摘要：昨天3 月 18 日，受邀参加了在北京举行的"2025 英飞凌消费、计算与通讯创新大会 "（ICIC 2025），相关用户企业和产业链技术人员就 AI、机器人、边缘计算、氮化镓应用等话题展开探讨。

昨天3 月 18 日，受邀参加了在北京举行的"2025 英飞凌消费、计算与通讯创新大会 "（ICIC 2025），相关用户企业和产业链技术人员就 AI、机器人、边缘计算、氮化镓应用等话题展开探讨。

说到英飞凌，想起了今年年初在某站爱国主播关于中国高尖端技术卡脖子系列直播中，有两个个南京的理科研究生就英飞凌的世界首款12寸氮化镓功率半导体晶圆问题，与主播和直播间嘉宾产生了激烈辩论，我映像深刻，

相关行业人事阐述目前主要应用是8寸晶圆，以及氮化镓属于中高端制备，并不存在卡脖子问题，我国在8寸和氮化镓应用产品上已经没有可以影响的因素。

但是，在技术先进性上和高尖端突破，已经深厚的技术累计上，英飞凌还是在市场上属于我们追赶和深层次合作的主要对象，

英飞凌来华建厂开展业务已经30年之久，1995年在南方建立业务开展至今，德国车企和养殖企业与我们合作贸易交流深刻，一时半会也不可能完全割裂。

个人感觉，在校的研发创新人员，一定要知道什么是最好的，最好的东西在哪，最好的东西能干什么，如何成为一个创新突破的研发人员，如何探寻更深层次的合作共赢方式和机遇，仰慕学习不断自我进步而不是一味的去证明距离和差距的。

距离都是促进研发创新追和寻求问题合作模式的，距离不是用来感叹和抬杠的。退一步说国防和大众够用的自我研发生产底线有行，不用非要把谁超越。

所以，本次大会我着重关注了一下。

大会首次展示了英飞凌两款突破性技术—— 300mm 氮化镓功率半导体晶圆和 20 μ m 超薄硅功率晶圆。

英飞凌展示了四款重磅新品，包括 PSOC Control C3 MCU、新一代中压 CoolGaN 半导体器件、CoolMOS 8 高压超结（SJ）MOSFET 和 XDP 数字电源，这些新品在性能、效率和可靠性方面均有显著提升。同时，英飞凌近期推出的新一代高密度功率模块，即 OptiMOS TDM2454xx 四相功率模块也在国内首次亮相。

PSOC Control C3 MCU

此次大会不仅是技术的展示，更是一场思想的碰撞和未来合作的铺垫。在AI、机器人、边缘计算等领域的讨论中，参会者们共同探索了这些前沿技术的最新发展及其在不同行业中的应用前景。

特别是在AI领域，随着技术的不断演进，英飞凌预计其AI业务的营收在2025财年将突破6亿欧元。这种增长预期不仅反映了市场对高效能电力管理解决方案的需求增加，也显示了英飞凌在技术创新方面的前瞻性布局。

通过这次大会，可以看出英飞凌不仅在技术研发上处于领先地位，还在推动行业发展和应用落地方面发挥了重要作用。对于中国来说，虽然在部分高端技术上仍有追赶的空间，但通过加强国际合作和技术交流，完全有可能在未来实现更高层次的技术自主和产业升级。

此外，大会还设置了一系列技术工作坊和展览区，让参会者能够亲身体验英飞凌的最新技术和产品。在这些工作坊中，技术人员详细介绍了英飞凌在氮化镓、MCU、MOSFET等领域的技术突破和应用案例，引发了参会者的浓厚兴趣和热烈讨论。

来源：小茵看科技