2025年中国NAND FLASH存储器行业市场深度分析报告-华经产业研究院
华经产业研究院为助力企业、科研、投资机构等单位了解NAND FLASH存储器行业发展态势及未来趋势，特重磅推出《2025-2031年中国NAND Flash存储器行业市场发展监测及投资潜力预测报告》，本报告由华经产业研究院研究团队对NAND FLASH存储器行
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固态硬盘（SSD）到底是怎么工作的？
SSD三个核心组件为NAND闪存，Controller及固件，NAND闪存负责数据的存储，Controller与固件协同合作完成数据的读写，维护SSD的性能和延长使用寿命。部分固态还会带有缓存芯片，具体组件的分布情况以（图1）三星固态工作原理图为例。
硬盘 ssd nand 固件 controller 2025-05-12 18:05 2
存储芯片价格普涨，三星等巨头如何应对市场需求激增？
近期，存储芯片市场迎来了一波价格调整的风潮。据悉，三星电子在本月早些时候与多家核心客户就提升DRAM等存储产品价格达成了一致意见。据内部消息透露，SK海力士紧随其后，对其DRAM产品价格进行了上调，调整幅度高达12%。
中国存储芯片厂开始扰动全球价格战
在半导体存储器市场上，中国大型企业的存在感正在增强。这是因为技术创新推动供应厂商以中国为中心增加，价格竞争力也在提高。由于政府的补贴政策，中国有些产品比其他国家便宜50%左右，这成为压低世界大宗交易价格的一个因素。
英韧科技申请耐用性预知的 NAND 闪存管理专利，提高存储系统性能
金融界 2025 年 5 月 10 日消息，国家知识产权局信息显示，英韧科技股份有限公司申请一项名为“耐用性预知的 NAND 闪存管理”的专利，公开号 CN119943117A，申请日期为 2021 年 12 月。
朗姆研究公司取得在 3D NAND 结构上的原子层沉积专利
金融界 2025 年 5 月 9 日消息，国家知识产权局信息显示，朗姆研究公司取得一项名为“在 3D NAND 结构上的原子层沉积”的专利，授权公告号 CN113424300B，申请日期为 2019 年 12 月。
群联电子表示出货动能升温
群联电子表示，旗下搭载PCIe Gen 4的SSD控制IC存储器模组，获全球最大GPU厂认证通过，预计6月供货AI服务器供应商，出货动能放大。
恒烁股份(688416.SH)：暂时还未有应用于数据中心、硬盘的产品
格隆汇5月7日丨恒烁股份(688416.SH)在投资者互动平台表示，公司2024年在嵌入式存储产品线业务实现新突破，利基型 NAND Flash产品搭载国际主流24nm NAND Flash原厂晶圆，容量涵盖1Gb～4Gb，32Gb～64Gb，产品类型包括SP
恒烁股份：暂未有应用于数据中心、硬盘的产品
有投资者在互动平台向恒烁股份提问：您好，根据公司的年报中了解到，公司有NAND芯片吗，是否可用于数据中心、硬盘等方面。是否已经再出货了呢。
4月DRAM价格飙升22%、NAND上涨11%
在近期的市场动态中，DRAM和NAND价格的显著上涨引发了广泛关注。其中，DRAM固定交易价格在4月份上涨了22%，达到了每千兆字节1.65美元，而NAND闪存价格也上涨了11%，达到每128Gb2.79美元。这一价格波动主要是由于IT设备制造商为应对美国政府
计算机存储双雄：固态硬盘与内存条的技术演进与应用解析
在数字化时代，计算机存储系统作为数据处理的基石，承载着操作系统运转、程序执行、用户交互等核心功能。作为存储体系中的两大核心组件，固态硬盘（SSD）与内存条（RAM）构成了计算机性能的金字塔结构。本文将从技术原理、性能特征、架构设计三个维度，深入解析这两种存储设
三大DRAM供应商停产DDR3/4，PC DRAM涨价，NAND闪存价现分化
依据TrendForce发布的内存现货价格趋势报告，全球三大DRAM供应商宣布即将停产DDR3与DDR4 DRAM，这一决策迅速在现货市场激起波澜，买家为避免供应短缺风险，纷纷提前囤积相关内存产品。
DRAM价格，飙升22%
由于特朗普政府引发的关税风险，IT设备制造商纷纷采取措施确保芯片库存，导致4月份DRAM和NAND的固定交易价格飙升。不仅高带宽存储器（HBM）等超高价位存储器的价格上涨，通用DRAM的价格也随之上涨，预计这将对三星电子和SK海力士第二季度的业绩产生积极影响。
打开万亿市场！10家高增长存储芯片企业的机遇，最后两家涨7倍
据相关报告指出，存储芯片价格回升超预期，DRAM现货价格上涨，厂商上调NAND闪存报价。
DRAM停产风波：PC内存价格跃升近5%，市场何去何从？
全球DRAM市场近期迎来重大变动，据TrendForce最新发布的报告揭示，三大DRAM制造商已正式宣布即将停止生产DDR3和DDR4 DRAM产品。这一消息迅速在现货市场中激起涟漪，众多买家为应对潜在供应短缺，纷纷提前采取行动，积极囤购相关内存产品。
应用材料公司申请沉积硅基介电膜的方法专利，形成3D NAND结构内高纵横比结构
国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“沉积硅基介电膜的方法”的专利，公开号CN119895076A，申请日期为2023年7月。
华邦电24纳米NAND Flash成功量产
存储厂华邦电股东会新年报出炉，董事长暨执行长焦佑钧在致股东报告书中指出，该公司全球领先的NOR Flash 45纳米制程正扩大贡献营收，且NAND Flash 24纳米已顺利投入量产。
3D NAND光刻胶市场调研报告-发展趋势、机遇及竞争分析
3D NAND光刻胶是一种特殊类型的光刻胶材料，用于制造 3D NAND闪存的光刻工艺。KrF是光刻中常用的光源（波长248 nm），用于在半导体制造工艺中较小的节点（通常低于 14nm）上进行更精细的图案化。这种类型的光刻胶专门设计用于承受高密度3D NAN
山东华芯半导体申请实现 Nand 命令分层管理专利，可更加高效并行处理命令
金融界 2025 年 4 月 28 日消息，国家知识产权局信息显示，山东华芯半导体有限公司申请一项名为“一种实现 Nand 命令分层管理的装置及方法”的专利，公开号 CN119883122A，申请日期为 2024 年 12 月。
联和存储科技申请SPI NAND FLASH存储芯片测试方法及设备专利，可有效测试芯片不同操作频率下性能
国家知识产权局信息显示，联和存储科技（江苏）有限公司申请一项名为“SPI NAND FLASH存储芯片的测试方法及测试设备”的专利，公开号CN119889409A，申请日期为2024年12月。