摘要：在一样的时间，内网小作文也用中文同步发力，内容又是一惊一乍的玄乎风格，这类小作文正常一年都得看得四五回，去年，前年，大前年，每年不断往复从没有停过。以下为奇文共赏

半导体工程师 2025年03月10日 10:06 北京

3月8号又传出海外媒体报导国产EUV的消息，内网也配合的中文小作文满天飞。

先来看看这些消息，小作文的来源是两个X帐号，跟所谓媒体没有任何关系

在一样的时间，内网小作文也用中文同步发力，内容又是一惊一乍的玄乎风格，这类小作文正常一年都得看得四五回，去年，前年，大前年，每年不断往复从没有停过。以下为奇文共赏

看完这些小作文之后，咱们来科普下相关内容。

小作文 1 说国产EUV采用LDP技术，在东莞进行测试，2025Q3试生产，2026年量产，然后配上了一个牛头不对马嘴的EUV物镜装调干涉仪的照片。

先说说这照片中吸引大家眼球的是一台不可名状的机器，上面有斗大的EUV三个大字，再配上文字，瞬间全网惊呼，国产EUV光刻机已经诞生，其实大家再仔细看看这台仪器除了显眼的EUV以外，后面还写着物镜装调干涉仪，这跟光刻机八竿子打不着，连光刻机子系统都算不上，而是一台用来装配光刻机物镜的干涉仪。

搞笑的是，今天还有媒体，煞有其事的根据仪器上的名字去扒了下这台设备，出自浙大的极端光学技术与仪器全国重点实验室，然后配上浙大这台设备采预了LDP技术制造EUV光源，这种媒体环境真的是离谱到奶奶家。

一个装配物镜用的干涉仪跟LDP有任何关系，跟光刻机有一毛钱关系，为啥媒体可以张嘴就来！哪怕动手去问问deepseek也不会如此无知。

一般来说，光刻机的物镜由于精度非常高，所以把不论制造物镜或者把物镜装上光刻机也同样需要极高的精度，主要针对波像差量测校正，位移量测，面形量测等三个部分，这些步骤都需要超高精度的干涉仪且经过不断反覆调整才能完成。

比如单单把物镜安装上光刻机的位移量测，需要在大量程6自由度如此复杂的前提再耦合高速运动条件等条件下进行，干涉仪的精度必须在0.1nm以下才能实现，所以单单这个安装光刻机物镜的干涉仪就得重新自主研发。因为这玩意国外也不卖给我们了。

ASML有两个重要的干涉仪供应商，物镜安装调整的干涉仪由物镜御用厂家Zeiss SMT，也就是德国蔡司半导体技术公司直接来提供，ASML也投资了这家公司，与其一起研发EUV光刻机上所需的光学部件。

另外一个干涉仪厂家是美国的Zygo公司，他主要供应ASML工件台的激光干涉仪组件，加上ASML自主开发的反馈控制算法，由于光刻机工件台，需要瞬间启动以及停止，移动速度高达7个G以上，同时精度还需达到亚微米级别，加上日本的两个光刻机品牌，目前工件台的激光干涉仪供应商全球只有Zygo以及Renishaw兩家。

上述所有超高精度的干涉仪目前对我们中国都是严格审核，早在2022年底，我们就无法再买到光刻机上用的进口激光干涉仪，所以开启了自主开发之路，哈工大的胡鹏程团队针对工件台的激光干涉仪以及浙大极端光学实验室针对物镜装调的干涉仪均立项开始研制，但这些产品还是需要产业去高强度使用发现问题，不断优化才能成为成熟产品。

也就是说，我们看到的光刻机是由物镜，光源，工件台三大子系统组合而来，这三大子系统除了各自问题以外，连装配这种微不足道的细小环节都需要重新自研一套干涉仪来应对，所以单一个子系统都将是浩瀚的工程，而把各子系统整合成光刻机又是另外一道困难的天堑。

既然小作文把干涉仪当成光刻机是一个大乌龙，那小作文所谓的LDP也就是激光诱导放电等离子，这听起来高大上的专业名词又是啥玩意？不会又是乌龙吧！

没错就是乌龙，这种小作文的离谱，充满着大家看不懂的专业术语，但基本上就沒一句话是正确的，但无奈大家爱看，哎

其实早在90年代初期，全球半导体产业对DUV下一代光刻机的光源的探讨，就包括了同步辐射光源、自由电子激光器、放电等离子体(DPP)光源、和激光等离子体(LPP)光源，这其中各种技术分别代表不同国家与企业甚至行业联盟，激光诱导放电等离子（LDP）在90年代末也加入竞争，这个技术由日本与欧洲领衔，在经历可写成一本书的角逐与不断的论证与淘汰，最终ASML代表的LPP路线胜出，代表LPP是最靠谱的技术路线，但确实不是唯一路线。

也就是说小作文所谓的LDP-EUV技术并非啥新鲜事，是行业这几十年发展中的一支没有成功的技术路线，比前年大炒特炒的清华同步辐射SSMB-EUV光刻工厂还不靠谱，其实同步辐射一直是学术界用以实现EUV的技术路线之一，只是他并不是太适合半导体行业的光刻，这里面有大量的工程问题需要克服，相关问题在作者以前的文章有大量阐述，有兴趣的可以点击连结去研究研究。

其实LDP的研究，日本USHIO在德国的子公司Extreme，从2001年开始就一直有相关研究以及产品推出，早在2012年布鲁塞尔的EUV光刻技术国际演讨会中，Extreme推出其全新的LDP光源技术，主要就是与Cymer争夺ASML EUV光刻机的光源供应商。

激光器功率达50kw的第四代Ushio光源在2012年就开始配合ASML的第二代EUV光刻机NXE:3300B的前期研发工作，要知道2013年NXE:3300B才正式交付给台积电以及英特尔做下一阶段fab的alpha研发工作。

跟据2012年在EUV技术国际研讨会，Ushio的LDP技术已经可以达到74w的理论光源输出功率，距离量产的最低要求250w是有机会的。

但是很不幸，最终2013年推出的NXE:3300B还是配置采用LPP技术的Cymer光源，输出功率在台积电的fab12研发中心，被当时还是台积电研发处长Antony，带领的团队花了快5年的时间，从NXE:3100的10w推进到了3300B的90w。

这90w的突破是历史性的，因为这数据不再是实验室的理论数据，当时Cymer的实验室里演示出高于10w数倍的功率，Ushio的LDP技术也能在实验室70多w，但这些实验室数据都只是短暂的瞬间，而不是七天二十四小时持续发光。

时任台积电研发处长Antony的团队是在真正生产芯片的fab去跑wafer，从中不断地提高功率的同时，还不断地提高光源稳定性，这让LPP-EUV光刻机的量产跨过实验室成为真正可行的技术。

所以说咱们不要老是把还在研发中或者只是具备可能性的科研前期中期，甚至后期的各种阶段突破来当成整个光刻机突破了。

正是因为台积电Antony团队的突破，2015年ASML才有了离量产机更近一步的NXE:3350B，最后在2017年一举将光源功率推进到250w，推出全球第一台真正可量产的NXE:3400B。

从这个过程，我们可以了解到一台设备的开发过程，并非什么demo样机出来之后就能上线生产芯片，这还得通过非常多的阶段，从上图里面2026年的第一台ADT样机，到能达到250w量产功率的3400B，这过程经历了多少年，推出了一代又一代的研发机型，什么某个方面突破之后就国产光刻机就能生产出国产芯片，这类思维逻辑不存在半导体行业，请大家一定要建立好这个基础认知。

话又说回LDP技术，从2006年ASML的ADT到2015年NXE3350B，LDP与LPP在ASML的EUV光源还是属于同台竞技，虽然LPP看起来更有未来，但鹿死谁手还不知道。

LDP的代表日本牛尾集团并没有认输，他一直是在配合ASML做研发工作的，但是从Antony在台积电把cymer的LPP光源功率推进到90w的时候，就宣告了LDP技术正式被淘汰。

笔者几乎是全网能找出唯一能说这段EUV光源技术竞争历史的人，因为Ushio的LDP光源一直都是在幕后，不为人所知直到被淘汰，所以昨天的LDP小作文一出，我也只能莞尔一笑。

LDP的问题主要还是在输出功率以及稳定性上，这种明确被淘汰的技术内网小作文拿来大作文章，就如同文前我说的比上次的SSMB光刻工厂还不靠谱。

其实LDP还是有其优点的，比如装置的小型化，所以目前Ushio的LDP技术被鼎鼎大名的Lasertec用在EUV掩膜检测光源上，这也是LDP最好的技术归宿。

其实在2月中，笔者在知识星球就已经通知会员们准备要炒光刻机了，我个人也埋伏了几个光刻机概念票，但由于港股近期太火爆，而且笔者非常看好今年的港股行情，所以毅然决然上周清仓这些埋伏的票全部转进港股，谁知道昨天小作文真的来了。

其实也无所谓，炒作只是小仓位瞎玩，不应该耽误去港股赚钱的大事。

另外在去年9月，笔者在知识星球也提前预告过准备要炒光刻机了，大约过半个月的时间，市场连续有光刻机的小作文，最终某光刻机的进入工信目录的大新闻出来，你说巧不巧，这些讨论全部都留在知识星球，大家都可以去看，就是这么凑巧。

来源于梓豪谈芯，作者隔壁老吴