摘要：当全球科技界还在讨论中美芯片博弈时，一份来自韩国本土的调查报告揭开了亚洲半导体版图的新变局。韩国科学技术企划评价院近日发布的《半导体技术竞争力评估报告》显示，在39位韩国顶尖半导体专家的联合测评中，中国在核心半导体技术领域已实现对韩国的全面超越。而中国企业的近

当全球科技界还在讨论中美芯片博弈时，一份来自韩国本土的调查报告揭开了亚洲半导体版图的新变局。韩国科学技术企划评价院近日发布的《半导体技术竞争力评估报告》显示，在39位韩国顶尖半导体专家的联合测评中，中国在核心半导体技术领域已实现对韩国的全面超越。而中国企业的近期技术突破，正为这场逆袭写下鲜活注脚。

在这份震动韩国产业界的报告中，五个关键领域的数据尤为醒目：在决定存储芯片性能的低阻抗技术领域，中国以94.1%的技术成熟度逼近世界顶尖水平，将韩国90.9%的得分甩在身后。这一优势在长江存储最新量产的232层3D NAND闪存芯片上得到印证——该产品不仅实现2400MT/s的I/O传输速度，更以每平方毫米20Gb的存储密度比肩国际巨头，海康威视CC700固态硬盘已率先搭载该芯片上市。而在面向人工智能时代的低功耗芯片技术方面，中国88.3%的评估得分领先韩国4.2个百分点，华为最新发布的昇腾910B AI芯片算力达到256TOPS，已应用于42台全球TOP500超算。

值得关注的是，这场技术逆转发生在短短三年间。2022年同类调查中，韩国尚在多数领域保持领先。中国半导体产业通过"双循环"战略布局，在国家集成电路产业投资基金撬动的万亿资本支持下，接连突破关键技术瓶颈。华为自研的5G射频芯片完成国产替代闭环尤为典型：从2021年被迫使用4G射频模块，到2024年MateXT三折屏手机实现100%国产射频组件，海思联合富满微、昂瑞微等企业突破滤波器、功率放大器等核心器件，使5G手机下行速率突破3.3Gbps。中国移动同期发布的"破风8676"射频芯片，更在基站领域打破美日垄断，实现从消费电子到基础设施的全链条突围。

存储芯片领域的攻防战同样激烈。长鑫存储最新推出的18纳米DRAM芯片良率已达85%，其自主架构使晶圆成本降低20%。而长江存储的Xtacking 3.0技术，通过将存储阵列与外围电路分片加工再键合，使芯片面积利用率提升30%，这项创新让232层NAND芯片较国际同类产品功耗降低25%。反观三星，其西安工厂虽具备40万片/月的NAND产能，却因美国设备禁令难以升级128层以上产线。

这场技术变局正在重塑全球半导体供应链。中国在成熟制程领域的绝对优势，使得全球78%的汽车芯片、92%的物联网设备芯片来自中国晶圆厂。而韩国引以为傲的先进制程，正因美国芯片法案的技术封锁陷入"有技术无市场"的窘境。SK海力士无锡工厂的技术升级计划，被业界解读为"以中国市场反哺技术研发"的无奈之举。正如首尔国立大学半导体研究所所长金在中所言："当技术优势窗口期缩短至18个月，没有任何国家能躺在功劳簿上。"

来源：科经观察