华为测试国产EUV光刻机!关键技术获突破 #euv光刻机
EUV里面最困难的一部分就是要如何产生极紫外光。这种极紫外光不是从日光灯光线里面折射出来的，它是要靠一种电浆，一种电浆发射出来波长大概在15纳米以下的光线才能够产生极紫外光。
国产euv
华为正在测试国产EUV 芯片制造机，绕开ASML，双电极技术成本降低
当全球聚焦ASML新一代High-NA EUV光刻机时，华为与中芯国际联合研发的LDP（激光诱导放电等离子体）技术已突破实验室验证阶段，其双旋转电极结构将高压放电效率提升至4.2%的工程化水平。
麒麟芯片性能难提升，华为设计虽先进，国产EUV光刻机却遥遥无期
麒麟芯片性能难提升，华为设计虽先进，国产EUV光刻机却遥遥无期。有人说2021年出现ADT阶段类似的真空腔体，如何解释？只能说那时候就有了ADT阶段的EUV了。真空腔需要做真空实验，不是拿个设备抽真空那么简单，需要用到真空室，反复实验。不是要造出来，还要试出来