氧化层

长江存储申请一种半导体器件及其制备方法、存储系统专利，有效减少沟道层和铁电层之间氧化层的形成

国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法、存储系统”的专利，公开号CN 119110593 A，申请日期为2023年6月。