东芯股份上涨5.49%，报77.86元/股
8月11日，东芯股份盘中上涨5.49%，截至09:31，报77.86元/股，成交2.36亿元，换手率0.71%，总市值344.34亿元。
nand
外媒：芯片制裁升级了？
当美再次挥舞芯片制裁大棒，升级制裁试图通过撤销台积电、三星等企业在华技术豁免权来遏制我国半导体产业发展时，这场持续数年的科技博弈已进入深水区。然而，与以往不同的是，中国手中握有的反制筹码与产业韧性，正在重塑这场博弈的底层逻辑——制裁与反制的攻守之势，正悄然发生
三星这项技术，焕发第二春
据《电子时报》（DigiTimes）报道，三星下一代Z-NAND的性能目标最高可提升至15倍，同时研发出一项新技术，使GPU能够直接访问由Z-NAND驱动的存储设备（类似微软的DirectStorage API）。
存储大厂MLC NAND停产，旺宏电子看好eMMC放量
日前，存储厂商旺宏电子表示，不会直接以MLC NAND颗粒应对市场，而是以eMMC形式出货，相关产品与搭配的控制器均已准备就绪。MLC产品线因营收占比低，未揭露具体数据，但公司看好后续eMMC放量出货，将推升整体NAND营收状况。
东芯股份上涨5.44%，报64.32元/股
8月7日，东芯股份盘中上涨5.44%，截至09:30，报64.32元/股，成交2.89亿元，换手率1.02%，总市值284.46亿元。
江波龙：目前UFS、eMMC等NAND Flash产品占嵌入式存储收入较大比重
【江波龙：目前UFS、eMMC等NAND Flash产品占嵌入式存储收入较大比重】财联社8月6日电，江波龙在互动平台表示，公司嵌入式产品包括UFS、eMMC、ePOP、LPDDR等，目前UFS、eMMC等NAND Flash产品仍然占嵌入式存储收入的较大比重。
桑迪士克取得用于3D NAND的局部页面感测模式等专利
国家知识产权局信息显示，桑迪士克科技股份有限公司取得一项名为“用于3D NAND的局部页面感测模式、方法和装置”的专利，授权公告号CN113168872B，申请日期为2019年12月。
美光G9 NAND首秀：三款SSD锁定AI算力痛点
8月5日，美光科技致力于开发创新型内存与存储解决方案，以卓越的性能、容量和能效满足人工智能驱动型数据中心的数据需求。今日，美光正式宣布推出三款基于美光 G9 NAND 打造的数据中心 SSD，进一步巩固其在存储领域的领先地位。本次产品组合的扩展涵盖多项业界创举
消息称任天堂供应链正在测试3D NAND闪存Switch 2游戏机卡带
旺宏电子在财报中表示，本季度 ROM 营收受任天堂游戏机平台转换空窗期影响，同比下降 2%，下半年公司重点将聚焦于“去化库存”，并关注新台币汇率波动对获利的影响。
虽获得长江存储专利，但太难了，三星暂缓430层NAND芯片研发
所以也就有了64层NAND 闪存，128层，252层，300层，430层等等，层数越高，代表着芯片越先进，就像房子一样，层数越高，住的人越多，存储密度就越大。
中国存储双雄出货量大增，预计第三季度跻身世界第一梯队
2025年第一季度，中国存储双雄——长江存储（YMTC）与长鑫存储（CXMT）季度营收首次同时突破10亿美元大关。长鑫存储在DRAM领域以4.1%的市占率位列全球第四，长江存储在NAND领域以8.1%的市占率排名第六，首次双双进入官方统计榜单。
韩企接到白宫通知，美设备禁入在华工厂，美发起对华稀土终极一击
6月22日，根据国内媒体援引《华尔街日报》报道，美国准备通过对日韩等盟友下手，计划砍掉三星、海力士和台积电等芯片企业、往中国工厂输入美国技术和设备的豁免权，同时也彻底杜绝第三国企业向中国转口贸易的路子。
传统存储方案“带不动”？别慌，它来了！
大普微J5100/J5300系列SSD搭载了其自研的DP600主控芯片，该芯片基于12nm FinFET工艺打造，具备业界领先的能耗比。DP600主控不仅支持PCIe 4.0 x4接口和NVMe 1.4a协议，还集成了可计算存储平台和基于ASIC加速的机器学习
对于旧固态硬盘，要么用，要么丢
如果你最近升级了台式机或笔记本电脑，可能会闲置一块旧固态硬盘，将其随手丢进抽屉收纳是常见做法。毕竟，它不像机械硬盘那样怕碰撞，你也有时间慢慢考虑如何利用它。但需要注意：若长期断电，存储在其中的数据可能面临风险。
创世SD NAND FLASH设计在无人机上，可从硬件适配、接口与协议兼容
将创世SD NAND FLASH设计在无人机上，可从硬件适配、接口与协议兼容、性能匹配、可靠性设计、散热与电磁兼容、软件与固件支持等方面入手，以下是详细介绍：
国内存储双雄崛起，长鑫和长存季度营收双双突破10亿美元大关
在 2025 年第一季度，全球存储市场传来令人振奋的消息：中国的长鑫存储（CXMT）与长江存储（YMTC）季度营收均突破 10 亿美元大关。这一里程碑式的成就，标志着国内存储企业在全球舞台上正逐步崭露头角，打破了长期以来由国际巨头主导的市场格局。
湖南斯北图申请NAND FLASH存储阵列的数据处理方法及系统专利，全面提升了载存储的性能
国家知识产权局信息显示，湖南斯北图科技有限公司申请一项名为“一种NAND FLASH存储阵列的数据处理方法及系统”的专利，公开号CN120122881A，申请日期为2025年02月。
LG伊诺特取得用于控制NAND快闪存储器器件的装置及其控制方法专利
国家知识产权局信息显示，LG伊诺特有限公司取得一项名为“用于控制NAND快闪存储器器件的装置及其控制方法”的专利，授权公告号CN114830239B，申请日期为2020年10月。
Kioxia的NAND战略，将如何演变？
铠侠控股（以下简称铠侠HD）于2025年6月5日召开经营方针说明会，公司执行副总裁兼首席执行官太田宏夫介绍了旗舰产品BiCS FLASH的发展路线图和关键技术，以及目前正在开发的新型内存解决方案。
美光突“翻供”阻断长江存储获取技术文件，中美博弈再添新战场！
美国芯片巨头美光科技（Micron）与中国长江存储（YMTC）的专利纠纷近日迎来戏剧性转折。这家全球存储芯片巨头以“国家安全”为由，向美国最高法院申请推翻下级法院的裁定，试图阻止长江存储获取其73页3D NAND技术机密文档。这一举动不仅打破了双方此前达成的保