
2、项目实施的必要性分析
（1）响应国家战略需求，提升供应链安全自主水平
在目前的国内高端薄膜沉积设备行业中，以AMAT、Lam、TEL等为代表的国际知名半导体设备企业市场占有率较高。由于发展起步较晚、技术基础薄弱等诸多因素的限制，我国在高端薄膜沉积设备领域尚未建立起完善且独立的技术体系和产业生态。近年来，国内企业不断加强技术研发，在部分技术领域逐步实现了突破，但在工艺复杂度较高的关键环节仍与国际最先进水平存在着一定的差距。
针对上述情况，本项目将从设备的硬件创新设计、控制系统及软件开发、高性能薄膜工艺开发为核心切入点，对多种新型高端薄膜沉积设备进行研发、产线验证及优化，实现前沿核心技术的逐步突破，助力半导体产业链生态的整体国产化转型，提升国内半导体供应链的安全自主水平。
（2）推动公司前沿技术布局，实现核心技术突破
半导体行业历来遵循着“一代产品、一代工艺、一代设备”的发展规律，晶圆制造作为产业链的核心环节，需要超前于下游应用开发新一代工艺，而半导体设备则要超前于晶圆制造开发新一代设备。随着晶圆制造工艺精密度、芯片结构复杂度、下游应用多样度的不断提升，先进晶圆制造厂商往往会对薄膜厚度、均匀性、颗粒度等性能指标提出更为严苛的技术要求。不同先进芯片结构所需要的不同薄膜材料种类、沉积工序也催生了大量的前沿技术薄膜沉积设备需求。
为紧跟先进工艺的发展趋势和要求、满足先进芯片的复杂结构和功能设计，本项目将聚焦于薄膜沉积设备的前沿核心技术，开发可适用于前沿技术领域的新产品、新工艺，持续开发新型薄膜沉积设备，提升产品工艺覆盖面与智能化水平。本项目的建设，将推动公司前沿技术布局，实现核心技术突破，提升公司的产品性能，丰富公司的产品种类，进一步扩大公司市场占有率，推动公司业务规模持续增长。
（3）加快产品智能化升级，保持技术先进性
作为技术密集型产业，保持不断的技术研究和创新是薄膜沉积设备公司提升研发实力，巩固和增强市场竞争力的重要举措。自成立以来，公司始终保持高强度研发投入，不断进行产品与工艺的迭代升级，确保了公司产品的技术领先性和产品可靠性。
本项目将基于公司技术积累，紧密围绕先进工艺对半导体设备的技术需求，对现有薄膜沉积设备进行工艺优化和性能提升，并通过智能化软硬件系统（Smart Machine）实现设备实时监控，提升研发及生产效率，强化公司在薄膜沉积设备领域的技术深度与产品优势。
本项目实施完成后，将进一步丰富公司在薄膜沉积设备领域的技术储备和研发经验，助力公司产品的智能化升级，保持公司的技术先进性。
3、项目实施的可行性分析
（1）持续的高研发投入和专业的研发团队为本项目提供研发能力保障
公司始终将研发创新和人才发展作为公司发展的基石。在研发投入方面，2022-2024年，公司研发费用分别为3.79亿元、5.76亿元、7.56亿元，年复合增长率达到41.23%，呈现出快速增长的态势。在人才团队建设方面，公司通过积极引进资深专业人才、自主培养科研团队，已经建成了一支国际化、专业化的高端半导体专用设备技术研发及管理团队。
截至2025年6月30日，公司研发人员共有638名，占公司员工总数的40.66%。研发人员中博士研究生 53人，占比约8.31%；硕士研究生384人，占比约60.19%。公司的研发技术团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是奠定公司技术实力的基石，保障了公司产品的市场竞争力。
未来，公司拟进一步加大研发投入，持续引入高层次人才并强化自主培养体系，不断扩充公司研发团队规模，进一步提升研发团队综合能力与水平，为公司本次投资项目储备充足的人才。
综上，持续的高研发投入和公司专业的研发团队为本项目的建设提供了创新能力支撑和人才基础。
（2）丰富的技术储备为本项目提供技术积累保障
公司拥有丰富的技术储备，全面涵盖了自动化控制、软件架构设计、热控技术、超洁净组件、反应腔设计、腔体内关键件设计、气路设计、温度控制、射频控制以及流体控制等多个关键领域，为项目的实施提供了有力的技术支撑。
公司通过自主研发，形成了一系列独创性的设计，构建了完善的知识产权体系并取得了多项自主知识产权。截至 2025 年 6 月 30 日，公司累计申请专利1,783 项（含 PCT），获得授权专利 581 项，其中发明专利 294 项。
公司研发并推出的支持不同工艺型号的 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD 及 Flowable CVD 薄膜系列设备均已在客户端实现量产，在半导体薄膜沉积设备领域积累了多项研发及产业化的核心技术，构建了具有设备种类、工艺型号外延开发能力的研发平台，性能达到了国际同类设备水平。
综上，公司丰富的技术储备为本项目提供了技术积累保障。
（3）良好的产业政策环境为本项目提供政策支持保障
集成电路产业是驱动科技创新的重要引擎，更是支撑国家经济发展的关键基石，其发展水平直接影响一个国家在人工智能、信息技术、智能制造等前沿领域的核心竞争力。近年来，国家出台一系列鼓励扶持政策，为高端半导体行业的高质量发展提供了有力支持。
2024 年 9月，工信部正式发布了《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024 年版）》，该指导目录详细列出了集成电路生产设备多项关键的技术指标与推广重点。针对薄膜沉积设备，指导目录从三个方面提出了相关的技术要求。
2023 年 8 月，工信部、财政部发布《关于印发电子信息制造业 2023—2024 年稳增长行动方案》，指出要优化集成电路、新型显示等产业布局并提升高端供给水平，增强材料、设备及零配件等配套能力。2020 年 8 月，国务院颁布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》，发布税收、投资、融资、研发、进出口、人才、知识权、市场应用、国际合作等八个方面的相关政策，持续推进我国集成电路产业高质量发展。
综上，本项目属于半导体设备领域的研发创新，项目实施符合国家政策导向，具有良好的政策可行性。
4、项目实施主体与投资概算
本项目实施主体为拓荆创益及拓荆上海，拟投资总额 200,129.38 万元，硬件购置费 64,816.87 万元，软件购置费 3,806.58万元， 研发费用 127,581.83 万元，基本预备费 3,924.10万元。
5、研发内容
本项目主要研发内容列示如下：
（1）先进 ALD系列产品及工艺研发与优化
面向前沿技术领域，研发先进的 PE-ALD 和 Thermal-ALD 系列薄膜设备，并持续进行迭代优化，聚焦高温/低温的 SiO2、SiN、Al2O3、TiO、TiON 等多种先进介质、金属及金属化合物薄膜材料工艺，满足各类先进逻辑芯片、存储芯片领域客户产线对高产能、高性能指标的技术要求。
（2）先进 PECVD系列产品及工艺研发与优化
面向前沿技术领域，研发先进的 PECVD 系列薄膜设备，并持续进行迭代优化，深度研发高深宽比孔硬掩模（ACHM）、掺钨碳薄膜（WDC）、晶圆背面薄膜（Bianca）、Thick TEOS、Stack（ONO）、低温 NDC、TEOS 等多种先进介质薄膜材料工艺，同时，通过设备关键部件/系统的研发与优化，持续提升产品的先进性，满足先进逻辑芯片、存储芯片、三维集成等领域客户产线对高产能、高性能指标的技术要求。
（3）沟槽填充 CVD 系列产品及工艺研发与优化
面向前沿技术领域，深耕 SACVD、HDPCVD、Flowable CVD 等系列薄膜设备的新产品研发和持续迭代优化，围绕先进逻辑芯片、存储芯片等领域日趋复杂的沟槽结构成型与性能要求，持续拓展沟槽填充薄膜材料工艺，包括高深宽比填充、超高深宽比填充等多种先进薄膜应用，满足客户产线对高产能、高性能指标的技术要求。
（4）新一代自动化控制系统及控制软件架构开发
本项目进行新一代自动化控制系统开发，通过机器学习、大模型等技术，建立半导体设备大数据模型，对设备海量数据进行分析、挖掘，并对公司产品的研发、优化、制造等环节提供可靠的分析和指导，进一步提升公司薄膜沉积设备的稳定性，提高公司生产效率，优化工艺过程，增进产品质量。
此外，本项目进行新一代控制软件架构开发，着力攻克跨平台兼容、架构优化以及调度算法改进等核心技术，并引入自动辨识机制优化调度方式，紧密结合产品特性，运用智能算法自动分析并优化传片逻辑，精准实现对调度方式的自动甄别与适配，确保整个生产流程紧密衔接、高效有序，进一步强化产品优势。
6、项目预计实施时间和整体进度安排
本项目建设期为 3 年，项目开展将按照软硬件购置、人员调配及招募、产品研发与测试等进度来安排。
7、项目用地、涉及的审批、备案事项
本项目实施地点位于辽宁省沈阳市浑南区及上海市临港新片区的公司自有土地使用权对应宗地，不涉及新取得项目建设用地的情况。截至本报告公告日，投资项目备案等程序正在办理过程中。
来源：思瀚研究院
