摘要：铠侠控股（以下简称铠侠HD）于2025年6月5日召开经营方针说明会，公司执行副总裁兼首席执行官太田宏夫介绍了旗舰产品BiCS FLASH的发展路线图和关键技术，以及目前正在开发的新型内存解决方案。

BiCS FLASH的发展路线图和关键技术，来了！

铠侠控股（以下简称铠侠HD）于2025年6月5日召开经营方针说明会，公司执行副总裁兼首席执行官太田宏夫介绍了旗舰产品BiCS FLASH的发展路线图和关键技术，以及目前正在开发的新型内存解决方案。

太田先生首先谈到了内存技术的演进。他解释说，随着人工智能（AI）的普及，闪存正通过满足各种需求，包括提升位密度、可靠性、性能和能效，来支持人工智能的普及。他还提到，内存容量已从1991年的4M位增加到目前正在量产的第八代BiCS FLASH的2T位，增加了50万倍。他强调：“在此过程中，SLC、MLC、TLC和QLC（四级单元）等新的内存技术应运而生，其中许多技术都由铠侠创造。我们相信，我们将继续引领行业的技术创新。”

Ohta强调：“NAND闪存的成本竞争力取决于芯片上能装载多少比特。” 一般来说，提升比特密度的方法有四种：增加层数、以平面方式减小芯片面积、引入新架构以及像QLC那样逻辑地提高比特密度。但他表示：“投资额度因方法而异，因此，如何减少投资并提高比特密度，在技术发展战略方面至关重要。”

除了增加层数外，铠侠HD还通过结合平面缩小等方法来实现位密度的最大化。太田解释说：“一般来说，其他公司专注于通过增加层数来提高位密度，但除此之外，我们的优势在于在平面方向上缩小芯片面积。” 他继续表示，他们正在通过各种开发要素来追求位密度的最大化，例如引入CBA（CMOS直接键合阵列）等新架构以及早期引入QLC。

在平面方向的微缩技术方面，该公司利用与合作伙伴共同开发的新技术OPS（On Pitch SGD），实现了字线层的面积开销的降低。在现有的布局中，直到第六代BiCS FLASH，为了能够单独选择物理页面，在字线层中创建了非活动内存孔，以提供物理隔离。在第八代中，OPS技术用于在内存孔之间创建这种隔离，从而降低了面积开销。

作为一种新的架构，CBA技术应运而生。他解释说，从CNA（CMOS Next to Array，即CMOS阵列旁路技术）到CUA的过渡降低了CMOS的面积开销，但“连接CMOS和存储单元的布线开销仍然存在”。第八代引入的CBA技术通过分别处理CMOS和单元阵列并将它们粘合在一起，进一步降低了这一开销。Ohta强调：“铠侠也为能够成为这项技术的行业领导者而感到自豪。这项CBA技术能够在最佳温度条件下处理CMOS晶圆和存储单元晶圆，从而最大限度地发挥它们各自的性能，最终实现在接口和单元性能方面极具竞争力的产品。”

平面缩小、新架构和逻辑缩小。来源：Kioxia Holdings

他最后提到的是逻辑微缩（多值化），例如QLC。铠侠HD从第四代BiCS FLASH（三维闪存）开始生产QLC，并强调公司也一直在该领域做出先进努力，并于2007年在二维70纳米工艺中开发了QLC产品。Ohta补充道：“QLC产品是一种通过在TLC产品的性能和可靠性之间做出权衡来降低成本的技术，因此我们在开发QLC产品时会仔细考虑每个市场的规格要求。”

2024年12月，铠侠HD在国际会议“IEDM”上发布了名为“HCF（水平通道闪存）”的新技术，通过水平排列通道来提高存储密度。

在发布会上，有人问及HCF的引入时间，Ohta回答道：“有传言称竞争对手能够堆叠1000层，但我们相信从技术上来说，我们也能做到。然而，成本和性能是否能达到最终用户实际使用的水平，是一个很大的疑问。到那时，我们认为最终可能需要过渡到概念不同的HCF技术，我们正在将此作为一种选择。” 至于时间框架，该公司正在考虑从2030年代中期开始过渡。

太田先生还概述了BiCS FLASH未来的技术战略。

该公司计划沿着两条轴线进行发展：除了通过增加层数来实现大容量和高性能的传统产品阵容之外，该公司还计划利用CBA技术将现有的单元技术与最新的CMOS技术相结合，以实现高性能并降低投资成本。

对于首批高容量、高性能产品，公司计划结合进一步堆叠和平面缩小，开发高位密度、大容量的第10代及后续代产品，以满足企业级和数据中心SSD市场的需求。

对于注重性能的第二个产品组，我们利用CBA技术，将现有世代存储单元与实现高速的CMOS技术相结合，开发了满足各种尖端应用需求的第九代存储单元。通过利用现有世代存储单元，我们将能够减少堆叠所需的资本投资，同时满足搭载AI的边缘应用的需求。

Ohta表示：“通过这两项发展战略，我们将在保持最佳投资效率的同时，开发出满足尖端应用先进需求的有竞争力的产品。”

BiCS FLASH 路线图。来源：Kioxia Holdings

Ohta表示：“通过这两项发展战略，我们将在保持最佳投资效率的同时，开发出满足尖端应用先进需求的有竞争力的产品。”

引入CBA技术的优势

下图总结了从第五代到第十代的性能/位密度的演变。

第 5 代到第 10 代的性能/位密度演变。来源：Kioxia Holdings

通过引入CBA技术，第八代产品实现了公司所称的“业界领先水平”的接口速度和功率效率，同时实现了高位密度。Ohta强调：“第八代产品在性能、功耗和可靠性方面获得了众多客户的良好反馈和评价。此次引入的CBA技术使我们领先竞争对手两代，这一优势将进一步增强铠侠SSD产品的竞争力和产品阵容。”

关于进军新市场的努力，他在展示存储器层级结构的同时，还解释说，除了目前业务核心的TLC和QLC NAND之外，公司还在开发其他存储器。在DRAM领域，他以OCTRAM（氧化物半导体通道晶体管DRAM）为例，这是一种采用InGaZnO晶体管的新型DRAM结构，其开发着眼于用于低功耗AI和后5G时代的系统存储器。

他们还提到了“X-FLASH”，这是一种填补TLC NAND和DRAM之间延迟差距的存储级内存。他们计划开发“超高IOPS SSD”（详情见下文）和“CXL-XL”，作为利用X-FLASH的新解决方案。

进军新市场的举措。来源：Kioxia Holdings

CXL-XL 是一款采用 CXL 接口技术的内存，该技术可在 CPU 之间共享内存空间，样品计划于 2026 年下半年发货。太田表示：“随着计算规模越来越大、越来越分散，以执行更高级的计算，仅使用 DRAM 扩展内存容量在成本和功耗方面都面临挑战。CXL-XL 将满足 DRAM 无法实现的大容量、低延迟内存需求。”

该公司还将继续开发超大容量QLC。QLC SSD目前已在数据中心使用，但“未来我们将开发大容量、低成本的QLC，使其在TCO（总体拥有成本）方面能够与近线HDD相媲美。”

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来源：半导体产业纵横