摘要：近日，第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏州召开。期间，“氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术”分会上，中国科学院半导体研究所副研究员、中科重仪半导体联合创始人姚威振做了”GaN基光电材料外延与

MOCVD反应腔的结构和参数对外延生长过程具有显著影响，通过优化反应腔结构可以有效提高GaN基光电材料的质量和性能。

近日，第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏州召开。期间，“氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术”分会上，中国科学院半导体研究所副研究员、中科重仪半导体联合创始人姚威振做了”GaN基光电材料外延与MOCVD反应腔结构关联性研究“的主题报告，分享了MOCVD反应器结构对硅基GaN生长的影响，基于模型的应力与翘曲控制策略的研究进展与成果。

姚威振

中国科学院半导体研究所副研究员、

中科重仪半导体联合创始人

报告显示，通过优化反应器结构的设计，可以提高钼源和反应气体的利用效率，从而提高GaN外延层的生长速率。开发独特的MOCVD实验设备，必须避免同质化研究，提高创新水平。

在反应气体的气相反应过程中，对气源进行适当的预处理和提高基材上方的空间温度对抑制与黄带相关的点缺陷起着积极作用。采用FME模式并优化TMAl和NH3的交替引入时间，可以有效缓解AlN/AlGaN材料中的失配应力，防止因成分拉动效应引起的相分离。

反应器内温度梯度的有效调节可以在衬底中引起预翘曲，这可用于补偿外延层中的应力。使用具有V位结构的单层AlGaN缓冲层有可能实现厚Si基GaN外延材料的无裂纹和均匀生长。MOCVD设备中反应器结构的创新设计对于相关半导体材料器件的发展至关重要。

中科重仪半导体科技有限公司是一家专注于第三代半导体氮化镓（GaN）材料生产与技术应用的国家级高新技术企业。公司成立于2021年，研发中心设在北京，生产基地设于苏州。公司主要从事科研型MOCVD（金属有机化学气相沉积法）国产高端设备，以及高品质、大尺寸GaN外延片材料的生产与销售，并可提供多种半导体测试、分析及定制化解决方案等服务。相关产品可广泛应用于消费电子、可再生能源、数据中心和新能源汽车等领域。

附：IFWS&SSLCHINA2024论坛介绍

2024年11月18-21日，第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏州开幕。本届论坛由苏州实验室、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）(NCTIAS)、江苏第三代半导体研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。来自政、产、学、研、用、资等LED及第三代半导体产业领域国内外知名专家、企业高管、科研院所高校学者，共计2100余名代表注册参会。通过大会、16场主题技术分论坛、5场热点产业峰会、4场强芯沙龙会客厅主题对话、以及第六届先进半导体技术应用创新展（CASTAS）、POSTER展示交流等多种形式的活动，在近30个专题活动、230余个主题报告，台上台下展开探讨，从不同的角度分享前沿技术进展，交流探讨，观点碰撞，探求技术与产业化融合创新与发展之道。

IFWS&SSLCHINA2024论坛上还公布了“2024年度中国第三代半导体技术十大进展”和“9项 SiC MOSFET测试与可靠性标准”。为行业发展做出了积极贡献的企业/单位颁发了2024年度推荐品牌奖。本届论坛共收到260余篇论文投稿，论坛与IEEE合作，投稿的录取论文会被遴选在IEEE Xplore 电子图书馆发表。现场展示116篇POSTER海报。经过程序委员会专家，以及参会人的投票，评选出了10篇最佳POSTER奖。在大会闭幕总结仪式现场，现场颁发了最佳POSTER一、二、三等奖及优秀海报奖。

来源：新浪财经