合肥大唐存储申请TLC NAND FLASH闪存颗粒宽温工作模式筛选方法专利，解决现有技术中宽温闪存存储筛选可靠性较差的问题
国家知识产权局信息显示，合肥大唐存储科技有限公司申请一项名为“一种TLC NAND FLASH闪存颗粒宽温工作模式筛选方法”的专利，公开号CN 119107999 A，申请日期为2024年9月。
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国家知识产权局信息显示，合肥大唐存储科技有限公司申请一项名为“一种TLC NAND FLASH闪存颗粒宽温工作模式筛选方法”的专利，公开号CN 119107999 A，申请日期为2024年9月。