摘要：这款低压MOS管的型号为TPH1R403NL，它具有非常低的导通电阻。数据手册给出，在栅极电压4.5V的情况下，漏极导通电阻只有 1.7个毫欧姆。可是在前几天的测试中，测量它的导通电阻都在25个毫欧姆左右。感觉非常奇怪。有人建议在大电流下进行测量，看是否能
这款低压MOS管的型号为 TPH1R403NL，它具有非常低的导通电阻。数据手册给出，在栅极电压4.5V的情况下，漏极导通电阻只有 1.7个毫欧姆。可是在前几天的测试中，测量它的导通电阻都在25个毫欧姆左右。感觉非常奇怪。有人建议在大电流下进行测量，看是否能够得到准确导通电阻数值。现在手边有一个可以输出60A的低压电源，下面制作测试电路板，重新测量 TPH1R403的导通电阻。
AD\Test\2025\September\LargeCurrentMOS.PcbDoc
设计简单的测试电路。MOS管的栅极电压由 PT端口加入。施加5V的栅极电压。漏极电流通过PIN端口加入。漏极与源极之间的电压由PV端口送到数字万用表进行测量。设计单面PCB，适合一分钟制板。一分钟之后得到测试电路板，下面焊接测试。
三、测试结果
焊接电路，给MOS管栅极施加5V偏置电压。下面提供10A的漏极电流。测量漏极和源极之间的电压。说实在的，在测量之前，我的心理还是非常忐忑，不知道是否可能引起MOS管炸管，你们说呢？
现在打开DPK560A电源。漏极电压只有 18mV。这就意味着，这个MOS管的导通电阻的确只有 1.8个毫欧姆。再来一次，依然漏极电压只有 18mV左右。现在调节一下DPK560的输出电流，增加一些。漏极电压上升到21mV。继续增加输出电流。使得输出电流增加到 20A。可以看到此时漏极电压上升到 37mV。这一下，问题就非常清楚了。这款MOS管在栅极电压5V的情况下，导通电阻确实不到2个毫欧姆。
本文测量了低压MOS管的导通电阻。重新铺设了测试电路，在10A到20A的电流下，测量得到的导通电阻只有 1.8毫欧姆。这一次，终于看到了这个MOS管的优良的导通性能。总结一下，之前的测量错误结果应该是测量PCB电路的带来的问题。
[1]
MOS管导通电阻与导通电流之间的关系: https://zhuoqing.blog.csdn.net/article/details/151680493?spm=1011.2415.3001.5331
[2]
一款表贴的MOS管：TPH1R403NL: https://zhuoqing.blog.csdn.net/article/details/151675870?spm=1011.2415.3001.5331
来源：TsinghuaZhuoqing
