摘要：国家知识产权局信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请一项名为“将硅片在外延基座上对中的方法、系统及设备”的专利，公开号CN 119041024 A，申请日期为2024年8月。

金融界2024年11月30日消息，国家知识产权局信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请一项名为“将硅片在外延基座上对中的方法、系统及设备”的专利，公开号CN 119041024 A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本公开涉及将硅片在外延基座上对中的方法、系统及设备。在一方面中，提出了一种将硅片在外延基座上对中的方法，其包括：根据由第一硅片在外延基座上经过外延生长而获得的外延片的四个等分区各自的多个ERO结果的和值，确定第一硅片相对于外延基座的偏移数据，其中，四个等分区对应于第一硅片的在被移置到外延基座上时与外延腔室的前、后、左、右四个等分区域对应的四个等分区；以及基于偏移数据，调整待生长外延的第二硅片在外延基座上的位置。由此，能够提高生产效率并提高偏移位置调整的准确性。

来源：金融界