摘要：FinFET于2011年由英特尔首次引入IC行业并实现生产。到目前为止，它仍然是高级过程节点的主流。简化的HKMG体FinFET工艺流程如下：

FinFET于2011年由英特尔首次引入IC行业并实现生产。到目前为止，它仍然是高级过程节点的主流。简化的HKMG体FinFET工艺流程如下：

1. Wafer Start & Well Formation

2. Mandel & Spacer HM Formation

3. Fin Etch & Fin Remove (AR_H & AR_V)

4. STI & Fin Recess

5. Dummy Gate Formation

6. Offset Spacer & Extension IMP

7. PSD EPI Growth

8. NSD EPI Growth

9. ILD0 Formation

10. HKMG (DPR/DGO/IL/HK/WFM)

11. HKMG (WFM_RM/AlTi/W/CMP)

12. SAC Process (Gate Encapsulation)

13. MOL Loop (M0 & M0G)

14. BEOL Loop (M1/V0/M2…)…

BEOL金属线连接与传统的铜大马士革工艺相同。由于材料有限，只能显示简化的流程。实际上，由于FinFET的演变持续了几个节点，引入了一些新的工艺步骤：通过SAQP可以实现更小的Fin间距；SADP与聚合物装饰相结合可以实现更小的Lg；以延长Poly Extension Fin工艺窗口；将SDB first 更改为SDB last，以实现更好的过程控制；MOL连接材料可以从钨（W）改为钴（Co），以实现更好的导电性。

来源：卡比獸papa