便携式固态硬盘市场调研报告-发展趋势、机遇及竞争分析
由于游戏、内容创建和专业用途等数据密集型应用对高速、可靠存储解决方案的需求日益增长，便携式固态硬盘（SSD）市场正在经历大幅增长。与传统硬盘（HDD）相比，便携式固态硬盘具有多项优势，包括更快的数据传输速度、更低的功耗和更高的耐用性。
nand
铠侠敦促贝恩资本和东芝出售持股，力争在三年内将AI NAND闪存市场份额翻倍
经过了数年的拉扯，铠侠（KIOXIA）终于在2024年12月18日在东京证券交易所正式挂牌上市，这也是日本今年最大的一起首次公开募股（IPO）。铠侠上市后，两大股东贝恩资本和东芝都打算逐步减少持股比例，以回收资金。
苏州元脑智能取得一种固态硬盘调试板专利，可调试不同厂商、不同型号NAND Flash
国家知识产权局信息显示，苏州元脑智能科技有限公司取得一项名为“一种固态硬盘调试板”的专利，授权公告号 CN 222167587 U，申请日期为2024年4月。
闪存面世40周年：创新与变革之旅
1984年12月，在IEEE集成电子器件会议上，桀冈富士雄（Fujio Masuoka）公布了一项将永远改变数据存储领域的突破性技术：闪存。40年后的今天，闪存已成为从智能手机到企业数据中心、嵌入式系统乃至更多领域的不可或缺的组成部分。40年的历程，对于闪存技
【半导体存储】关于NAND Flash的一些小知识
非易失性存储器芯片在断电后亦能持续保存代码及数据，分为闪型存储器 （Flash Memory）与只读存储器（Read-OnlyMemory），其中闪型存储器是主流，而闪型存储器又主要是NAND Flash 和NOR Flash。
“技术瘦身”藏智慧，长存160层闪存显国产辉煌！
在这个科技飞速发展的时代，我们每天都在见证着新技术的诞生和旧技术的淘汰。然而，有时候，一些看似“技术倒退”的现象，却隐藏着不为人知的秘密和深远的意义。今天，我就要给大家讲述一个关于中国存储芯片企业长存的故事，一个关于“技术瘦身”背后国产供应链胜利的故事。
深圳市芯存科技取得 SPI NAND 闪存的寿命预测方法、装置、设备及存储介质专利
金融界 2024 年 12 月 11 日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市芯存科技有限公司取得一项名为“SPI NAND 闪存的寿命预测方法、装置、设备及存储介质”的专利，授权公告号 CN 118643280 B，申请日期为 2024 年 8 月 。
联和存储科技取得在NAND闪存中烧录文件系统的专利
国家知识产权局信息显示，联和存储科技（江苏）有限公司取得一项名为“在NAND闪存中烧录文件系统的方法及电子设备、存储介质”的专利，授权公告号 CN 118069167 B，申请日期为 2024年2月。
跨国计算机存储大厂铠侠公司
**NAND闪存技术**：作为NAND闪存的发明者之一，铠侠在闪存技术领域拥有深厚的技术积累和丰富的经验 。其研发和生产的闪存颗粒被广泛应用于各种存储产品中，从固态硬盘、存储卡到U盘等.
400层NAND大飞跃！存储新技术量产在即，生活将迎巨变！
各位乡亲们，今儿咱们得聊聊一件大事儿，一件跟咱们日常生活息息相关，却又常常被咱们忽略的大事儿——存储技术！你们知道吗？最近有个叫400层NAND的技术，已经完成了开发，正准备量产呢！这事儿，对于咱们普通人来说，可能听起来有点陌生，但我要告诉你们，这技术一旦普及
三星电子400层NAND完成研发，已开始导入产线
目前，三星电子已在其半导体研究所成功完成400层NAND技术，并已于上月开始将这项先进技术转移到平泽园区一号工厂的大规模生产线上。
三星400层NAND Flash量产倒计时
这将使三星电子处于NAND Flash的领先位置，超过开始量产321层堆叠NAND Flash的SK海力士。
三星400层NAND闪存技术领先！2025年或实现大规模量产
近期，科技巨头三星公司在NAND Flash闪存技术领域取得了重大进展，成功研发出400层堆叠的NAND Flash技术，并已着手进行大规模生产。这一消息标志着三星在存储技术领域的又一次飞跃，也预示着NAND Flash市场的竞争格局将迎来新的变化。
三星完成400层堆栈NAND Flash，最快2025年第二季量产
韩国媒体报道表示，三星半导体研究所完成突破性400层堆栈NAND Flash闪存开发。11月开始将技术转移到平泽园区一号工厂产线。重要的里程碑使三星处于NAND Flash领先位置，超过开始量产321层堆栈NAND Flash的SK海力士。
400层NAND：完成开发，准备量产
三星电子已在其半导体研究所成功完成其突破性400层NAND技术的开发。三星于11月开始将这项先进技术转移到平泽P1厂的量产线上。这一重要里程碑使三星处于NAND闪存技术的前沿，因为它准备与SK海力士等行业对手竞争，后者已宣布量产321层NAND。
三星400层NAND闪存技术领先，2025年二季度末或开启量产
近期，三星电子在NAND Flash闪存技术领域取得了重大突破，成功研发出400层堆叠技术，并正紧锣密鼓地推进该技术向大规模生产的转移。这一消息无疑为全球存储市场注入了新的活力。
突破性进展！三星400层NAND闪存开发完成：最快2025年二季度末量产
三星已成功开发出突破性的400层堆叠NAND Flash闪存技术，并已开始将该技术转移到大规模生产线。
三星完成400层NAND Flash开发，最快2025年二季度末量产
根据韩国媒体BusinessKorea报道称，三星电子在其半导体研究所中已经成功完成了突破性400层堆叠NAND Flash闪存技术的开发。同时，三星也自上个月开始，将这项先进技术转移到其平泽园区一号工厂中大规模生产线。而这一重要的里程碑的达成，将使得三星处于
三星4XX层NAND闪存技术已开发完成，量产在即？
近期，韩国媒体SEDaily发布了一则关于三星电子的最新研发进展。据悉，三星在其内部研发机构已经成功完成了4XX层第10代3D V-NAND闪存的开发工作。这一技术的研发成果，标志着三星在闪存技术领域又迈出了重要的一步。
三星电子400层NAND完成研发 并已开始导入产线
三星电子已在其半导体研究所成功完成400层NAND技术，并已于上月开始将这项先进技术转移到平泽园区一号工厂的大规模生产线上。三星电子计划于明年2月在ISSCC上详细发布其1Tb容量400层TLC NAND，其量产预计将于明年下半年开始，但业界预测，如果加快进程