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中国突破EUV光刻“光源中的光源”，锡靶技术成胜负手！

在EUV（极紫外）光刻机中，锡靶是产生13.5nm极紫外光的核心材料。当高功率激光轰击液态锡滴时，锡原子电离形成等离子体并辐射EUV光。这一过程需每秒精准击打5万次锡滴，误差小于0.1微米，堪称“用激光击中高速飞行的子弹”。

由ASML打造的EUV光刻机是现代芯片不可或缺的重要生产工具。尤其是随着芯片工艺来到了3nm之后，EUV光刻的重要性与日俱增。ASML也通过提高NA的方式，引领EUV光刻机进入到High NA时代，以满足客户更严苛的需求。

随着EUV（极紫外）光刻技术的不断发展，目标越来越小的线宽尺寸使得新的物理限制不断显现，成为了巨大的障碍。尽管长期以来，随机效应（stochastic effects）已被视为关键挑战，而电子模糊（electron blur）也逐渐得到了深入研究，偏振效应（p

从支持大语言模型的超大规模数据中心，到智能手机、物联网设备和自主系统中的边缘AI，各种应用对尖端半导体的需求都在加速增长。但制造这些芯片严重依赖极紫外（EUV）光刻技术，这已成为扩大生产的最大障碍之一。自2019年首批商用EUV芯片下线以来，设备、掩模生成和光

EUV技术自从其提出以来，面临着多重挑战，包括高成本、复杂的光学系统以及需要在高精度下制造光罩等。然而，随着技术不断成熟，EUV逐渐突破了制程限制，尤其在10nm及以下的制程中展现出了其不可替代的优势。

在人工智能和高度互联技术普及的推动下，半导体行业规模预计在未来十年内将翻倍。然而，尽管微型芯片作为支撑从智能手机到救生医疗设备等一切产品的微小动力源，正面临着前所未有的需求增长，但它们也面临着迫在眉睫的技术瓶颈。

最近，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）宣布开发出了一种名称为大孔径铥（BAT）激光器，这种激光器比现在行业内的标准CO2激光器将EUV光源提高约10倍。

光刻 euv euv光刻 2025-01-14 18:36 16

美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室正在研发一种拍瓦级（petawatt-class）铥激光器（thulium laser），据说其效率比 EUV 工具中使用的二氧化碳激光器高 10 倍，并且可以在未来许多年内取代光刻系统中的二氧化碳激光器。

2024年9 月，佳能推出了首款商用版技术，该技术有朝一日可能会颠覆最先进的硅芯片制造工艺。这项技术被称为纳米压印光刻 (NIL) ，能够对小至 14 纳米的电路特征进行图案化，从而使逻辑芯片能够与目前量产的英特尔、AMD和Nvidia处理器相媲美。

东京--(美国商业资讯)-- Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP, TOKYO: 7912) 成功实现超2nm（nm：10

光刻 dnp euv光刻 2024-12-12 16:46 19