博睿光电梁超:功率器件封装用高性能氮化铝陶瓷基板及金属化技术

摘要:在混合动力及电动汽车、电力和光伏 逆变器等多种需求的推动下,SiC和GaN功率半导体市场规模持续增长,陶瓷基板的结构和材料选择对功率半导体器件的性能和应用领域有重要影响。近日,第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛(IFWS&SSLCHI

在混合动力及电动汽车、电力和光伏 逆变器等多种需求的推动下,SiC和GaN功率半导体市场规模持续增长,陶瓷基板的结构和材料选择对功率半导体器件的性能和应用领域有重要影响。近日,第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛(IFWS&SSLCHINA2024)在苏州召开。

期间,”碳化硅功率器件及其封装技术 I“上,江苏博睿光电股份有限公司副总经理梁超做了”功率器件封装用的高性能AlN陶瓷基板及金属化技术“的主题报告。分享了面向功率器件封装用陶瓷基板的发展现况,以及博睿陶瓷基板研究进展等内容。

梁超

江苏博睿光电股份有限公司副总经理

博睿光电陶瓷基板的研究方向,涉及高性能AlN陶瓷基板、基于AlN基板的金属化技术等。热导率的持续提升是研究的焦点,材料缺陷产生的声子散射为制约其热导率提高的核心问题。报告分享了高导热AlN陶瓷的研究思路,超高导热AlN陶瓷制备技术,高导热AlN陶瓷翘曲控制、高导热AlN陶瓷基板表面拓扑控制、AlN陶瓷基板金属化技术等研究进展,以及高导热+[超薄·高强·高韧]基板性能新挑战等。

报告指出,AlN陶瓷基板的热导率提升有利于助推其更广阔的应用前景。超高导热AlN陶瓷基板的低成本制造技术突破将会推动AlN陶瓷基板进入更多应用领域。高性能AlN陶瓷基板与DPC/AMB/DBA金属化技术的充分结合,将会更好的满足未来高密度封装的发展需求。

附:IFWS&SSLCHINA2024论坛介绍

2024年11月18-21日,第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛(IFWS&SSLCHINA2024)在苏州开幕。本届论坛由苏州实验室、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、中关村半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)主办,国家第三代半导体技术创新中心(苏州)(NCTIAS)、江苏第三代半导体研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。来自政、产、学、研、用、资等LED及第三代半导体产业领域国内外知名专家、企业高管、科研院所高校学者,共计2100余名代表注册参会。通过大会、16场主题技术分论坛、5场热点产业峰会、4场强芯沙龙会客厅主题对话、以及第六届先进半导体技术应用创新展(CASTAS)、POSTER展示交流等多种形式的活动,在近30个专题活动、230余个主题报告,台上台下展开探讨,从不同的角度分享前沿技术进展,交流探讨,观点碰撞,探求技术与产业化融合创新与发展之道。

IFWS&SSLCHINA2024论坛上还公布了“2024年度中国第三代半导体技术十大进展”和“9项 SiC MOSFET测试与可靠性标准”。为行业发展做出了积极贡献的企业/单位颁发了2024年度推荐品牌奖。本届论坛共收到260余篇论文投稿,论坛与IEEE合作,投稿的录取论文会被遴选在IEEE Xplore 电子图书馆发表。现场展示116篇POSTER海报。经过程序委员会专家,以及参会人的投票,评选出了10篇最佳POSTER奖。在大会闭幕总结仪式现场,现场颁发了最佳POSTER一、二、三等奖及优秀海报奖。

来源:新浪财经

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