中微公司刻蚀技术新飞跃：双反应台刻蚀精度达0.2A亚埃级

摘要：中微半导体设备（上海）股份有限公司，即中微公司，近期在半导体制造技术领域取得了显著进展。公司宣布，其ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star®在提升反应台间气体控制精度方面实现了新的技术突破。

中微半导体设备（上海）股份有限公司，即中微公司，近期在半导体制造技术领域取得了显著进展。公司宣布，其ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star®在提升反应台间气体控制精度方面实现了新的技术突破。

这一突破性的成就体现在刻蚀精度上，达到了前所未有的0.2A（亚埃级）水平。该精度已在氧化硅、氮化硅和多晶硅等多种薄膜材料的刻蚀工艺中得到了验证。这一数值极为微小，仅相当于硅原子直径2.5埃的十分之一，或是人类头发丝平均直径的五百万分之一，展示了中微公司在精密制造领域的卓越实力。

在进一步的性能测试中，中微公司对200片硅片进行了重复性测试。结果显示，在氧化硅、氮化硅和多晶硅的测试晶圆上，左右两个反应台各处理的100片晶圆，其平均刻蚀速度的差异分别仅为每分钟0.9埃、1.5埃和1.0埃。值得注意的是，两个反应台之间的平均刻蚀速度差异（≤0.09%）远小于单个反应台处理多片晶圆时的刻蚀速度差异（≤0.9%），这证明了Primo Twin-Star®在刻蚀均匀性和稳定性方面的卓越表现。

中微公司还透露，其CCP双台机Primo D-RIE®和Primo AD-RIE®的加工精度同样令人瞩目。这两款机器在两个反应台上的刻蚀重复性和生产线上的重复性已达到与Primo Twin-Star®相同的水平。在轮流加工1000片的重复性测试中，两款机器的两个反应台之间的平均刻蚀速度差异仅为每分钟9埃，小于1.0纳米，再次验证了中微公司在半导体制造领域的领先地位。