摘要：M0 Landing: M0蚀刻不够会导致Open, 蚀刻多了会导致EPI Damage, CD小了会degrade DC 性能，CD 大了会degrade AC性能且降低M0-GT Short的工艺窗口。

1. M0 Landing: M0蚀刻不够会导致Open, 蚀刻多了会导致EPI Damage, CD小了会degrade DC 性能，CD 大了会degrade AC性能且降低M0-GT Short的工艺窗口。

2. M0G Landing: 为了提升M0-GT Short的工艺窗口，SAC工艺被引入，其中W-EB和MG CMP是非常关键的工艺步骤。如果W_EB + MG_CMP + M0G_Etch优化不好很容易导致GT Open或者Fin Damage.

3. M0-Gate Short (WL to Node)：可以说在FinFET工艺开发早期阶段，M0-GT Short是良率的第一杀手, 尤其是SRAM WL-Node Short, M0C CD/OVL Control至关重要。

4. Poly ExtFin Process Margin：HKMG部分Flow为SiO2 IL Growth → HfO2 ALD Dep → PDA → TiN Dep → a-Si Dep → PCA → a-Si Remove → TaN Dep...其中a-Si Remove在Poly Extension Fin角落很容易出现残留，这势必会影响器件性能和良率。

5. ILD Void Issue: 当FCVD填充不够理想的时候容易在底部出现ILD Void, 具体表现为(a) M0 T2T Short, TiN可通过底部ILD Void间隙横穿到对面，从而引起短路；(b) M0 S2S Short, W可通过POC底部ILD Void的扩散引起短路。

来源：卡比獸papa