Kioxia開發出OCTRAM(氧化物半導體通道電晶體DRAM)技術
東京--(美國商業資訊)--記憶體解決方案領域的全球領導者Kioxia Corporation今天宣布開發出OCTRAM(氧化物半導體通道電晶體DRAM),這種新型4F2DRAM由同時具有高導通電流和超低關斷電流的氧化物半導體電晶體組成。該技術可望透過發揮In
東京--(美國商業資訊)--記憶體解決方案領域的全球領導者Kioxia Corporation今天宣布開發出OCTRAM(氧化物半導體通道電晶體DRAM),這種新型4F2DRAM由同時具有高導通電流和超低關斷電流的氧化物半導體電晶體組成。該技術可望透過發揮In
东京--(美国商业资讯)--存储器解决方案领域的全球领导者Kioxia Corporation今天宣布开发出OCTRAM(氧化物半导体通道晶体管DRAM),这种新型4F2DRAM由同时具有高导通电流和超低关断电流的氧化物半导体晶体管组成。该技术有望通过发挥In
铠侠宣布,已开发出OCTRAM(使用氧化物半导体的DRAM)技术,这是一种新型4F2 DRAM,由同时具有高导通电流和超低漏电流的氧化物半导体晶体管组成。该技术由铠侠与南亚科技(Nanya)联合开发,采用了全栅InGaZnO(铟镓锌氧化物)垂直晶体管,通过集成