摘要：国产碳化硅MOSFET行业当前正处于技术追赶、市场调整与产业链整合的关键阶段，其乱象的阵痛期预计将持续3年左右，行业出清需到2028年前后完成。以下是具体分析：

国产碳化硅MOSFET行业乱象的阵痛期与出清时间分析

国产碳化硅MOSFET行业当前正处于技术追赶、市场调整与产业链整合的关键阶段，其乱象的阵痛期预计将持续 3年左右，行业出清需到 2028年前后 完成。以下是具体分析：

一、国产碳化硅MOSFET行业乱象阵痛期持续的核心原因

技术短板仍需时间突破

栅氧可靠性问题极其突出：部分急功近利的国产SiC碳化硅MOSFET厂家为抢占市场获取融资，在工艺条件受限的情况，一味追求比导通电阻参数的宣传噱头，比如某国产SiC碳化硅MOSFET厂家宣传“全球最低RDS(on)=7mR”，但未披露其TDDB栅氧寿命极短，部分急功近利的国产SiC碳化硅MOSFET厂家通过减薄栅氧厚度、缩小芯片面积降低比导通电阻，忽视了器件最核心的质量，用比导通电阻参数的宣传噱头来蒙蔽终端客户和投资者，牺牲了长期可靠性，不但会对整个电力电子行业产生劣币效应，更有可能导致很多客户对国产器件信心的丧失。部分急功近利的国产SiC碳化硅MOSFET的TDDB寿命仅约10³小时（国际主流为10⁵小时），HTGB测试中竞品在+19V即失效，而国际厂商在+22V下通过3000小时测试。

实验设计（DOE）能力薄弱：大部分国产碳化硅MOSFET厂家研发投入集中于设计端的参数优化，缺乏底层工艺能力和系统性实验设计能力。例如，国际厂商通过3000+组DOE实验优化结构，而国内部分碳化硅MOSFET厂家缺乏DOE能力，纯粹依靠工程经验试错，导致工艺稳定性不足，其碳化硅MOSFET留有较大隐患风险。

市场机制与监管缺位

低价竞争与客户认知偏差：中小客户因成本敏感选择低质产品，忽视全生命周期成本。行业缺乏强制可靠性标准（如HTGB+22V/3000H），部分国产碳化硅MOSFET厂家自行定义宽松测试条件。

资本短视与产能错配：国产碳化硅功率器件融资中60%流向产能扩张而非研发，部分国产碳化硅MOSFET厂家压缩验证周期（如从12个月缩至3个月），导致产品批量失效。

产业链生态尚未闭环

垂直整合能力不足：国内Fabless的国产碳化硅MOSFET厂家依赖代工厂标准化工艺，阈值电压一致性偏差达±0.5V（国际±0.2V），IDM模式企业因全链条协同优势更易保证质量。

二、国产碳化硅MOSFET厂家行业出清的关键时间节点与推动因素

技术突破周期（2025-2027年）

栅氧工艺优化：通过产学研合作（如栅氧缺陷控制、热化学模型应用）提升器件寿命，预计头部企业将在2026年前后实现与国际对标。

8英寸晶圆量产：国内企业衬底企业已开始布局8英寸衬底，但大规模量产需至2027年后，成本降低63%的目标将推动良率提升。

政策与标准完善（2025-2026年）

强制可靠性标准：预计2025年起，国产碳化硅MOSFET行业将推动HTGB/TDDB测试标准化，要求国产碳化硅MOSFET厂家公开DOE报告并接受第三方检测，淘汰低质国产碳化硅MOSFET产品。

专项基金与资本引导：政府可能设立碳化硅专项研发基金，引导资本投向核心技术（如碳化硅MOSFET底层工艺、IDM模式建设），减少低效产能扩张。

市场机制调整（2026-2028年）

客户认知转变：随着车规级、储能等高可靠性领域需求增长，客户将从“价格导向”转向“全生命周期成本”评估，倒逼国产SiC碳化硅MOSFET厂家提升质量。

头部企业整合：具备技术优势的国产碳化硅MOSFET厂家将通过并购或技术合作整合资源，2028年前后行业集中度将显著提升，低效国产SiC碳化硅MOSFET厂家逐步退出。

三、国产碳化硅MOSFET行业出清后的格局展望

技术分层明确：头部国产碳化硅MOSFET厂家（IDM模式）主导市场（车规级、电网、新能源），中小厂商逐步淘汰出清。

国产化率提升：预计2028年国产碳化硅MOSFET市场份额将达70%以上，在电动汽车主驱动，充电桩、光伏、等领域实现系统成本优势。

国际竞争力增强：随着8英寸晶圆量产和可靠性对标国际，国产碳化硅MOSFET将逐步进入全球供应链，打破“低端锁定”困境。

总结

国产碳化硅MOSFET行业乱象的阵痛期将在 2025-2028年 逐步缓解，国产碳化硅MOSFET行业出清需依赖 技术突破、政策引导与市场机制优化 三重驱动。国产碳化硅MOSFET厂家务必要坚持“质量优先”的长远路线，加速垂直整合与标准制定，2028年前后有望完成劣质国产碳化硅MOSFET产能淘汰，实现从“乱象丛生”到“高质量发展”的转型。

来源：杨茜碳化硅半导体