虽获得长江存储专利,但太难了,三星暂缓430层NAND芯片研发
所以也就有了64层NAND 闪存,128层,252层,300层,430层等等,层数越高,代表着芯片越先进,就像房子一样,层数越高,住的人越多,存储密度就越大。
所以也就有了64层NAND 闪存,128层,252层,300层,430层等等,层数越高,代表着芯片越先进,就像房子一样,层数越高,住的人越多,存储密度就越大。
2025年第一季度,中国存储双雄——长江存储(YMTC)与长鑫存储(CXMT)季度营收首次同时突破10亿美元大关。长鑫存储在DRAM领域以4.1%的市占率位列全球第四,长江存储在NAND领域以8.1%的市占率排名第六,首次双双进入官方统计榜单。
6月22日,根据国内媒体援引《华尔街日报》报道,美国准备通过对日韩等盟友下手,计划砍掉三星、海力士和台积电等芯片企业、往中国工厂输入美国技术和设备的豁免权,同时也彻底杜绝第三国企业向中国转口贸易的路子。
大普微J5100/J5300系列SSD搭载了其自研的DP600主控芯片,该芯片基于12nm FinFET工艺打造,具备业界领先的能耗比。DP600主控不仅支持PCIe 4.0 x4接口和NVMe 1.4a协议,还集成了可计算存储平台和基于ASIC加速的机器学习
如果你最近升级了台式机或笔记本电脑,可能会闲置一块旧固态硬盘,将其随手丢进抽屉收纳是常见做法。毕竟,它不像机械硬盘那样怕碰撞,你也有时间慢慢考虑如何利用它。但需要注意:若长期断电,存储在其中的数据可能面临风险。
将创世SD NAND FLASH设计在无人机上,可从硬件适配、接口与协议兼容、性能匹配、可靠性设计、散热与电磁兼容、软件与固件支持等方面入手,以下是详细介绍:
在 2025 年第一季度,全球存储市场传来令人振奋的消息:中国的长鑫存储(CXMT)与长江存储(YMTC)季度营收均突破 10 亿美元大关。这一里程碑式的成就,标志着国内存储企业在全球舞台上正逐步崭露头角,打破了长期以来由国际巨头主导的市场格局。
国家知识产权局信息显示,湖南斯北图科技有限公司申请一项名为“一种NAND FLASH存储阵列的数据处理方法及系统”的专利,公开号CN120122881A,申请日期为2025年02月。
国家知识产权局信息显示,LG伊诺特有限公司取得一项名为“用于控制NAND快闪存储器器件的装置及其控制方法”的专利,授权公告号CN114830239B,申请日期为2020年10月。
铠侠控股(以下简称铠侠HD)于2025年6月5日召开经营方针说明会,公司执行副总裁兼首席执行官太田宏夫介绍了旗舰产品BiCS FLASH的发展路线图和关键技术,以及目前正在开发的新型内存解决方案。
美国芯片巨头美光科技(Micron)与中国长江存储(YMTC)的专利纠纷近日迎来戏剧性转折。这家全球存储芯片巨头以“国家安全”为由,向美国最高法院申请推翻下级法院的裁定,试图阻止长江存储获取其73页3D NAND技术机密文档。这一举动不仅打破了双方此前达成的保
日本NAND闪存制造商铠侠正筹备大规模产能扩张,该公司宣布了一项计划,拟在2029财年前将闪存产量翻倍,以满足人工智能等领域日益增长的需求。
长江存储与美光之间的纠纷始于2023年11月,当时长江存储在美国起诉美光,称其侵犯了其8项与3D NAND相关的美国专利。
2023年11月,长江存储(YMTC)在美国加州北部地区的地方法院向美光提起诉讼,指控对方侵犯其8项专利与3D NAND闪存的专利。随后指控受美光资助的丹麦咨询公司Strand Consult及其副总裁Roslyn Layton散布虚假信息,试图破坏长江存储的
这几年,美国对中国芯片产业的打压可谓花样百出。拉上日本、荷兰这些半导体设备强国,从设备到技术全面围堵,目标直指三个关键领域:逻辑芯片、DRAM内存和NAND闪存。
为了达到这三个目标,美国限制住了先进工艺的设备,比如光刻机、清洗设备、离子注入机等,不允许美国、日本、荷兰等的这些厂商,卖给中国。
自从AI大模型、智能终端、边缘计算开始卷性能之后,全球对存储产品的需求就进入了“又大又快”的新阶段。说白了,过去存点照片,现在得存大模型权重,存储芯片的性能要求不一样了。
要了解SSD固态硬盘寿命,需要先了解一下SSD固态硬盘中的存储介质NAND闪存。NAND闪存原理上是一个CMOS管,有两个栅极,一个是控制栅极(Control Gate), 一个是浮栅(Floating Gate). 浮栅的作用就是存储电荷,而浮栅与沟道之间的
日本NAND闪存巨头铠侠(Kioxia)公布其中长期业务计划,旨在通过扩大其在日本的两家主要工厂——四日市工厂和北上工厂——的生产线,到2029财年将产能较2024财年翻一番,以满足人工智能数据中心对NAND闪存日益增长的需求。此外,铠侠计划于2026年下半年
国家知识产权局信息显示,长江存储科技有限责任公司申请一项名为“一种存储控制器的操作方法、存储控制器及存储系统”的专利,公开号CN120112896A,申请日期为2023年08月。