摘要：去年8月，SK海力士宣布已成功开发出全球首款采用1cnm（第六代10nm级别）工艺的16Gb DDR5 DRAM，并计划2024年以内完成量产准备工作，从2025年开始供应产品，继续引领半导体存储器市场的发展。

去年8月，SK海力士宣布已成功开发出全球首款采用1cnm（第六代10nm级别）工艺的16Gb DDR5 DRAM，并计划2024年以内完成量产准备工作，从2025年开始供应产品，继续引领半导体存储器市场的发展。

据TrendForce报道，SK海力士已接近完成量产验证，计划2025年2月开始量产1cnm DRAM芯片，成为全球首家运用1cnm工艺生产DRAM芯片的存储器供应商。预计新产品将率先用于数据中心，不但提升了性能，还能降低功耗。

另一方面，三星也希望尽早量产1cnm DRAM芯片，之前已组装了生产线，不过仅限于试产。虽然三星在2024年末已获得了首个功能齐全的1cnm DRAM芯片，但是还没有达到60%-70%的良品率，量产时间可能延后，将推迟到2025年6月，比原计划晚了大概半年。

此前有报道称，三星已经开始向Lam Research等合作伙伴订购设备，以便在平泽P4工厂建造1cnm DRAM芯片的生产线，预计2025年第一季度开始进行安装。与SK海力士有些许不同，三星打算新工艺首先用于HBM4使用的DRAM芯片。也就是说，1cnm DRAM的量产将影响三星HBM4的工作进度。

为了避免最坏的情况，三星正在调整1cnm DRAM的设计，并将尽最大努力加快开发进程。

来源：小倩科技论