半导体缺陷形成能与迁移势垒计算

360影视 2025-02-08 14:19 3

摘要:半导体材料广泛应用于各类电子器件中,直接影响的人们的生活水平和科学技术的发展。在各种半导体材料中,钙钛矿和二维材料受到了科研人员的大量关注,尤其是他们的电子和催化性质。

半导体材料广泛应用于各类电子器件中,直接影响的人们的生活水平和科学技术的发展。在各种半导体材料中,钙钛矿和二维材料受到了科研人员的大量关注,尤其是他们的电子和催化性质。

VASP是目前最流行的DFT计算软件,每年运用VASP计算结果发表论文的数量稳居同类软件之首,擅长计算半导体材料的结构性质、电子结构、吸附于催化性质。

本次课程将运用VASP软件计算钙钛矿半导体的结构、电子、吸附、缺陷性质,二维半导体的结构与电子性质。

线上录播,提供回放视频,课程群永不解散,随时提问,在线解答。

往期学员课程评价:

课程知识点概览:

基础知识:VASP理论背景,VASP输入输出文件,超算连接、Linux操作系统命令,计算建模、数据绘图;

钙钛矿结构性质计算:无机钙钛矿建模、有机钙钛矿建模、表面模型、结构优化、表面重构、分子动力学模拟;

钙钛矿电子性质计算:电荷密度(总电荷、三维图、二维图、Bader电荷)、态密度(总态密度、分态密度)、原子轨道杂化(COHP、ICOHP)、特殊k点、能带结构、投影电荷密度(HOMO、LUMO);

钙钛矿吸附性质计算:吸附位点、分子构型、吸附能、差分电荷密度计算、结合能;

半导体缺陷性质计算:空位模型、间隙位模型、缺陷形成能、电荷态、空位迁移、间隙位迁移、迁移路径、迁移势垒、过渡态、虚频、虚频消除、电荷分布、态密度、投影电荷密度;

二维半导体结构性质计算:二维结构建模、异质结构建模、结构优化,异质结构结合能、差分电荷密度,静电势、功函数、能带、电场、应变。

注意:本次课程为专题课程,需要有一定的VASP计算基础。零基础学员建议同时报名VASP计算零基础入门培训:晶体结构、电子、弹性、光学、磁性、电池、催化性质计算(点击文字可查看课程详情)。同时报名两个课程可享更多优惠!

讲师介绍

朱老师:华算科技技术资深专家,同济大学本科直接攻读博士学位(4年),海外3年以上博后经历,发表高质量独立一作SCI论文30篇,回国后被授予深圳市海外高层次人才,拥有14年VASP重度使用经验,成功讲授100+场VASP计算培训和超过6W人的学习理论计算公开课。

课表一览

来源:华算科技

相关推荐