态密度怎么看？
说明：态密度（Density of States, DOS）是描述电子在不同能量水平上可占据状态数量的物理量，反映了一个体系在能量空间中电子态的分布情况。它对于理解材料的电子结构至关重要，能够揭示导体、半导体和绝缘体的本质差异。
费米能级
中国人民大学团队：AI如何预测超导临界温度？
2025年6月，中国人民大学物理学院和量子态构建与操控教育部重点实验室的韩小琦、高泽锋、王新德等研究人员在arXiv预印本平台发表了一篇题为《HTSC-2025: A Benchmark Dataset of Ambient-Pressure High-Tem
如何分析计算电子结构？
电子结构计算通过能带分析（带隙类型与载流子迁移）、态密度（DOS）解析电子分布、电荷密度差揭示界面电荷转移，结合Bader电荷量化原子电荷转移及ELF分析键合特性。
费米能级的物理本质与催科学应用 从能带调控到界面电子转移的多尺度解析
接着，从能带结构、态密度和功函数三个方面，详述了在DFT计算中如何确定和应用费米能级，以及其作为催化活性描述符的理论基础。
晶格氧的作用是什么？
晶格氧在氧析出反应（Oxygen Evolution Reaction, OER）中扮演着至关重要的角色。在OER过程中，晶格氧作为催化剂表面的氧源，能够通过氧化还原反应参与氧气的释放。
什么是费米能级？
接着，从能带结构、态密度和功函数三个方面，详述了在DFT计算中如何确定和应用费米能级，以及其作为催化活性描述符的理论基础。
什么是能带、态密度？
能带结构是描述晶体中电子能量随波矢（动量）变化的分布曲线，通过考察不同K 点上的能隙、导带与价带位置，可以直观地揭示材料是金属、半导体还是绝缘体，以及带隙类型（直接或间接）和载流子的有效质量；而态密度则是将所有 K 点的电子态在能量轴上进行统计和积分，给出每一
如何用DFT解析化学键？
密度泛函理论（DFT）中的电子海模型将金属键描述为自由电子气的离域性体系，其中金属原子的价电子脱离原子核束缚形成均匀电子云（导带），正离子晶格嵌入其中。
钙钛矿该计算哪些性质？
能带结构是描述晶体中电子能量与波矢关系的重要物理量，直接决定了材料的导电、光学等性质。在理论计算中，通常基于密度泛函理论（DFT），采用平面波赝势方法或全电势方法进行计算。对于钙钛矿材料，其能带结构由原子的轨道杂化和晶体场效应共同决定。
如何解析态密度？
通过总态密度（TDOS）、分波态密度（PDOS）和局域态密度（LDOS）的联合分析，可揭示材料的电子分布、轨道杂化及局域电子行为，为理解材料的电学、光学及催化性能提供微观视角。
如何计算缺陷形成能？
缺陷形成能（Defect Formation Energy）是材料科学中量化缺陷热力学稳定性的关键参数，其定义为在完整晶体中引入特定缺陷所需的能量变化。该能量决定了缺陷的平衡浓度及其对材料电学、光学等性质的影响。对于带电缺陷，其形成能还与费米能级（EF）密切相
什么是二维材料MoS₂
二维材料 MoS₂（二硫化钼）是一种典型的过渡金属硫化物，具有层状结构，每层由硫原子 - 钼原子 - 硫原子按 “三明治” 构型通过共价键结合，层间以范德华力连接，可剥离为单原子层厚度的纳米片。其单层结构呈现半导体特性，带隙约为 1.8-2.0 eV（直接带隙
D带中心解析与应用！
D带中心（d-band center）是描述过渡金属电子结构的重要参数，定义为金属原子d轨道能级的加权平均能量位置，通常相对于费米能级进行测量。在催化反应中，d带中心的位置直接影响反应物或中间体在催化剂表面的吸附强度：当d带中心靠近费米能级时，金属的d轨道与吸
颠覆认知！量子限域效应助力镁薄膜的超导性
超导现象是指某些材料在低于其临界温度时电阻降为零的特性。传统上，只有某些合金或复杂材料被认为具有超导性，而纯金属如镁由于其较弱的电子-声子相互作用，通常不被认为具有这种性质。然而，最近的一项理论研究表明，通过利用量子限域效应，即便是像镁这样的非超导金属，在被制
强磁场下电子对声子的增强吸收：半金属中的巨热量子振荡
在传统金属中，热导率通常与电导率密切相关，很大程度上是由相同的可移动电子介导的。然而，最近的发现，尤其是在低密度金属和半金属这个迷人的世界中，揭示了一个更加细致的图景。一个引人注目的现象是观察到热输运中的巨量子振荡，远远超出了基于电学性质的预期。这些在强磁场影
实现软包电池能量密度368Wh/kg！中国团队最新成果极具商用潜能
锂硫电池因其理论容量高、环保和成本低等优势，被认为是最有前途的能源存储系统之一。然而，多硫化锂（LiPSs）的穿梭效应和缓慢的反应动力学严重阻碍了锂硫电池的工业化发展。解决这些挑战的主要策略在于设计高效且耐久的双向催化剂。异质结材料作为最有前景的电催化剂候选者
赞！成功发表
近日，我校光电学院舒海波教授团队连续在国际纳米科学顶级期刊ACS Nano（中科院一区top期刊，IF=15.8）发表题为"Multispectral Integrated Black Arsenene Phototransistors for High -
期刊 太赫兹 费米能级 储氢合金 mechatronics 2025-03-21 16:48 13
打破“高迁移率p型神话”：二氧化碲p型半导体的真相
Zewen Xiao, Chen Qiu, Su-Huai Wei, and Hideo Hosono, Is p-Type Doping in TeO2 Feasible? Chinese Physics Letters 42, 016103 (2025).