摘要：近期，存储芯片行业迎来多重利好驱动，包括AI需求爆发、原厂减产提价、国产替代加速以及技术迭代升级。从产业链视角看，以下环节更受益于当前周期，其核心逻辑如下：
近期，存储芯片行业迎来多重利好驱动，包括AI需求爆发、原厂减产提价、国产替代加速以及技术迭代升级。从产业链视角看，以下环节更受益于当前周期，其核心逻辑如下：
逻辑：
价格弹性最大：存储模组企业（如江波龙、德明利、佰维存储）采购NAND/DRAM晶圆后封装成模组销售，其利润与存储晶圆价格高度相关。当前原厂减产推动晶圆价格持续上涨（如闪迪、美光宣布消费级产品提价10%-30%），模组厂低价库存兑现后，毛利率有望快速提升。国产替代空间广阔：国内云计算巨头（阿里、腾讯等）资本开支大增，企业级SSD和RDIMM需求旺盛。海外原厂优先供应北美高价客户，国内供应受限，国产模组厂商凭借技术突破和成本优势加速替代，份额持续提升。AI驱动增量需求：AI服务器存储配置量为通用服务器的2倍，单机价值量显著提升。国内厂商如江波龙已通过大客户认证，企业级产品收入未来三年CAGR有望超50%。代表性标的：德明利（企业级SSD放量）、江波龙（全产业链布局）、香农芯创（海力士代理+自主模组）。
逻辑：
利基存储涨价与海外退出：海外大厂（三星、海力士）将产能转向HBM和DDR5，逐步退出DDR3/DDR4等利基市场。国内厂商（兆易创新、北京君正、东芯股份）凭借成本和技术优势抢占份额，叠加价格触底反弹（如DDR4 8Gb价格涨幅超70%），业绩弹性显著。高端技术突破：HBM国产化：长鑫存储量产DDR5芯片，良率达80%，联合封测厂攻关HBM技术，产业链配套企业（如长电科技、通富微电）受益。 3D DRAM与定制化存储：兆易创新旗下青耘科技推出基于先进封装的定制化存储，满足端侧AI高带宽需求，净利率有望达20%+。端侧AI容量升级：AI手机、AI PC单机存储容量提升50%-100%（如AI手机DRAM需求升至18GB），NOR Flash、SLC NAND需求同步增长。代表性标的：兆易创新（利基DRAM+NOR Flash）、普冉股份（NOR涨价）、聚辰股份（DDR5接口芯片）。
逻辑：
存储原厂扩产刚性需求：长鑫存储、长江存储产能持续扩张，设备采购量提升（如长鑫金桥项目带动300亿设备投资）。国产设备商（北方华创、中微公司）在刻蚀、薄膜沉积等环节份额提升。HBM推动材料升级：HBM需使用TSV、封装胶等高端材料，单价值量提升。国产材料企业（雅克科技、鼎龙股份）突破GMC封装材料、CMP抛光垫等技术，替代空间打开。政策与基金支持：大基金三期聚焦半导体产业链，设备与材料为卡脖子环节，资本注入加速技术落地。逻辑：
分销商库存溢价：涨价周期中，分销商（如香农芯创）低价库存增值，且代理海外原厂产品（如海力士企业级存储）需求旺盛。封测技术升级：HBM、先进封装（如长电科技XDFOI平台）单价值量高于传统封装，国内封测厂产能利用率提升，毛利率改善。代表性标的：香农芯创（海力士分销）、长电科技（HBM封装）、通富微电（国产HBM试产）。
核心逻辑：
短期：涨价周期（原厂减产+需求复苏）带动模组和设计环节业绩弹性。中期：AI驱动存储容量与带宽升级，企业级存储和高端芯片需求持续。长期：国产替代（技术突破+政策支持）重塑产业链格局。下游需求复苏不及预期（如消费电子疲软）；海外技术限制升级（如设备/材料出口管制）；行业周期性强，价格波动可能导致盈利波动。本文基于公开资料梳理，不构成投资建议。投资者应理性判断，注意风险。
来源：沐南财经
